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公开(公告)号：KR1020100101485A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019990
申请日：2009-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: A lighting device manufacturing method is provided to manufacture lighting devices of high efficiency, low costs, and large size and to prevent the generation of a crack during a manufacturing process. CONSTITUTION: A lighting device includes a step which forms a separation layer by injecting ion into a substrate or a lower semiconductor layer. The upper part and the lower part of the separation layer are separated through a thermal process. The lower semiconductor layer is separated from a separation layer and is divided into a first lower semiconductor layer(11a) and a second lower semiconductor layer(11b).
Abstract translation: 目的：提供一种照明装置制造方法，用于制造高效率，低成本和大尺寸的照明装置，并且防止在制造过程中产生裂纹。 构成：照明装置包括通过将离子注入基底或下半导体层形成分离层的步骤。 分离层的上部和下部通过热处理分离。 下半导体层与分离层分离，分为第一下半导体层（11a）和第二下半导体层（11b）。
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公开(公告)号：KR1020100025836A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084554
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/823456 , B82Y40/00 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-wire multichannel field effect transistor(FET) device is provided to determine the current size of a source-drain by adjusting the number of nano-channel through a semiconductor process. CONSTITUTION: A V-groove nano-wire array is formed on a substrate(4) or a thin film on the substrate through a photolithography process and a wet-etching process. A nano-material is self-assembled in the V-groove(11) of the V-groove nano-wire array through a solution process. A multichannel is composed of the V-groove nano-wire array with self-assembled nano-materal. A source electrode(5) and a drain electrode(6) are formed. The multichannel is arranged between the source electrode and the drain electrode. A back-gate electrode(7) is formed on the back side of the substrate to form a V-groove FET device.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米线多通道场效应晶体管（FET）器件的方法，通过调整半导体工艺中的纳米通道的数量来确定源漏的电流大小。 构成：通过光刻工艺和湿蚀刻工艺在衬底（4）或衬底上的薄膜上形成V形沟槽纳米线阵列。 纳米材料通过溶液法在V形槽纳米线阵列的V形槽（11）中自组装。 多通道由具有自组装纳米侧面的V沟纳米线阵列组成。 形成源电极（5）和漏电极（6）。 多通道布置在源电极和漏电极之间。 背板电极（7）形成在衬底的背面，以形成V沟槽FET器件。
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公开(公告)号：KR1020060037925A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087027
申请日：2004-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 단일 반도체 광증폭기(SOA)의 이득포화 특성을 이용한 전광 OR 논리소자 구현장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 전광 논리동작을 하는 새로운 전광 OR 논리소자를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광펄스를 생성하기 위한 광펄스 발생기와; 상기 광펄스 발생기로부터 입력신호 패턴 A와 B를 생성하기 위한 모드잠김 광섬유 레이저(MLFL); 상기 모드잠김 광섬유 레이저의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제1 광분배기; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 시간 지연을 얻기 위한 제1 광지연수단; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 세기와 편광을 조절하기 위한 광조절 수단; 상기 제1 광지연수단 및 광조절 수단으로부터의 출력광을 결합시켜 조사신호로서 입력신호 패턴 A를 발생시키는 제1 광결합기; 상기 제1 광결합기로부터의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제2 광분배기; 상기 제2 광분배기로부터의 출력광이 시간 지연되어 입력신호 패턴 B가 발생되는 제2 광지연수단; 상기 입력신호 패턴 B가 50:50으로 분리되기 위한 제3 광분배기; 상기 제3 광분배기에서 한 측의 입력신호 패턴 B를 펌프신호로 증폭하기 위한 어븀첨가 광섬유 증폭기(EDFA); 상기 펌프신호와 조사신호가 반대방향으로 입사되는 반도체 광증폭기(SOA); 상기 반도체 광증폭기로부터의 출력신호와 입력 신호 패턴(B)를 결합하는 제2 광결합기; 및 상기 제2 광결합기로부터의 출력광을 검출하여 분석하는 광신호 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 OR 논리소자 구현장치 를 제시한다.
반도체 광증폭기(SOA), 전광 OR 논리소자, 조사신호, 펌프신호-
公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY-
公开(公告)号：KR1020060024930A
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/12 , G02B27/28 , G02B2006/12157 , G02F1/09
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100523871B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용한 전광 NOR 논리소자 구현장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 논리소자 중에 특히 10Gbit/s 전광 NOR 논리소자를 구현하는 장치 및 그 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 전광 NOR 논리소자 구현방법은, 1100의 입력신호 패턴 A와 0110의 입력신호 패턴 B의 입력신호 합인 A+B 신호를 펌프신호(1110)로 이용하고 상기 1100의 입력신호 패턴 A로 클락신호를 만들어 조사신호(1111)로 이용하여, 상기 조사신호와 펌프신호를 반도체 광증폭기(SOA)에 동시에 반대방향으로 입사시켜 불리언(Boolean) 논리식 를 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전광 NOR 논리소자는 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용하는 XGM(Cross Gain Modulation) 방법으로 구현되기 때문에 구조가 간단하며, 다른 기능의 전광 논리소자들이 동일한 방법으로 구성될 수 있으므로 전광회로 및 전광 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.-
公开(公告)号：KR1020050038891A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020030074203
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01P1/36
CPC classification number: G02F1/0955 , G02B6/2746 , G02B2006/12157 , G02F2001/212 , G02F2202/32
Abstract: 반도체 자기광학 집적 광 아이솔레이터는 자기 물질의 광학적 특성인 광의 진행 경로 방향이 달라질 때 발생하는 비가역적 위상변위를 이용하여 광 도파로의 클래딩 층이나 가이딩 층이 자기물질로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 형태의 집적 광 아이솔레이터로 구현하고 있다. 이런 비가역적 위상변위을 일으키는 기본적인 요소는 자기 물질이 가지고 있는 패러데이 회전(Faraday rotation) 때문이다. 그러므로, 단길이의 집적화된 광 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 큰 패러데이 회전 값이 필수적이다. 하지만 벌크 상태의 자기 물질은 패러데이 값이 크지 않기 때문에 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 수 ㎜ 단위의 길이가 필요하다.
본 발명은 자기 광학적 물질과 유전체 물질이 주기적인 구조를 가지는 자기 광자 결정을 이용한 집적 광 아이솔레이터를 구현한다. 이로 인해, 자기 광자 결정은 벌크 상태의 자기 물질보다 큰 패러데이 회전 값을 가지게 되어 비가역적 위상변위가 커지게 된다. 집적 광 아이솔레이터의 제작시 소자의 길이를 줄일 수 있어 단길이 집적화가 가능하다. 따라서, 마하젠더 형태의 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄이기 위해서 큰 패러데이 회전 값을 가지는 자기 광자 결정을 이용한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020040089772A
公开(公告)日：2004-10-22
申请号：KR1020030023559
申请日：2003-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: PURPOSE: A method for equalizing pulse amplitude using a polarization maintaining laser resonator is provided to equalize the pulse amplitude without using an additional device by removing unevenness of the pulse amplitude. CONSTITUTION: An optical intensity modulator(12) is used for modulating intensity of beam according to an electric modulation signal. An optical isolator(14) is used for transmitting the forward beam and reflecting the backward beam. A tunable filter(16) is used for tuning an oscillating wavelength of the laser. An Er-doped fiber(18) is used as a gain medium of the laser. A WDM coupler(20) is used for coupling optical fibers. A laser diode(22) is used for supplying energy by pumping the Er-doped fiber. A dispersion shifted fiber(24) is used for optimizing dispersion values of the laser resonator. An m:n coupler(26) is used for outputting partially the laser beams. An optical delay line(28) is used for changing the length of the laser resonator.
Abstract translation: 目的：提供一种使用偏振保持激光谐振器均衡脉冲幅度的方法，以通过消除脉冲幅度的不均匀而不使用附加装置来均衡脉冲幅度。 构成：光强度调制器（12）用于根据电调制信号调制光束的强度。 光隔离器（14）用于传输前向光束并反射后向光束。 可调滤波器（16）用于调谐激光器的振荡波长。 掺铒光纤（18）用作激光的增益介质。 WDM耦合器（20）用于耦合光纤。 激光二极管（22）用于通过泵浦掺铒光纤来提供能量。 色散位移光纤（24）用于优化激光谐振器的色散值。 使用m：n耦合器（26）部分地输出激光束。 光学延迟线（28）用于改变激光谐振器的长度。
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公开(公告)号：KR1020020017221A
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：KR1020000050420
申请日：2000-08-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
CPC classification number: G02F3/00 , G02F2203/70 , Y10S359/90
Abstract: PURPOSE: A device for realizing all-optical NOR logic device and a method thereof are provided to easily obtain the all-optical NOR logic operation at a certain point of a complicated optical circuit arrangement of an optical computer and all-optical signal processing system. CONSTITUTION: A device for realizing all-optical NOR logic device includes pump signal generating elements(DFB-LD, T-LD) for generating pump signals having different wavelength, external modulation elements(PG,MZM) for modulating the generated pump signals, a delay element(DL) for delaying the modulated pump signals separately, control elements(PC,ATTN) for equalizing the polarization and strength of the pump signals passed through the delay element, an amplification element(EDFA) for saturating gains of a semiconductor optical amplifier(SOA) by a sum of the pump signals, the SOA for obtaining operation characteristics of the all-optical NOR logic device by the gate saturation and the wavelength conversion characteristics when a signal of the pump signal sum and a probe signal, and coupling/decoupling elements(10a-10d) connected to rear parts of the pump signal generating element, the modulation element, the control element and the amplification element for coupling or decoupling the pump signals.
Abstract translation: 目的：提供一种用于实现全光NOR逻辑器件的装置及其方法，以便在光计算机和全光信号处理系统的复杂光电路布置的特定点容易地获得全光NOR逻辑运算。 构成：用于实现全光NOR逻辑器件的器件包括用于产生具有不同波长的泵浦信号的泵浦信号产生元件（DFB-LD，T-LD），用于调制产生的泵浦信号的外部调制元件（PG，MZM） 用于分别延迟调制的泵浦信号的延迟元件（DL），用于均衡通过延迟元件的泵浦信号的极化和强度的控制元件（PC，ATTN），用于使半导体光放大器的增益饱和的放大元件（EDFA） （SOA）通过泵浦信号的总和，用于通过门饱和获得全光NOR逻辑器件的操作特性的SOA和当泵浦信号的信号求和和探测信号时的波长转换特性，以及耦合/ 连接到泵信号产生元件的后部的去耦元件（10a-10d），调制元件，控制元件和放大元件，用于耦合或去耦p ump信号。
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公开(公告)号：KR1020010077692A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005660
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/14
Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to extend the gain bandwidth by forming differently the thickness of quantum well layers and by using all wave lengths of the light irradiated from each quantum well layer. CONSTITUTION: In a semiconductor optical amplifier, the structure of quantum well layers comprises InGaAs/InGaAsP/InP. The quantum well layers of different thickness are used as a combination. The combination of the quantum well layers has different barrier. The farther from p-layer, the thinner quantum well layer is arranged. Therefore, the quantum well layers have flat gain characteristic in a wide area and low critical current.
Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，以通过不同地形成量子阱层的厚度并且通过使用从每个量子阱层照射的光的全部波长来扩展增益带宽。 构成：在半导体光放大器中，量子阱层的结构包括InGaAs / InGaAsP / InP。 使用不同厚度的量子阱层作为组合。 量子阱层的组合具有不同的屏障。 距离p层越远，布置了较薄的量子阱层。 因此，量子阱层在广泛区域和低临界电流下具有平坦增益特性。
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