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公开(公告)号：KR1020170025471A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121950
申请日：2015-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른초박형실리콘태양전지를위한비대칭적나노격자구조는경사증착법에의해대칭형나노격자를갖는실리콘을소정각도만큼경사지게위치시킨후, 실리콘후면에유전체를증착시켜실리콘과유전체의복합체형태의비대칭적나노격자구조를갖도록하되, 실리콘의전면에유전체의나노콘형태의무반사막을배치시켜전기적인손실을저감하면서동시에광포집효과를극대화할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160146126A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150082816
申请日：2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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公开(公告)号：KR101449655B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 광 감지 센서는, 제1 인터디지테이티드(interdigitated) 전극; 제2 인터디지테이티드 전극; 및 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함할 수 있다. 상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤(surface plasmon polariton)이 여기될 수 있다. 표면 플라즈몬 폴라리톤에 의하여 광전도층의 광흡수가 특정 파장 대역에서 증폭될 수 있으며, 이를 이용하여 해당 파장 대역에서 광흡수를 나타내는 물질을 민감하게 감지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140092123A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/1226 , G01J3/18 , G01N21/553 , G02B6/124
Abstract: An optical detection sensor includes a first interdigitated electrode; a second interdigitated electrode; and an optical conduction layer which is in contact with each of the first and second interdigitated electrodes. Due to incident light inputted into the optical conduction layer, surface plasmon polaritons can be excited on the interface between the first interdigitated electrode and optical conduction layer, and interface between the second interdigitated electrode and optical conduction layer. The optical absorption of the optical conduction layer can be amplified at a specific wavelength range due to the surface plasmon polaritons and a material which shows optical absorption in the corresponding wavelength range can be sensitively detected using the same.
Abstract translation: 光学检测传感器包括第一叉指电极; 第二交叉电极; 以及与所述第一和第二叉指电极中的每一个接触的光导体层。 由于入射到光导层中的入射光，表面等离子体激元可以在第一叉指电极与光导体层之间的界面上激发，也可以在第二交叉电极与光导体层之间进行界面激发。 由于表面等离子体激元，可以在特定的波长范围内放大光导体层的光吸收，并且可以使用相同的波长范围来显示光吸收的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140080859A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120149337
申请日：2012-12-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/052
Abstract: The present invention relates to a sunlight collecting apparatus. According to the present invention, the sunlight collecting apparatus comprises a solar focusing unit to which sunlight is incident; a multiplex solar energy collecting unit which is disposed at the bottom of the sunlight focusing unit and arranged in the form of an array by equally dividing a plurality of unit condensates; and a solar cell panel unit which is disposed at the bottom of the multiplex solar energy collecting unit to be in parallel with the solar focusing unit and generates electrical power by the light emitted from the multiplex solar energy collecting unit.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳光收集装置。 根据本发明，阳光收集装置包括太阳光入射的太阳聚光单元， 多重太阳能收集单元，其设置在太阳光聚焦单元的底部并且以阵列的形式通过均匀分割多个单位冷凝物而布置; 以及太阳能电池板单元，其设置在所述多路复用太阳能收集单元的底部以与所述太阳聚焦单元平行，并且通过从所述多路太阳能收集单元发射的光产生电力。
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27.发明公开나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 有权使用纳米金刚石的衰减总反射型波形谐振传感器和制造纳米晶金刚石波导的方法
公开(公告)号：KR1020140045001A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120110684
申请日：2012-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N21/552 , C23C16/277 , G01N21/27 , G02B6/10
Abstract: An attenuated total reflection (ATR) type waveguide mode resonance sensor comprises a waveguide layer being in contact with a sample and formed of nanocrystalline diamond (NCD). The incident angle of incident light causing standing waves on the waveguide layer can be measured by the incident light entered into the ATR type waveguide mode resonance sensor. The waveguide formed of the NCD is formed by a hot filament chemical vapor deposition process using hydrocarbon-containing material gas. At this time, the crystal grain size of the NCD can be controlled by adjusting at least one among a substance temperature, a distance between a filament and a substance, and a hydrocarbon rate contained in the material gas. [Reference numerals] (AA) P-wave / TM mode; (BB) S-wave / TE mode
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器包括与样品接触并由纳米晶体金刚石（NCD）形成的波导层。 可以通过入射到ATR型波导模式共振传感器的入射光来测量在波导层上产生驻波的入射光的入射角。 由NCD形成的波导通过使用含烃材料气体的热丝化学气相沉积法形成。 此时，可以通过调节物质温度，细丝与物质之间的距离和材料气体中所含的烃速率中的至少一种来控制NCD的晶粒尺寸。 （附图标记）（AA）P波/ TM模式; （BB）S波/ TE模式
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公开(公告)号：KR1020120113916A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020110031602
申请日：2011-04-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G03F7/2016 , G03F7/201
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nano-structure array and a device including the nano-structure array are provided to improve the sensitivity and the reliability of a sensor including the nano-structure array. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-structure array includes the following steps: a stacked structure of a substrate, a resist layer, and a focusing layer is irradiated with light to be focused; the focused light patterns resist on the resist layer; and a material forming a nano-structure array is stacked on the patterned resist layer to form a nano-structure array. The resist layer includes a resist material layer and an undercut forming layer.
Abstract translation: 目的：提供纳米结构阵列的制造方法和包括纳米结构阵列的装置，以提高包括纳米结构阵列的传感器的灵敏度和可靠性。 构成：纳米结构阵列的制造方法包括以下步骤：用聚光的光照射衬底，抗蚀剂层和聚焦层的堆叠结构; 聚焦的光图案抵抗抗蚀剂层; 并且在图案化的抗蚀剂层上堆叠形成纳米结构阵列的材料以形成纳米结构阵列。 抗蚀剂层包括抗蚀剂材料层和底切形成层。
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公开(公告)号：KR101101178B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100028027
申请日：2010-03-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , B82B3/00
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 귀금속의 플라즈마 이온주입 장치가 제공된다. 귀금속의 플라즈마 이온주입 장치는, 내부를 진공 상태로 유지하는 진공조와, 박막증착을 위해 진공조 내부에 배치되고 귀금속 스퍼터링 타겟이 장착되는 마그네트론 증착원과, 진공조 내에서 마그네트론 증착원에 대향하도록 배치되어 시료가 장착되는 시료장착대와, 마그네트론 증착원에 펄스직류전력을 인가하여 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 귀금속을 이온화시키는 펄스직류 전원장치와, 시료장착대에 펄스직류전력에 동기화된 고전압펄스를 인가하여 귀금속의 이온들을 시료 쪽으로 가속시키는 고전압펄스 전원장치를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101035979B1
公开(公告)日：2011-05-23
申请号：KR1020110005403
申请日：2011-01-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for growing a ZnO thin film, a thin film solar cell using the same, and a method for manufacturing the thin film solar cell are provided to prevent a void and a crack in a silicon thin film deposition process by making the surface of the ZnO thin film with a U-shape. CONSTITUTION: Textures in a (0002) direction and a (1120) direction are simultaneously grown by controlling a deposition temperature, a deposition pressure, or the injection ratio of precursors. The deposition temperature is controlled between 90 and 150 degrees centigrade. The deposition pressure is controlled between 0.1 and 10 torr. The precursor is made of oxygen materials and zinc materials.
Abstract translation: 目的：提供一种生长ZnO薄膜的方法，使用该薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池以及薄膜太阳能电池的制造方法，以防止硅薄膜沉积工艺中的空隙和裂纹， 的ZnO薄膜具有U形。 构成：通过控制沉积温度，沉积压力或前体的注射比同时生长（0002）方向和（1120）方向上的纹理。 沉积温度控制在90至150摄氏度之间。 沉积压力控制在0.1和10托之间。 前体由氧材料和锌材料制成。
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