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公开(公告)号：KR1020130088925A
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020120010135
申请日：2012-02-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an information storage medium using a ferroelectric polymer thin film is provided to improve a data storage reliability than a ferroelectric media using an oxide by forming a ferroelectric polymer thin film on an upper side of an electrode layer formed on one side of a substrate. CONSTITUTION: An information storage medium using a ferroelectric polymer thin film comprises a substrate (101), an electrode layer (102), and a ferroelectric polymer thin film (103). The electrode layer is formed at one side of the substrate. In the ferroelectric polymer thin film, a rate of VDF and TrFE formed on an upper side of the electrode layer is 70:30 to 80:20.
Abstract translation: 目的：提供一种制造使用铁电聚合物薄膜的信息存储介质的方法，以提高数据存储的可靠性，而不是通过在形成在一侧的电极层的上侧形成铁电聚合物薄膜而使用氧化物的铁电介质 的基底。 构成：使用铁电聚合物薄膜的信息存储介质包括基板（101），电极层（102）和铁电聚合物薄膜（103）。 电极层形成在基板的一侧。 在铁电聚合物薄膜中，在电极层的上侧形成的VDF和TrFE的比例为70:30〜80:20。
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公开(公告)号：KR1020130086731A
公开(公告)日：2013-08-05
申请号：KR1020120007620
申请日：2012-01-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/08 , H01L41/047 , H01L41/22
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/0471 , H01L41/193 , H01L41/297 , H01L41/314
Abstract: PURPOSE: An energy harvesting device with high power density and a manufacturing method thereof are provided to improve power density by inserting a piezoelectric material and an elastic body into a plurality of metal plates. CONSTITUTION: A plurality of metal plates (110) are located on both ends of a piezoelectric material (130) to face each other. The piezoelectric material includes a substrate, a piezoelectric layer, an electrode layer, and an insulation layer. The piezoelectric layer is formed on one side of the substrate. The electrode layer is formed on the upper side of the piezoelectric layer. The insulation layer is formed on the upper side of the electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有高功率密度的能量收集装置及其制造方法，以通过将压电材料和弹性体插入多个金属板来提高功率密度。 构成：多个金属板（110）位于压电材料（130）的两端彼此面对。 压电材料包括基板，压电层，电极层和绝缘层。 压电层形成在基板的一侧上。 电极层形成在压电层的上侧。 绝缘层形成在电极层的上侧。
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公开(公告)号：KR101231564B1
公开(公告)日：2013-02-15
申请号：KR1020110024685
申请日：2011-03-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L29/66
Abstract: 본 발명은 TiO
2 나노도트 배열 박막과 PbO 증기를 반응시켜 생성한 PbTiO
3
나노도트를 이용한 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 절연물질로 이루어진 기판, 기판 상면에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상면의 일부 영역에 구 형상으로 형성된 나노도트, 나노도트 표면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 구 형상으로 형성된 나노도트는 PbTiO
3 로 이루어지는 것을 특징으로 하며, Pb(ZrTi)TiO
3 또는 BiTiO
3 로 형성할 수 있다. 이 나노도트는 하부 전극 상면에 점 접촉하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명에 따른 강유전체 나노도트 소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 기판 상면에 하부 전극을 형성하는 단계, 공중합체(Copolymer) 용액과 졸겔(Sol-gel) 용액을 혼합해 솔루션 용액을 형성하는 단계, 솔루션 용액을 하부 전극 상면에 도포하고, 교질 입자 박막을 형성하는 단계, 교질 입자 박막이 증착된 기판을 건조하고, 템플레이트를 제거하여, TiO
2
나노도트를 형성하는 단계
, 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 템플레이가 제거된 TiO
2
나노도트 배열 박막에서 PbTiO
3 나노도트를 형성하는 단계 및 PbTiO
3 나노도트 상면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020120097932A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110017515
申请日：2011-02-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H02N2/18 , H01L41/0472 , H01L41/113 , H01L41/193 , H01L41/29 , H01L41/31 , Y10S977/837
Abstract: PURPOSE: An energy acquisition system using a piezoelectric nano-rod and manufacture method thereof are provided to improve mechanical properties using a polymer nano-rod as a piezoelectric device. CONSTITUTION: A piezoelectric nano-rod(303) includes a lower electrode(301) corresponding to a conductive polymer electrode and the piezoelectric nano-rod of a tube shape which is vertically formed on the lower electrode. The piezoelectric includes a lower electrode formed on the piezoelectric nano-rod. The lower and the upper electrode are formed on the upside of the piezoelectric nano-rod by accumulating atomic layers on the conductive polymer electrode. The lower and the upper electrode are formed on the surface of the piezoelectric nano-rod using a thin-film formation method like an evaporation method or a sputtering method.
Abstract translation: 目的：提供使用压电纳米棒的能量采集系统及其制造方法，以提高使用聚合物纳米棒作为压电装置的机械性能。 构成：压电纳米棒（303）包括对应于导电聚合物电极的下电极（301）和垂直形成在下电极上的管状压电纳米棒。 压电体包括形成在压电纳米棒上的下电极。 下电极和上电极通过在导电聚合物电极上堆积原子层而形成在压电纳米棒的上侧上。 下电极和上电极使用蒸发法或溅射法等薄膜形成方法形成在压电纳米棒的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960006246B1
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：KR1019930025439
申请日：1993-11-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C04B35/46
Abstract: The method of fabricating a PLZT thin film using sol-gel process includes the steps of forming a seed layer by using a PLZT coating solution having a first composition and drying it, forming a thin film with a PLZT coating solution having a second composition on the PLZT thin film having the first composition and drying it, and heat-treating the dried thin film.
Abstract translation: 使用溶胶 - 凝胶法制造PLZT薄膜的方法包括以下步骤：通过使用具有第一组分的PLZT涂层溶液形成种子层并干燥，在其上形成具有第二组成的PLZT涂层溶液的薄膜 PLZT薄膜具有第一组成并将其干燥，并对干燥的薄膜进行热处理。
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公开(公告)号：KR1019960000820A
公开(公告)日：1996-01-25
申请号：KR1019940013312
申请日：1994-06-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C04B35/46
Abstract: 졸-겔 공정(sol-gal process)을 이용하여 원하는 우선 배향성(preferred orientation)을 나타내는 PZT(PbZr
x Ti
1-x O
3 : 지르콘산납-티난산납) 및 PLZT(Pb
1-x La
x (Zr
y Ti
1-y )
1-x/4 O
3 : 란탄산납-지르콘산납-티탄산납) 박막을 제조하는 방법이 제공된다. 졸-겔 공정을 이용하여 PZT 박막을 제조함에 있어서, 건조 온도를 특정함으로써 원하는 우선 배향성을 나타내는 PZT 박막을 제조할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 건조 온도를 330℃로 하여 제조된 PZT 박막은(111) 평면 방향으로의 우선 배향성을 나타낸다. 또한, 씨앗층을 이용하여 PLZT 박막을 제조하는 경우, 씨앗층의 두께와 열처리 조건을 변화시킴으로써 변화된 우선 배향성을 나타내는 PLZT 박막을 제조할 수 있다. 바람직한 실시예에 따르면, 씨앗층의 두께를 56nm로 하고 소결 처리한 경우(100) 방향으로의 우선 배향성을 나타내는 PLZT 박막을 얻게 된다.-
公开(公告)号：KR1019940009373A
公开(公告)日：1994-05-20
申请号：KR1019920018961
申请日：1992-10-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C30B25/04
Abstract: 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 리튬 이소프로폭사이드와 니오븀 이소프로폭사이드를 1:1의 몰비로 섞어 메탄올에 녹이고, 70에서 5시간 동안 교반하면서 환류시켜 코팅 용액을 얻고, 이 용액을 사파이어 기판 위에 덜어뜨린 후 회전시켜 기판 위에 이 용액의 막을 고르게 입히고, 이 코팅된 기판을 200℃에서 건조시킨 다음 코팅과 건조를 반복하여 다중 박막을 얻고, 이 다중 박막을 400℃ 이상의 온도에서 30분 동안 최종 열처리함으로써, 사파이어 기판과 결정학적 배향이 유사한 면만 에피텍시얼(epitaxial)하게 성장된 유사 단결정 리튬 니오붐 산화물 박막의 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR102079298B1
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：KR1020180029242
申请日：2018-03-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/047 , H01L41/193 , H01L41/187 , H01L41/083 , H01L41/29 , H01L41/27 , H01L41/317
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公开(公告)号：KR102060538B1
公开(公告)日：2019-12-30
申请号：KR1020180029243
申请日：2018-03-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/193 , H01L41/047 , H01L41/45 , H01L41/317 , H01L41/316
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