Abstract:
PURPOSE: A method to fill lead acetate in a titanium dioxide(TiO2) nanotube is provided to easily fill the lead acetate into the TiO2 nanotube by immersing the TiO2 nanotube which is self-aligned into a lead acetate solution, or by dropping the lead acetate solution on the TiO2 nanotube. CONSTITUTION: A TiO2 nanotube(300) filled with lead acetate inside is composed of the TiO2 nanotube and the lead acetate. The TiO2 nanotube grows vertically by being anodized on a titanium(Ti) sheet(110). A lead acetate filling method includes a step of dropping a lead acetate solution on the TiO2 nanotube, and drying the TiO2 nanotube. A ferroelectric nanotube element manufacturing method includes following steps; the anodized TiO2 nanotube is prepared; the lead acetate is filled in the TiO2 nanotube; and a lead titanate nanotube is formed by depositing PbO on the TiO2 nanotube filled with the lead acetate.
Abstract:
본 발명은 TiO 2 나노도트 배열 박막과 PbO 증기를 반응시켜 생성한 PbTiO 3 나노도트를 이용한 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 절연물질로 이루어진 기판, 기판 상면에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상면의 일부 영역에 구 형상으로 형성된 나노도트, 나노도트 표면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 나아가, 구 형상으로 형성된 나노도트는 PbTiO 3 로 이루어지는 것을 특징으로 하며, Pb(ZrTi)TiO 3 또는 BiTiO 3 로 형성할 수 있다. 이 나노도트는 하부 전극 상면에 점 접촉하는 것을 특징으로 한다. 나아가, 본 발명에 따른 강유전체 나노도트 소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 기판 상면에 하부 전극을 형성하는 단계, 공중합체(Copolymer) 용액과 졸겔(Sol-gel) 용액을 혼합해 솔루션 용액을 형성하는 단계, 솔루션 용액을 하부 전극 상면에 도포하고, 교질 입자 박막을 형성하는 단계, 교질 입자 박막이 증착된 기판을 건조하고, 템플레이트를 제거하여, TiO 2 나노도트를 형성하는 단계 , 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 템플레이가 제거된 TiO 2 나노도트 배열 박막에서 PbTiO 3 나노도트를 형성하는 단계 및 PbTiO 3 나노도트 상면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 마스터 몰드에 의해 음각이나 양각의 단일 패턴 또는 다단 패턴(Multi-Level)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계, 패턴이 형성된 마스터 몰드에 고분자 화합물 레진을 도포하는 단계, 고분자 화합물 레진의 상부에 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film)을 부착하는 단계, 고분자 화합물 레진을 경화하는 단계, 경화된 고분자 화합물 레진을 마스터 몰드에서 분리하여 패턴이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 취득하는 단계 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머를 증착하여 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 나아가, 본 발명에 따른 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극은 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film), 후면 지지 필름의 상부에 음각 또는 양각의 패턴(Pattern)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 표면에 형성된 전도성 폴리머층을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A 3D electrode using a polymer pillar structure and a manufacturing method thereof are provided to simplify a pattern manufacturing process by using a master mold for manufacturing a single pattern or multilevel pattern. CONSTITUTION: A rear support film(203) is attached to the upper side of a polymer compound resin. The polymer compound resin is cured. A polymer compound pillar structure(202a) with a pattern is obtained by separating the cured polymer compound resin from the master mold. A conductive polymer(205) is deposited on the surface of the polymer compound pillar structure. A 3D electrode of the polymer compound pillar structure is formed.
Abstract:
PURPOSE: A ferroelectric nano dot device and a manufacturing method thereof are provided to improve storage density by forming a small cell using a PbTiO3 nano dot. CONSTITUTION: A substrate is made of insulating materials. A bottom electrode(102) is formed on the upper side of the substrate. A ferroelectric nano dot is formed on a part of the upper side of the bottom electrode with a spherical shape. The ferroelectric nano dot includes a top electrode(202) and is made of PbTiO3.