아세트산납이 내부에 충진된 이산화티탄 나노튜브, 이산화티탄 나노튜브 내부에 아세트산납을 충진하는 방법 및 강유전체 나노튜브 소자 제조방법
    2.
    发明公开
    아세트산납이 내부에 충진된 이산화티탄 나노튜브, 이산화티탄 나노튜브 내부에 아세트산납을 충진하는 방법 및 강유전체 나노튜브 소자 제조방법 有权
    用铅酸乙酯填充的TIO2纳米管,用铅填充TIO2纳米管的方法和制造电磁纳米管阵列的方法

    公开(公告)号:KR1020130023657A

    公开(公告)日:2013-03-08

    申请号:KR1020110086590

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: B82B3/0038 B82Y40/00 C01G23/047 C01P2004/13

    Abstract: PURPOSE: A method to fill lead acetate in a titanium dioxide(TiO2) nanotube is provided to easily fill the lead acetate into the TiO2 nanotube by immersing the TiO2 nanotube which is self-aligned into a lead acetate solution, or by dropping the lead acetate solution on the TiO2 nanotube. CONSTITUTION: A TiO2 nanotube(300) filled with lead acetate inside is composed of the TiO2 nanotube and the lead acetate. The TiO2 nanotube grows vertically by being anodized on a titanium(Ti) sheet(110). A lead acetate filling method includes a step of dropping a lead acetate solution on the TiO2 nanotube, and drying the TiO2 nanotube. A ferroelectric nanotube element manufacturing method includes following steps; the anodized TiO2 nanotube is prepared; the lead acetate is filled in the TiO2 nanotube; and a lead titanate nanotube is formed by depositing PbO on the TiO2 nanotube filled with the lead acetate.

    Abstract translation: 目的:提供一种填充二氧化钛(TiO2)纳米管中的乙酸铅的方法,通过将自对准的TiO 2纳米管浸入乙酸铅溶液中,或通过滴加乙酸铅,轻松将乙酸铅填充到TiO2纳米管中 溶液在TiO2纳米管上。 构成:填充有醋酸铅的TiO2纳米管(300)由TiO2纳米管和乙酸铅组成。 通过在钛(Ti)片(110)上阳极氧化,TiO 2纳米管垂直生长。 醋酸铅填充方法包括将乙酸铅溶液滴加到TiO 2纳米管上并干燥TiO 2纳米管的步骤。 铁电纳米管元件的制造方法包括以下步骤: 制备阳极氧化TiO2纳米管; 醋酸铅填充在TiO2纳米管中; 并且通过在填充有乙酸铅的TiO 2纳米管上沉积PbO来形成钛酸铅纳米管。

    강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법
    3.
    发明授权
    강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법 失效
    铁电纳米点阵列及其制造方法

    公开(公告)号:KR101231564B1

    公开(公告)日:2013-02-15

    申请号:KR1020110024685

    申请日:2011-03-21

    Abstract: 본 발명은 TiO
    2 나노도트 배열 박막과 PbO 증기를 반응시켜 생성한 PbTiO
    3
    나노도트를 이용한 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 절연물질로 이루어진 기판, 기판 상면에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상면의 일부 영역에 구 형상으로 형성된 나노도트, 나노도트 표면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
    나아가, 구 형상으로 형성된 나노도트는 PbTiO
    3 로 이루어지는 것을 특징으로 하며, Pb(ZrTi)TiO
    3 또는 BiTiO
    3 로 형성할 수 있다. 이 나노도트는 하부 전극 상면에 점 접촉하는 것을 특징으로 한다.
    나아가, 본 발명에 따른 강유전체 나노도트 소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 기판 상면에 하부 전극을 형성하는 단계, 공중합체(Copolymer) 용액과 졸겔(Sol-gel) 용액을 혼합해 솔루션 용액을 형성하는 단계, 솔루션 용액을 하부 전극 상면에 도포하고, 교질 입자 박막을 형성하는 단계, 교질 입자 박막이 증착된 기판을 건조하고, 템플레이트를 제거하여, TiO
    2
    나노도트를 형성하는 단계
    , 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 템플레이가 제거된 TiO
    2
    나노도트 배열 박막에서 PbTiO
    3 나노도트를 형성하는 단계 및 PbTiO
    3 나노도트 상면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법 有权
    使用聚氨酯丙烯酸酯支柱的三维电极及其制造方法

    公开(公告)号:KR101251344B1

    公开(公告)日:2013-04-05

    申请号:KR1020110076965

    申请日:2011-08-02

    Abstract: 본 발명은 마스터 몰드에 의해 음각이나 양각의 단일 패턴 또는 다단 패턴(Multi-Level)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계, 패턴이 형성된 마스터 몰드에 고분자 화합물 레진을 도포하는 단계, 고분자 화합물 레진의 상부에 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film)을 부착하는 단계, 고분자 화합물 레진을 경화하는 단계, 경화된 고분자 화합물 레진을 마스터 몰드에서 분리하여 패턴이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 취득하는 단계 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머를 증착하여 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    나아가, 본 발명에 따른 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극은 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film), 후면 지지 필름의 상부에 음각 또는 양각의 패턴(Pattern)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 표면에 형성된 전도성 폴리머층을 포함한다.

    고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법 有权
    使用聚氨酯丙烯酸酯支架的三维电极及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130015128A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:KR1020110076965

    申请日:2011-08-02

    Abstract: PURPOSE: A 3D electrode using a polymer pillar structure and a manufacturing method thereof are provided to simplify a pattern manufacturing process by using a master mold for manufacturing a single pattern or multilevel pattern. CONSTITUTION: A rear support film(203) is attached to the upper side of a polymer compound resin. The polymer compound resin is cured. A polymer compound pillar structure(202a) with a pattern is obtained by separating the cured polymer compound resin from the master mold. A conductive polymer(205) is deposited on the surface of the polymer compound pillar structure. A 3D electrode of the polymer compound pillar structure is formed.

    Abstract translation: 目的:提供使用聚合物柱结构的3D电极及其制造方法,以通过使用用于制造单一图案或多层图案的母模来简化图案制造工艺。 构成:后支撑膜(203)附着在高分子化合物树脂的上侧。 高分子化合物树脂固化。 通过将固化的聚合物复合树脂与母模分离,得到具有图案的聚合物复合柱结构(202a)。 导电聚合物(205)沉积在聚合物复合柱结构的表面上。 形成高分子化合物柱结构的3D电极。

    강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법
    6.
    发明公开
    강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법 失效
    电磁纳米阵列及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120107166A

    公开(公告)日:2012-10-02

    申请号:KR1020110024685

    申请日:2011-03-21

    Abstract: PURPOSE: A ferroelectric nano dot device and a manufacturing method thereof are provided to improve storage density by forming a small cell using a PbTiO3 nano dot. CONSTITUTION: A substrate is made of insulating materials. A bottom electrode(102) is formed on the upper side of the substrate. A ferroelectric nano dot is formed on a part of the upper side of the bottom electrode with a spherical shape. The ferroelectric nano dot includes a top electrode(202) and is made of PbTiO3.

    Abstract translation: 目的:提供一种铁电纳米点器件及其制造方法,通过使用PbTiO3纳米点形成小电池来提高存储密度。 构成:基材由绝缘材料制成。 底部电极(102)形成在基板的上侧。 铁电纳米点形成在底部电极的上侧的一部分上,具有球形。 铁电纳米点包括顶电极(202),并由PbTiO 3制成。

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