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公开(公告)号：KR1020160081376A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140195131
申请日：2014-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 질화물반도체발광소자가개시된다. 본발명에서는, 결함완화층의하부또는, 결함완화층의내부에 AlN 또는 AlGaN으로구성되는삽입층이배치되어결정결함의진행을차단한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体发光器件。 在本发明中，由AlN或AlGaN构成的插入层设置在缺陷缓和层的下部或缺陷缓和层的内部，以阻止晶体缺陷的进行。 氮化物半导体发光器件包括：衬底的上部的缓冲层; 氮化物半导体层，设置在所述缓冲层的上部，并且以预定的第一温度生长; 所述缺陷弛豫层设置在所述缓冲层和所述氮化物半导体层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行; 并且所述插入层设置在所述缓冲层和所述缺陷弛豫层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行。
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公开(公告)号：KR101617525B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150134842A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140062159
申请日：2014-05-23
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 GaN 박막을포함한이종기판에에피층을성장시킴으로써, 버퍼를개재시키지않은상태에서에피층을형성할수 있으므로, 결정성이향상되며, 저렴하게제작할수 있는 GaN 박막을포함한이종기판, 이의제조방법, 이를구비하는발광소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 측면에따른 GaN 박막을포함한이종기판은, 이종기판인베이스기판; 및상기베이스기판의적어도일면에서로이격되어형성되는다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막으로이루어지는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有GaN薄膜的异质衬底，其制造方法，包括该GaN薄膜的发光器件及其制造方法。 可以通过在包括GaN薄膜的异质衬底上形成外延层来形成外延层而不插入缓冲层，从而提高结晶度。 外延层可以低成本制造。 根据本发明的一个方面的具有GaN薄膜的异质衬底包括：作为异质衬底的基底衬底; 和氮化镓（GaN）薄膜，其在基底基板的至少一个表面上彼此分离。
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公开(公告)号：KR1020150123034A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/38 , H01L33/0066 , H01L33/12
Abstract: 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。 本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3） 并在第一温度下加热硅基片，同时在反应炉中均匀加入氢，TMA和NH_3。
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公开(公告)号：KR101562928B1
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140054577
申请日：2014-05-08
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/08
Abstract: 본발명은기판양면에에피구조를성장시켜발광출력을향상시킬수 있으며, 단일의발광다이오드를사용하여이중발광스펙트럼을구현할수 있는발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른발광다이오드는, 기판의일면에형성되며, 공급되는전자및 정공의재결합에따라생성되며, 제 1 스펙트럼을갖는제 1 광을출력하는제 1 에피층; 및상기기판의타면에형성되며, 상기제 1 광의일부를흡수하여, 제 2 스펙트럼을갖는제 2 광을출력하는제 2 에피층으로구성된다.
Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，其能够通过使用单个发光二极管实现双重发光光谱，并且通过在基板的两侧生长外延结构来提高发光输出。 根据本发明的实施例的发光二极管包括通过电子和被供应的孔的复合而形成在衬底的一侧上的第一外延层，并且输出具有第一光谱的第一光 ; 并且形成在所述基板的另一侧上的第二外延层部分地吸收所述第一光，并输出具有第二光谱的第二光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101494331B1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130153661
申请日：2013-12-11
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 개시(Disclosure)는 전류 확산 특성을 개선하는 전극구조를 가지는 플립 칩 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 개시의 일 실시형태에 따른 플립 칩 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 위에 적층되며, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 광자를 생성하는 활성층; 상기 제2 반도체층 위에 형성되며, 서로 전기적으로 절연되도록 형성되며, 각각 상기 제1,2 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1,2 전극영역; 및 상기 제2 반도체층 및 상기 활성층의 관통하여 상기 제1 반도체층에 이르도록 형성되며, 상기 제1 전극영역과 상기 제1 반도체층을 전기적으로 접속시키는 복수의 비아홀;로서, 상기 제1 전극영역 내에 위치되는 적어도 하나의 제1 비아홀;과 상기 제1 전극영역 바깥에 위치되는 적어도 하나의 제2 비아홀;을 가지는 복수의 비아홀;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及倒装芯片型氮化物半导体发光器件。 所公开的涉及具有改善的电流扩散特性的电极结构的倒装芯片型氮化物半导体发光器件。 根据本发明的实施例，倒装芯片型氮化物半导体发光器件包括：具有第一导电性的第一半导体层; 具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层; 有源层，其设置在第一和第二半导体层之间，并通过将电子与孔重新组合而产生光子; 第一和第二电极区域，形成在第二半导体层上，被形成为彼此电绝缘并分别与第一和第二半导体层电连接; 通过穿透第二半导体层和有源层而形成为到达第一半导体的多个通孔，电连接第一电极区域和第一半导体层，并且包括至少一个位于第一半导体层内的第一通孔 电极和位于第一电极区域外部的至少一个第二通孔。
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公开(公告)号：KR101493354B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130113707
申请日：2013-09-25
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 기판의 양면에 에피 구조를 성장할 수 있도록 양면이 폴리싱된 기판을 사용하여 발광 출력의 향상과 이중 발광 스펙트럼을 제공하는 발광 다이오드 장치 및 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 본 발명은 부도체 기판; 상기 부도체 기판의 일측면에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 제 1 반도체층과, 제 1 활성층과, 제 3 반도체층을 형성한 제 1 에피 구조부; 상기 부도체 기판의 타측면에 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 제 2 반도체층과, 제 2 활성층과, 제 4 반도체층을 형성한 제 2 에피 구조부; 상기 제 1 에피 구조부의 제 1 및 제 3 반도체층에 형성한 제 1 전극과 제 3 전극; 및 상기 제 2 에피 구조부의 제 2 및 제 4 반도체층에 형성한 제 2 전극과 제 4 전극을 포함한다. 따라서 본 발명은 기판의 양면에 에피 구조를 성장할 수 있도록 양면이 폴리싱된 기판을 사용하여 발광 출력의 향상과 이중 발광 스펙트럼을 제공할 수 있으며, 기판의 앞면은 MOCVD를 이용하여 에피 구조를 성장시키고, 앞면에 성장된 에피 구조가 열화되는 것을 방지할 수 있도록 배면은 MBE를 이용하여 에피 구조를 성장시킴으로써 발광 다이오드의 불량률을 감소시켜 제조 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种发光二极管装置及其制造方法。 发光二极管改善了发光输出，并且通过使用其两侧被抛光的衬底以在衬底的两侧上生长外延结构来提供双重发光光谱。 为此，发光二极管装置包括：绝缘基板; 通过使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在衬底的一个表面上形成第一半导体层，第一有源层和第三半导体层的第一外延结构; 通过使用分子束外延（MBE）在衬底的另一个表面上形成第二半导体层，第二有源层和第四半导体层的第二外延结构; 形成在第一外延结构的第一和第三半导体层上的第一电极和第三电极; 以及形成在第二外延结构的第二和第四半导体层上的第二电极和第四电极。 因此，根据本发明，可以提高发光输出，并且可以通过使用其两侧被抛光的基板来提供双重发光光谱，以便在两侧的外观上生长外延结构 基质。 此外，通过使用MOCVD在外壳结构生长在基板的前表面上，并且通过使用MBE在基板的后表面上生长外延结构，以便防止在前表面上生长的外延结构 不被恶化 因此，可以减少缺陷率，提高制造效率。
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公开(公告)号：KR101455798B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130030821
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, p형 반사성 콘택층(110)과; 상기 p형 반사성 콘택층(110) 상부에 형성된 p형 질화물층(120)과; 상기 p형 질화물층(120) 상부에 형성된 활성층(130)과; 상기 활성층(130) 상부에 형성된 n형 질화물층(140)과; 금속 나노입자(151)를 포함한 절연층(152)에 의해 절연이 이루어져 상기 p형 반사성 콘택층(110), p형 질화물층(120) 및 활성층(130)을 관통하여 선단부가 상기 n형 질화물층(140)과 콘택이 이루어지도록 마련되는 n형 전극(153)을 갖는 플라즈몬 발생부(150);를 포함하여, 수직형 질화물 발광소자에서 국부적인 플라즈몬 공명(Plasmon Resonance) 효과에 의한 발광효율을 높일 수가 있으며, 또한 출광면에 광 추출효율에 불리한 전극 배치구조를 배제하여 발광효율을 더욱 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101373101B1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020120126848
申请日：2012-11-09
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/14
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device including a plasmon layer. The method includes the steps of: forming a lamination having at least one layer on a substrate; and forming a first plasmon layer on the lamination, wherein the first plasmon layer is in situ deposited in an MOCVD device after the topmost layer of the lamination is formed. In addition, an active layer is in situ deposited on the first plasmon layer in the MOCVD device, and sequentially, a second plasmon layer is in situ deposited on the active layer in the MOCVD device. The first and second plasmon layers are formed using an MO source containing silver thus can be in situ deposited on other semiconductor layers, whereby multiple plasmon layers can be efficiently formed. [Reference numerals] (100) Substrate; (200) Buffer layer; (300) First semiconductor layer; (310) N-type contact layer; (320) N-type plasmon layer; (410) First plasmon layer; (420) Third plasmon layer; (500) Active layer; (600) Second semiconductor layer; (610) P-type clad layer; (620) P-type contact layer; (700) N-type electrode; (800) P-type electrode
Abstract translation: 公开了一种制造包括等离子体激元层的半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上形成具有至少一层的层压体; 以及在所述层压上形成第一等离子体膜层，其中在形成所述层压的最上层之后，所述第一等离子体膜层原位沉积在MOCVD装置中。 此外，活性层原位沉积在MOCVD器件中的第一等离子体膜层上，并且顺序地，第二等离子体膜原位沉积在MOCVD器件的有源层上。 使用包含银的MO源形成第一和第二等离子体层，因此可原位沉积在其它半导体层上，由此可以有效地形成多个等离子体层。 （附图标记）（100）基板; （200）缓冲层; （300）第一半导体层; （310）N型接触层; （320）N型等离子体膜层; （410）第一等离子体膜层; （420）第三等离子体层; （500）活性层; （600）第二半导体层; （610）P型覆层; （620）P型接触层; （700）N型电极; （800）P型电极
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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR20190109381
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 라운드형발광소자를개시한다. 본발명은 n형반도체층, 활성층, p형반도체층으로구성된에피구조체를포함하고, 상기에피구조체는적어도하나의모서리가일정크기의반지름을갖도록둥글게제거된것을특징으로한다.
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