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公开(公告)号：KR100199007B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960021611
申请日：1996-06-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법에 관한 것으로서, 설계 규칙이 0.25㎛ 또는 그 이하가 되는 소자 제조기술에서 사용될 소자 격리 방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 기술에서 트랜치를 사용한 구조에서의 문제가 될 수 있는 폭이 넓이 영역의 트랜치 형성 및 채우기를 해결하기 위해, 실리콘 기판 위에 열산화막을 성장시키고, 제1질화막을 증착하고 산화질화막을 형성하고, 그 위에 제2질화막을 증착하고, 활성영역을 형성하기 위해 사진식각 공정을 거쳐 건식식각하는 제1공정과, 산화막을 증착하고 그 산화막을 과도비등방성 건식식각하여 산화막 스페이서를 형성하는 제2공정과, 얇은 열산화막을 성장하고 질화막을 덮고 비등방성 건식식각하여 질화막 스페이서를 형성하는 제3공정과, 제1필드산화막을 성장하고 제2질화막과 질화막 페이서를 습식식각하는 제4공정과, 실리콘 기판을 파서 트랜치를 형성하고 얇은 열산화막을 성장하고 CVD 법으로 산화막을 증착하는 제5공정과, 증착된 산화막을 등방� �� 건식 또는 비등방성 습식하는 제6공정과, 두께가 상대적으로 작은 미니 필드산화막을 성장하는 제7공정으로 이루어진 것이다.-
公开(公告)号：KR1019980083547A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970018894
申请日：1997-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 종래의 실리콘 채널로 만들어지는 MOS 트랜지스터와는 달리 실리콘 게르마늄 전도 채널을 갖는 MOS 트랜지스터의 구조에 관한 것으로, 게이트 산화막의 하단 채널 영역에 실리콘 게르마늄층, 델타 도핑층, 콘트롤층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 실리콘 게르마늄 전도 채널을 갖는 MOS 트랜지스터는 채널 영역의 불순물 분포와 물질의 변화에 의해 결정되는 에너지 밴드 구조에 의해 델타 도핑층에 초기에 주입된 불순물이 소자의 단자에 인가되는 전압 조건에 따라 표면에 갇히게 되며, 이로써 불순물 산란 현상이 없는 전도 채널이 형성되어 소자의 동작 속도를 증가시키는 효과가 있으며, 또한 델타 도핑층 하단의 콘트롤층의 두께와 불순물 도핑 정도에 따라 문턱 전압, 스윙, 디아이비엘 등과 같은 소자의 주요 특성을 쉽게 조정할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100155304B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940036339
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 전기적 특성을 향상시킨 새로운 구조의 박막 트랜지스터 및 이를 구현하기 위한 제조방법에 관한 것으로서, 진성 다결정 실리콘(20)과 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)은 화학기상증착법을 이용하여 비정질 실리콘 박막(201), 비정질 실리콘 저마늄 박막(211), 비정질 실리콘 박막(202)을 순차적으로 증착한 후 600℃ 이하의 온도에서 전기로 열처리에 의한 고상결정화나, 600℃이상의 온도에서 급속 열처리로 결정핵을 생성한 후 600℃이하의 전기로에서 결정립을 성장시키는 공정에 의해 제조된다.
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公开(公告)号：KR1019950002954B1
公开(公告)日：1995-03-28
申请号：KR1019920009980
申请日：1992-06-09
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
Abstract: The method includes the steps of forming a first metal layer (12) and a pillar metal layer (13) on a Si substrate (11) to pattern the layer (13) to form a pillar metal (14), patterning the layer (12) to form a first metal pattern (15), forming an interlayered insulating layer (16) thereon to deposit a photoresist (17) on the film (16), etching the film (17) to form an opening part (18) an the film (16), etching the films (17A,16) to expose the pillar metal (14), and forming a second metal pattern (19) thereon, thereby using a flattening process to protect the field portion of the film (16).
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在Si衬底（11）上形成第一金属层（12）和柱金属层（13）以图案化层（13）以形成柱金属（14），使层（12 ）以形成第一金属图案（15），在其上形成层间绝缘层（16）以在膜（16）上沉积光致抗蚀剂（17），蚀刻膜（17）以形成开口部分（18） 薄膜（16），蚀刻薄膜（17A，16）以暴露柱状金属（14），并在其上形成第二金属图案（19），由此使用平坦化工艺来保护薄膜（16）的场部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940010644B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910022922
申请日：1991-12-13
IPC: H01L21/66
Abstract: The apparatus for screening energy gap of semiconductor material using an image processing system comprises a polychromator (3) for projecting the spectrum of light on a sample (4) through a lens (2), optical filters (5) for passing the image of transmission spectrum according to specific wave lengths, an image device (6) for converting image made of the corresponding filter's wave length to analog electrical signal, an image processing system (7) for converting digital signal and memorizing it an energy gap access & display device (8) for deciding function relation between pixel coordinates value and wave length.
Abstract translation: 用于使用图像处理系统筛选半导体材料的能隙的装置包括用于通过透镜（2）将样品（4）投射光谱的多色体（3），用于使透射图像通过的滤光器（5） 根据特定波长的光谱，用于将由相应滤波器的波长构成的图像转换为模拟电信号的图像装置（6），用于转换数字信号并将其存储的能量空间访问和显示装置（7）的图像处理系统（7） 8）用于决定像素坐标值和波长之间的函数关系。
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公开(公告)号：KR1019940002734B1
公开(公告)日：1994-03-31
申请号：KR1019900021805
申请日：1990-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
CPC classification number: G03F7/70691
Abstract: A wafer moving equipment, attached to a horizontal moving stage, is composed of (A) a hinge spring (11) of a rotation center connecting with a displacement enlarging part, (B) a displacement enlarging part for rotating a piezoelectric elongating element vertically, (C) a tilting equipment for assembling the hinge spring, the elongating element and the displacement enlarging part with 180o gap, and (D) a guiding component by assembling the same components of (C) at 90o angle to the moving direction.
Abstract translation: 安装在水平移动台上的晶片移动设备由（A）与位移放大部分连接的旋转中心的铰链弹簧（11）组成，（B）用于使压电伸长元件垂直地旋转的位移放大部分， （C）用于组装铰链弹簧，延伸元件和具有180°间隙的位移扩大部分的倾斜设备，以及（D）通过将（C）相同的部件（90）相对于移动方向组装的导向部件。
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公开(公告)号：KR1019930022473A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920005999
申请日：1992-04-10
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로 실리콘기판(1)상에 있고 층간절연막(4)으로 격리되어 있는 제1차 금속층(2)과 제2차 금속층(6)사이의 전기적 접촉을 위한 필라(3)의 전면까지 식각하는 평탄화공정을 포함한 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 필라(3)를 덮고있는 상기 층간절연막(4)사에 마스크로 소정패턴의 포토레지스트(5a)를 형성한 다음 상기 층간절연막(4)을 선택적 식각하여 상기 필라(3)위에 상기 개구부를 형성하는 공정과, 상기 포토페지스트(5a)를 제거한 다음 평찬화용 포토레지스트(5b)를 도포하는 공정 및. 상기 평찬화용 포토레지스트(5b)및 상기 충간절연막(4)을 상기 필라(3)의 전면까지 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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