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公开(公告)号：KR1020070059816A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060014685
申请日：2006-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/026 , H01S5/0262 , H01S5/0265 , H01S5/1014 , H01S5/22 , H01S5/50
Abstract: An optically boosted electro-absorption duplexer is provided to realize a base station at low cost by performing monolithic integration through general photolithography, dry etching, and selective wet etching without using a selective area growth or butt-joint coupling method. An optically boosted electro-absorption duplexer includes a substrate(120E). A separation area(100) is formed with a first epitaxial layer composed of at least one material layer on the substrate(120E). The separation area(100) includes a first optical waveguide(100W). A photo-detecting modulating unit(200) is formed with a second epitaxial layer composed of at least one material layer on the first epitaxial layer. The photo-detecting modulating unit(200) detects and modulates an optical signal and includes a second optical waveguide(300W). An optical amplifying unit(300) is formed with a third epitaxial layer composed of at least one material layer on the second epitaxial layer. The optical amplifying unit(300) amplifies the optical signal and includes the second optical waveguide(300W) and a third optical waveguide(500W). The optical amplifying unit(300) and the photo-detecting modulating unit(200) are electrically separated from each other at the separation area(100). The optical amplifying unit(300) is formed on at least one side of the photo-detecting modulating unit(200).
Abstract translation: 提供一种光学增强的电吸收双工器，以通过通常的光刻，干法蚀刻和选择性湿法蚀刻而不使用选择性区域生长或对接耦合方法来实现低成本的基站。 光学增强的电吸收双工器包括基板（120E）。 分离区（100）形成有由衬底（120E）上的至少一个材料层构成的第一外延层。 分离区域（100）包括第一光波导（100W）。 光检测调制单元（200）形成有由第一外延层上的至少一个材料层构成的第二外延层。 光检测调制单元（200）检测并调制光信号，并包括第二光波导（300W）。 光放大单元（300）形成有由第二外延层上的至少一个材料层构成的第三外延层。 光放大单元（300）放大光信号，并包括第二光波导（300W）和第三光波导（500W）。 光学放大单元（300）和光电检测调制单元（200）在分离区域（100）处彼此电分离。 光放大单元（300）形成在光检测调制单元（200）的至少一侧。
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公开(公告)号：KR100420950B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020010078658
申请日：2001-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/146 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/06256 , H01S5/1014
Abstract: A wavelength tunable laser light source necessary for a Wavelength Division Multiplexing (WDM)-based optical communication system, and more particularly, a wavelength tunable laser light source for maintaining a stable wavelength without a wavelength locker is provided. The wavelength tunable laser includes an optical fiber and a semiconductor device. The optical fiber can implement multiple reflection peaks. The semiconductor device includes a mode size converter section, a gain section and a DBR mirror section. One facet of the semiconductor device, which is adjacent to the optical fiber, has an antireflection coating layer. Therefore, the wavelength tunable laser based on an optical fiber containing multiple reflection peaks can maintain excellent wavelength stability insensitive to current injection, temperature, and environments without a wavelength locker.
Abstract translation: 提供了基于波分复用（WDM）的光通信系统所需的波长可调激光源，更具体地，提供了一种波长可调激光源，用于在没有波长锁定器的情况下保持稳定的波长。 波长可调激光器包括光纤和半导体器件。 光纤可以实现多个反射峰。 该半导体器件包括模式大小转换器部分，增益部分和DBR反射镜部分。 与光纤相邻的半导体器件的一个面具有抗反射涂层。 因此，基于包含多个反射峰的光纤的波长可调谐激光器可以保持对电流注入，温度以及没有波长锁定器的环境不敏感的优异的波长稳定性。
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公开(公告)号：KR100171020B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950054543
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H9/00
Abstract: 본 발명은 변형된 오픈 스터브-선 고온초전도 9-극 저역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 양측 모서리에 형성된 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입력단과 출력단 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 5개의 오픈스터브-선과 4개의 마이크로스트립-선으로 구성한 변형된 9-극 저역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 형성된 금속박막 접지평면을 포함 구성하여, 저역통과 필터의 극수를 9-극으로 증가시키는 반면, 회로패턴의 크기는 종전대로 15㎜×15㎜×0.5㎜t 로 함에 따라 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작아 평평도가 우수하고, 저지역대까지의 가파르기도 향상되어 저지대역을 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980083796A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970019248
申请日：1997-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P11/00
Abstract: 본 발명은, 마이크로파용 고온초전도 4-극 대역통과 필터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 초고주파 특성이 우수한 고온 초전도 에피택셜 박막 위에 실제로 설계 과정이나 소자 제조공정을 고려하여 마이크로스트립 폐루프형 공진기와 마이크로스트립 결합선을 집적하는 방식으로 구현하고, 저온 마이크로파 특성에 영향을 주지 않기 위해 입출력단에 금속 패드를 증착하며, 초전도성의 열화가 유도되는 것을 방지하기 위해 습식 식각 보다 건식 식각에 치중하는 식각 방식을 포함하는 고온 초전도 대역통과 필터 및 그 제조 방법이며, 신호를 거의 손실없이 통과시키고, 통과대역 양단의 저지대역에서는 스커트(skirt) 특성이 좋아서 효과적인 신호 전송 저지 기능과 잡음 제거 기능이 있다.
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公开(公告)号：KR100146557B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950017177
申请日：1995-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H7/00
Abstract: 본 발명은 마이크로스트립 오픈 스터브선 방식의 고온초전도 9-극 저역통과 필터에 관한 것으로서, 마이크로파 특성이 우수한 단결정기판과, 상기 단결정기판 상부의 일측 모서리에 형성된 신호 전송용 입력단과, 상기 단결정기판 상부의 신호 전송용 입력단이 형성된 일측 모서리의 반대인 타측 모서리에 형성된 신호 전송용 출력단과, 상기 단결정기판 상부의 상기 입력단과 출력단 사이에 신호의 진행 방향과 수직으로 형성되어 신호를 필터링하는 5개의 마이크로스트립 오픈 스터브선과, 상기 오프 스터브선과 수직을 이루도록 형성된 4개의 마이크로스트립으로 구성된 필터 패턴과, 상기 단결정기판의 하부에 형성된 접지평면(Ti/Ag)판을 포함한다.
따라서, 필터 패턴의 극수가 증가되므로 통과 대역에서의 맥류 진폭도 0.02dB 이내로 감소되어 통과대역에서의 편평도를 향상시킬 수 있으며, 또한, 저지대역까지의 스커트 특성 향상과 저지대역을 증가시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054902A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950056725
申请日：1995-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 마이크로파와 밀리미터파의 측정을 위한 진공용 동축 커넥터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 진공용 동축커넥터에 있어서, 케이블을 특정하고자 하는 시료를 연결할 수 있으며 냉각 부분인 시료 장착 위치를 중앙이 가지고 있는 진공을 만들기 위한 외형 원주형 금속벽인 진공챔버와, 밀리미터파 대역까지 사용가능한 제1V-형 숫 연결수단과 커넥터를 상기 진공쳄버에 부착시키는 판으로서 진공을 만들기 위해 평면도가 매우 좋은 제1지지수단과, 상기 제1지지수단과 연결시키는 연결나사의 나사구멍이 있으며 상기 측정용 진공챔버에 삽입할 때에 동축 커넥터가 회전하는 것을 방지하기 위해 V-커넥터 케이블과 유사한 육각형태로 만든 나사인 회전방지용 제2지지수단과, 상기 제1V-형 숫커넥터와 상기 동축 케이블을 연결시키는 미리지드 케이블 및 상기 동축 케이블에 연결되며 밀리미터파 대역까지 사용가능한 제2V-형 숫연결수단을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파 소자에 대해 DC∼60 GHz까지의 초고주파 대역뿐만 아니라 극저온까지의 전송특성 평가에도 유용하며, 계측용 진공장치(cryostat)에 부착하여 사용하면 우수한 고주파 전송특성도 얻을 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970004301A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019950017177
申请日：1995-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H7/00
Abstract: 본 발명은 마이크로스트립 오픈 스터브선 방식의 고온초전도 9-극 저역 통과필터에 관한 것으로서, 마이크로파 특성이 우수한 단결정기판과, 상기 단결정기판 상부의 일측 모서리에 형성된 신호 전송용 입력단과, 상기 단결정기판 상부의 신호 전송용 입력단이 형성된 일측 모서리의 반대인 타측 모서리에 형성된 신호 전송용출력단과, 상기 단결정기판 상부의 상기 입력단과 출력단 사이에 신호의 진행 방향과 수직으로 형성되어 신호를 전송하는 5개의 마이크로 스트립 오픈 스터브와, 상기 오프 스터브 사이에 수직을 이루도록 형성된 4개의 마이크로 스트립으로 형성된 필터 패턴과, 상기 단결정기판의 하부에 형성된 접지판을 포함한다.
따라서, 필터 패턴의 극수가 증가되므로 통과 대역에서의 맥류 진폭이 0.02dB 이내로 감소되어 통과대역에서의 편평도를 향상시킬 수 있으며, 또한, 저지대역에서 스커트 특성 향상과 저지대역을 가파르게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101306913B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020090134517
申请日：2009-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/541
Abstract: 태양 전지가 제공된다. 태양 전지는 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 광전 변환층, 광전 변환층의 제1 면과 연결된 제1 전극, 광전 변환층의 제2 면과 연결된 제2 전극 및 제1 전극 및 제2 전극 중에서 어느 하나의 전극과 접촉하는 알카리 금속 함유막을 포함하고 있다.
태양 전지, 알카리 금속, 광전 효율-
公开(公告)号：KR1020130041631A
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：KR1020110106020
申请日：2011-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/1884
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar cell is provided to form a transparent electrode and an intrinsic layer with different electric properties by a sputtering process using one target. CONSTITUTION: A bottom electrode is formed on a substrate. A light absorbing layer(30) is formed on the bottom electrode. A buffer layer(40) is formed on the light absorbing layer. A window layer(70) including an intrinsic layer and a transparent electrode with different electric properties is formed on the buffer layer. The intrinsic layer and the transparent electrode are formed by a sputtering process using one target made of metal oxide doped with metal impurities.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池的方法，以通过使用一个靶的溅射工艺形成具有不同电特性的透明电极和本征层。 构成：底部电极形成在基板上。 在底部电极上形成光吸收层（30）。 在光吸收层上形成缓冲层（40）。 在缓冲层上形成包括本征层和具有不同电特性的透明电极的窗口层（70）。 本征层和透明电极通过使用掺杂有金属杂质的金属氧化物制成的一个靶的溅射工艺形成。
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公开(公告)号：KR101245371B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020090055080
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/072 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 태양전지는 기판 상의 금속 전극층, 금속 전극층 상의 광흡수층, 광흡수층 상의 인듐 갈륨 질화막(In
X Ga
1-X N)을 포함하는 버퍼층 및 버퍼층 상의 투명 전극층을 포함한다.
버퍼층, 인듐 갈륨 질화막Abstract translation: 提供了一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括金属电极层，光吸收层，缓冲层和透明电极层。 金属电极层设置在基板上。 光吸收层设置在金属电极层上。 缓冲层设置在光吸收层上并包括氮化铟镓（In x Ga 1-x N）。 透明电极层设置在缓冲层上。
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