公开(公告)号：KR100734854B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐이산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐이산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR100734830B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR1020060093266A

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR100609699B1

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020040055096

申请日：2004-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  임용식 ,  김경옥 ,  맹성렬 ,  김성현

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 전이 반도체물질을 이용한 2단자 반도체 소자는, 제1 전극막과, 제1 전극막 위에 배치되는 2eV 이하의 에너지 갭과 정공 준위내의 정공을 갖는 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막과, 그리고 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막 위에 배치되는 제2 전극막을 구비한다. 이에 따르면 제1 전극막 및 제2 전극막 사이에 인가되는 전계에 의해 상기 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막에서는 구조적 상전이가 아닌 정공 도핑에 의한 급격한 금속-절연체 전이가 발생한다.
금속-절연체 전이, 반도체 소자, 온도센서, 광전센서, 메모리 소자

公开(公告)号：KR100576703B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020030074115

申请日：2003-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤두협 ,  맹성렬 ,  채병규 ,  강광용 ,  김현탁

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: 본 발명은 340 K(68 ℃) 부근에서 절연체로부터 금속으로의 상전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 가지는 VO
2 (Vanadium Dioxide) 박막을 채널 층 재료로 이용한 금속-절연체 상전이 스위칭 소자 제작에 관한 것이다. 이 트랜지스터는 실리콘 기판, 실리콘 기판위에 위치하는 바닥 게이트 방식의 게이트, 게이트 위에 위치하며 일정 전압 인가에 의하여 정공(hole)을 VO
2 박막에 유기시키고 열적으로 안정한 특성을 가지는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 위치한 VO
2 채널 층, 및 VO
2 채널 층 좌우에 전기적으로 연결된 소스(Source) 및 드레인(Drain)을 포함하고 있다. 그리고, 게이트에 높은 전압을 인가할 경우에 소자 내부에서 발생되는 열에 의하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지함으로써, 큰 전류 이득을 얻을 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 그리고 상기 구성을 갖는 제작된 트랜지스터의 IV 특성 측정에서 높은 전류 이득이 최초로 관측 되었다.
VO2 채널 층, 모트(mott) 전계효과 트랜지스터, 고 전류 이득형 트랜지스터, 열전도

公开(公告)号：KR1020050038834A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030074115

申请日：2003-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤두협 ,  맹성렬 ,  채병규 ,  강광용 ,  김현탁

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: 본 발명은 340 K(68 ℃) 부근에서 절연체로부터 금속으로의 상전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 가지는 VO
2 (Vanadium Dioxide) 박막을 채널 층 재료로 이용한 금속-절연체 상전이 스위칭 소자 제작에 관한 것이다. 이 트랜지스터는 실리콘 기판, 실리콘 기판위에 위치하는 바닥 게이트 방식의 게이트, 게이트 위에 위치하며 일정 전압 인가에 의하여 정공(hole)을 VO
2 박막에 유기시키고 열적으로 안정한 특성을 가지는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 위치한 VO
2 채널 층, 및 VO
2 채널 층 좌우에 전기적으로 연결된 소스(Source) 및 드레인(Drain)을 포함하고 있다. 그리고, 게이트에 높은 전압을 인가할 경우에 소자 내부에서 발생되는 열에 의하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지함으로써, 큰 전류 이득을 얻을 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 그리고 상기 구성을 갖는 제작된 트랜지스터의 IV 특성 측정에서 높은 전류 이득이 최초로 관측 되었다.

公开(公告)号：KR101772588B1

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020110124220

申请日：2011-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  박종찬

IPC: G08B17/06

CPC classification number: G08B17/06 ,  H01C1/02 ,  H01C7/047 ,  H01H37/32 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0647 ,  H01L49/003 ,  H02H9/045

Abstract: 본발명은클리어컴파운드에폭시로몰딩한 MIT 소자및 그것을포함하는화재감지장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른화재감지장치는전원제어장치로부터전원을공급받는다. 상기화재감지장치는 MIT 칩을클리어컴파운드에폭시로몰딩한 MIT 소자; 상기전원제어장치로부터전원을공급받고, 무극성전원을제공하기위한다이오드브릿지회로; 상기다이오드브릿지회로로부터무극성전원을공급받고, 상기 MIT 소자로부터의감지신호에응답하여화재경보를알리기위한표시회로; 및상기감지신호를일정기간동안유지하기위한안정화회로를포함한다.

公开(公告)号：KR101312267B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020090002731

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 본 발명은 종래의 써미스터 또는 트랜지스터의 문제점을 해결할 수 있는, 3 단자 써미스터 소자, 그 써미스터 소자를 포함한 써미스터-트랜지스터, 그 써미스터-트랜지스터를 이용한 전력 트랜지스터 발열 제어회로 및 그 발열 제어회로를 포함한 전력 시스템을 제공한다. 그 전력 트랜지스터 발열 제어회로는 온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터 소자 및 상기 써미스터 소자에 연결된 제어 트랜지스터를 구비한 써미스터-트랜지스터; 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력을 공급 및 제어하는 적어도 1개의 전력 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 전력 트랜지스터의 베이스나 게이트, 또는 컬렉터나 드레인에 연결되어, 상기 전력 트랜지스터의 온도 상승 시, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 전력 트랜지스터의 발열을 방지한다.
써미스터 칩 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR1020100073022A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020080131599

申请日：2008-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상국 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: H05K1/0201 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014

Abstract: PURPOSE: A power device package is provided to effectively prevent generation of a power device by using a small sized heat sink plate and an overheat preventing element which does not require replacement. CONSTITUTION: A signal applying terminal for applying a signal is formed in the adjacent to both sides in a longitudinal direction in a PCB(200). A power device(110) supplies power by being mounted in a specific region of the PCB. A MIT(Metal-Insulator Transition) device(150) controls the heat generation of a power device by being attached to the heat generating part of the power device. A cooling fin(300) is formed in one region of the upper part of the power device.

Abstract translation: 目的：提供功率器件封装，通过使用不需要更换的小型散热板和过热防止元件，有效防止发电装置的产生。 构成：用于施加信号的信号施加端子在PCB（200）中沿纵向的两侧相邻地形成。 功率器件（110）通过安装在PCB的特定区域来供电。 MIT（金属 - 绝缘体转换）装置（150）通过附接到电力装置的发热部分来控制电力装置的发热。 在功率器件的上部的一个区域中形成冷却翅片（300）。

公开(公告)号：KR1020100047606A

公开(公告)日：2010-05-10

申请号：KR1020080106581

申请日：2008-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김현탁

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01J21/10

Abstract: PURPOSE: A thermal cathode electron discharge vacuum channel transistor, a diode, and a method for manufacturing the vacuum channel transistor are provided to operate at a low voltage by discharging an electron from a cathode with a low operation voltage. CONSTITUTION: A micro heating unit(1020) with a thin film structure is formed on a basic substrate. A cathode with the thin film structure is separated from the center of the micro heating unit with a first space. A gate unit is formed on the upper side of both outer sides of the cathode unit. An anode unit is separated from the cathode with a second space through a spacer(1041) on the gate unit. A vacuum electron passage region is formed between the cathode unit and the anode unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造真空沟道晶体管的热阴极电子放电真空沟道晶体管，二极管和制造方法，通过以低工作电压从阴极放电而在低电压下工作。 构成：在碱性基材上形成具有薄膜结构的微加热单元（1020）。 具有薄膜结构的阴极具有第一空间与微加热单元的中心分离。 栅极单元形成在阴极单元的两个外侧的上侧。 阳极单元通过栅极单元上的间隔物（1041）从阴极与第二空间分离。 在阴极单元和阳极单元之间形成真空电子通过区域。