公开(公告)号：KR100452331B1

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：KR1020020062752

申请日：2002-10-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  박종문 ,  박건식 ,  강남석

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: An MIM(Metal/Insulator/Metal) emitter of field emission display and a method for manufacturing the same are provided to deposit an etch stopper on a tunneling insulation film of an MIM emitter through a simple process method. CONSTITUTION: A method for manufacturing an MIM(Metal/Insulator/Metal) emitter of field emission display comprises a step of patterning a lower electrode(116) on a substrate(110), a step of forming a tunneling insulation film(120) and a field insulation film(118) on the lower electrode, a step of forming an etch stopper(123) made of a ZnO thin film on the field insulation film and the tunneling insulation film, a step of etching a protection layer(126), a bus electrode(124), and a contact electrode(122) by forming the contact electrode, the bus electrode, and the protecting layer in order, a step of wet-etching the etch stopper, the contact electrode, the bus electrode, and the protecting layer as a mask, and a step of forming an upper electrode(128) on the tunneling insulation film.

Abstract translation: 目的：提供场发射显示器的MIM（金属/绝缘体/金属）发射体及其制造方法，以通过简单的工艺方法在MIM发射体的隧穿绝缘膜上沉积蚀刻停止层。 用于制造场致发射显示器的MIM（金属/绝缘体/金属）发射体的方法包括在衬底（110）上构图下电极（116）的步骤，形成隧穿绝缘膜（120）的步骤和 在下电极上的场绝缘膜118，在场绝缘膜和隧穿绝缘膜上形成由ZnO薄膜制成的蚀刻阻挡层123的步骤，蚀刻保护层126的步骤， 通过依次形成所述接触电极，所述总线电极和所述保护层，对所述蚀刻阻止层，所述接触电极，所述总线电极和所述总线电极进行湿法蚀刻的步骤，以及总线电极（124）和接触电极（122） 保护层作为掩模，以及在隧穿绝缘膜上形成上电极（128）的步骤。

公开(公告)号：KR100436776B1

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1020020002498

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  윤선진 ,  박상희 ,  이용의

IPC: G01R19/00

Abstract: PURPOSE: A sensor for detecting distribution of voltages is provided to reduce a size and improve the mobility by forming the sensor for detecting distribution of voltages with an electro-luminescent device. CONSTITUTION: A sensor(20) for detecting distribution of voltages is formed with an electro-luminescent device. The electro-luminescent device includes a transparent substrate(21), a transparent electrode(22), the first insulating layer(23), a phosphor layer(24), and the second insulating layer(25). The transparent electrode is formed on the transparent substrate. The first voltage is applied to the transparent electrode. The first insulating layer is formed on the transparent electrode. The phosphor layer is formed on the first insulating layer in order to radiate the light by a voltage difference between the first voltage and the second voltage. The second insulating layer is formed on the phosphor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测电压分布的传感器，以通过形成用于检测电致发光装置的电压分布的传感器来减小尺寸并提高移动性。 构成：利用电致发光装置形成用于检测电压分布的传感器（20）。 该电致发光装置包括透明基板（21），透明电极（22），第一绝缘层（23），荧光体层（24）和第二绝缘层（25）。 透明电极形成在透明基板上。 第一电压被施加到透明电极。 第一绝缘层形成在透明电极上。 荧光层形成在第一绝缘层上，以通过第一电压和第二电压之间的电压差来辐射光。 第二绝缘层形成在荧光层上。

公开(公告)号：KR100373320B1

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1019990061159

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  윤선진 ,  박상희

IPC: H05B33/22 ,  H01L33/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electroluminescent device is provided to improve brightness and lifetime of the device, by using an insulator which has high permittivity, guarantees stability regarding an electric field and prevents contamination by chlorine. CONSTITUTION: The first electrode, a lower insulating layer(3), a luminescent layer, an upper insulating layer(5) and the second electrode are sequentially stacked on a substrate(1). A Ta2O5 thin film is formed in at least one of the upper and lower insulating layers by using a reactive surface chemical vapor deposition method.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电致发光器件的方法，通过使用具有高介电常数的绝缘体来保证装置的亮度和寿命，确保电场稳定性并防止氯污染。 组成：第一电极，下绝缘层（3），发光层，上绝缘层（5）和第二电极顺序堆叠在基板（1）上。 通过使用反应表面化学气相沉积方法在上绝缘层和下绝缘层中的至少一个中形成Ta2O5薄膜。

公开(公告)号：KR1020020091571A

公开(公告)日：2002-12-06

申请号：KR1020010030361

申请日：2001-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진

IPC: C09K11/64

CPC classification number: C09K11/7731 ,  C09K11/565 ,  C09K11/643 ,  Y02B20/181

Abstract: PURPOSE: A fluorescent substance, its preparation method and an electroluminescence, cathodoluminescence and display device using the substance are provided, to improve the luminescence property and the crystallinity of the fluorescent substance. CONSTITUTION: The fluorescent substance comprises a body material comprising MS layer(110); 5 mol% or less of an Al2S3 thin film(120) which is formed in the body material by atom layer evaporation method and acts as flux; and a luminescence central ion X(130) (wherein X is a transition metal or a rare earth metal). In the MS, M is at least one selected from the group consisting of Ca, Sr, Zn, Ba and Mg. Preferably the Al2S3 forms MxAlySz in the body material to constitute the MxAlyXz:X structure, wherein x is 1-5; y is 2-4; z is 4-8. Preferably the MxAlyXz:X is CaAl2S4:Ce3+.

Abstract translation: 目的：提供荧光物质及其制备方法和使用该物质的电致发光，阴极发光和显示装置，以提高荧光物质的发光性能和结晶度。 构成：荧光物质包括包含MS层（110）的主体材料; 5mol％以下的Al 2 S 3薄膜（120），其通过原子层蒸镀法形成在体材中，作为助熔剂; 和发光中心离子X（130）（其中X是过渡金属或稀土金属）。 在MS中，M是选自Ca，Sr，Zn，Ba和Mg中的至少一种。 优选地，Al 2 S 3在体材料中形成M x AlyS z以构成M x Aly X z：X结构，其中x为1-5; y为2-4; z为4-8。 优选地，M x Aly X z：X是CaAl 2 S 4：Ce 3+。

公开(公告)号：KR100296981B1

公开(公告)日：2001-10-27

申请号：KR1019980041260

申请日：1998-09-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  윤선진 ,  박상희

IPC: H05B33/10

Abstract: 본 발명은 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 부가물 형태로 결합하여 안정화된 금속배위화합물을 전구체로 사용하여 원자층 증착법 또는 화학증착법으로 ⅡA, ⅢA, ⅢB(란타나이드계 원소포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 중성 리간드와 결합한 배위금속화합물은 통상적인 배위화합물에 비해 대기중에서 수분, 산소 등과 결합하여 변성될 확률이 매우 적고, 또한 표면 반응에 의해서만 진행되는 원자층 증착공정에서 균일도를 증가시키고, 재현성 있는 거동이 있었다. 그리고 리간드 자체는 반응챔버 내에서 반응온도이하에서 배위화합물 분자와 분해하여 반응에 직접 관여하지 않았다. 전자구게 역할을 하는 리간드(L)로는 비공유 전자쌍에 의해 배위화합물을 안정화 시킬 수 있는 아민그룹(NR
3 , R=hydrogen, methyl, ethyl, propyl), 디아민그룹(ethylenediamine,1,3-diaminopropane,1,2-diaminopropane), 트리아민그룹[N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine]을 포함한다. 또한, 상기한 방법을 활용하여 전계발광소자를 제조하는 방법을 포함한다. 실시예로서 형광층이 상, 하부 절연층으로 둘러싸인 이중절연구조 교류형 박막 CaS:Pb 청색 전계발광소자의 제조에서 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 결합한 배위금속화합물, Pb(thd)
2 -L(thd = 2,2',6,6'-tetramethyl-3, 5- heptanedione)과 Ca(thd)
2 -L을 전구체로 사용하여 색순도외 휘도가 매우 개선된 결과를 얻었다.

公开(公告)号：KR1020000016902A

公开(公告)日：2000-03-25

申请号：KR1019990026897

申请日：1999-07-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  김용신 ,  박상희 ,  조경익 ,  마동성

IPC: C23C16/48

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C07F7/26 ,  C09K11/662 ,  C09K11/663 ,  C09K11/883 ,  C09K11/885 ,  C23C16/305 ,  H05B33/145

Abstract: PURPOSE: A process for forming a PbX(X=S or Se) film using an atom layer deposition method and a chemical vapor deposition method and method for making a phosphor by adding PbX to the base material of CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS, and MgSe are provided which can produce the phosphor having good color intensity and luminance and reduce the cost of production. CONSTITUTION: In the manufacturing method of a PbX(X=S or Se) thin film, the film is formed by reacting a Pb-precursor and H2X(X=S or Se) using an organometal compound in which Pb is covalent-bonded with a functional group at 100-450°C. The product exhibits a luminance value of above 100 cd/m¬2 at AC-60 Hz. The phosphor having good color intensity and luminance is manufactured by adding a Pb ¬2+ ion to the base material selectively. The process can obtain excellent characteristics in reproducibility and uniformity and reduce the cost of production.

Abstract translation: 目的：使用原子层沉积法和化学气相沉积方法形成PbX（X = S或Se）膜的方法和通过将PbX添加到CaS，CaSe，SrS，SrSe的基材中来制造荧光体的方法， 提供了可以产生具有良好的色强度和亮度的荧光体的ZnS，ZnSe，BaS，BaSe，MgS和MgSe，并降低生产成本。 构成：在PbX（X = S或Se）薄膜的制造方法中，通过使用与Pb共价键合的有机金属化合物使Pb前体与H 2 X（X = S或Se）反应形成膜 官能团在100-450℃。 该产品在AC-60Hz下表现出高于100cd / m 2的亮度值。 通过选择性地将Pb 2+离子添加到基材来制造具有良好的色强度和亮度的荧光体。 该方法可以获得重现性和均匀性的优异特性，降低生产成本。

公开(公告)号：KR1020140145750A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：KR1020130068263

申请日：2013-06-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조성행 ,  박상희 ,  황치선

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41775 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 개념에 따른 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상의 제공되며, 상기 기판과 수직한 일 측면 및 상기 일 측면과 대향되는 타 측면을 가지는 반도체층, 상기 기판을 따라 연장되며, 상기 반도체층의 일 측면과 접촉하는 제1 전극, 상기 기판을 따라 연장되며, 상기 반도체층의 타 측면과 접촉하는 제2 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 제2 전극과 이격되는 도전배선, 상기 반도체층 상에 제공되는 게이트 전극, 그리고 게이트 절연막을 포함하되, 상기 반도체층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 공면을 가질 수 있다. 트랜지스터는 기생 캐패시턴스가 감소하여, 전기적 특성이 향상될 수 있다.

Abstract translation: 提供一种晶体管及其制造方法。 根据本发明的概念的晶体管包括：基板; 半导体层，其设置在所述基板上，并且具有与所述基板垂直的一侧，所述另一侧面向所述一侧; 沿所述基板延伸并接触所述半导体层的一侧的第一电极; 第二电极，沿着衬底延伸并接触半导体层的另一侧; 布置在所述第一电极上并与所述第二电极间隔开的导线; 设置在所述半导体层上的栅电极; 以及设置在所述半导体层和所述栅电极之间的栅绝缘层，其中所述半导体层，所述第一电极和所述第二电极具有共面。 因此，可以减小晶体管的寄生电容，从而提高电性能。

公开(公告)号：KR101403409B1

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：KR1020100039411

申请日：2010-04-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  박상희 ,  황치선 ,  조경익

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648

Abstract: 본 발명은 이중 게이트 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 장치에 있어서, 하부 게이트 전극; 상기 하부 게이트 전극 상의 상부 게이트 전극; 상기 하부 게이트 전극과 상기 상부 게이트 전극 사이에 개재되어 상기 하부 게이트 전극과 상기 상부 게이트 전극을 연결하는 콘택플러그; 및 상기 상부 게이트 전극과 동일한 높이에 상기 상부 게이트 전극으로부터 이격되어 형성된 기능 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 전계 효과 이동도가 높은 이중 게이트 트랜지스터를 반도체 장치에 적용시킴으로써, 반도체 장치의 특성을 개선할 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면, 별도의 마스크 공정이나 증착 공정을 추가할 필요가 없으므로, 공정 단가의 상승이나 수율 감소 없이 대면적·고화질의 반도체 장치를 대량 생산할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140002252A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020120070280

申请日：2012-06-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  박상희 ,  황치선

IPC: G02F1/167 ,  G02B26/00

CPC classification number: G02B26/005 ,  B01L2400/0427 ,  B32B2307/728 ,  B32B2307/73 ,  G02B2207/115 ,  G02F1/167 ,  G09G3/348

Abstract: The present invention relates to an electrofluidic display. The electrofluidic display comprises: a substrate; a plurality of electrodes present on the upper part of the substrate with a certain interval; a hydrophilic or hydrophobic insulation film coating the upper part of the substrate including the plurality of electrodes; a light guide plate placed to oppose the upper part of the substrate; and a plurality of water and oil containing pixels, placed in between the insulation film and the light guide plate, defined by a barrier rib which separates each electrode from a neighboring electrode.

Abstract translation: 本发明涉及一种电流体显示器。 电流体显示器包括：基底; 多个电极以一定的间隔存在于衬底的上部; 涂覆包括所述多个电极的所述基板的上部的亲水或疏水绝缘膜; 放置成与基板的上部相对的导光板; 以及放置在绝缘膜和导光板之间的多个含油和油的像素，其由隔离每个电极与相邻电极的隔板限定。

公开(公告)号：KR1020130074954A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020110143098

申请日：2011-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A vertical channel thin film transistor is provided to minimize a leakage current and capacitance by minimizing an overlap area between a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: A drain electrode (220) is formed on the upper part of a substrate (210). A spacer (230) is formed on the upper side of the substrate in contact with the drain electrode. A source electrode (240) is formed on the upper side of the spacer. An active layer (250) is formed on the front surface of the substrate including the drain electrode and the source electrode. A gate insulation layer (260) is formed on the upper side of the active layer. A gate electrode (270) is formed on the upper side of the gate insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供垂直沟道薄膜晶体管，通过最小化源电极和漏电极之间的重叠面积来最小化泄漏电流和电容。 构成：在基板（210）的上部形成漏电极（220）。 在与漏电极接触的基板的上侧形成间隔物（230）。 源极电极（240）形成在间隔物的上侧。 在包括漏电极和源电极的基板的前表面上形成有源层（250）。 栅极绝缘层（260）形成在有源层的上侧。 在栅极绝缘层的上侧形成有栅电极（270）。