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公开(公告)号：KR1020160066102A
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：KR1020140169729
申请日：2014-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: A61B3/16
Abstract: 본발명에따른안압센서는콘택트렌즈의형태를가지는기판; 상기기판상에형성되며, 외부압력에따라변화하는축전용량을가지는축전기부; 그리고상기기판상에형성되며, 상기축전기부와연결되는인덕터부를포함하되, 상기축전기부는상기외부압력에따라유전율이변화하는압전소자를포함하고, 상기축전기부 및상기인덕터부는상기축전용량에대응하는공진주파수를가지는공진회로를구성하며, 외부로부터의무선입력신호에응답하여상기공진주파수에대응하는반사신호를출력하고, 상기반사신호는상기외부압력에관한정보를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的眼内压传感器包括：具有隐形眼镜形状的基底; 形成在所述基板上并具有根据外部压力而变化的电容的电容器单元; 以及形成在基板上并连接到电容器单元的电感器单元。 电容器单元包括其电容率根据外部压力而变化的压电元件，并且电容器单元和电感器单元构成具有对应于电容的谐振频率的谐振电路。 眼内压传感器响应于来自外部的无线输入信号输出与谐振频率相对应的反射信号，反射信号包括关于外部压力的信息。
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公开(公告)号：KR1020140043554A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120105889
申请日：2012-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/263 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/7869
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided. A method for manufacturing a thin film transistor includes forming a gate electrode on a substrate; forming an active layer which is adjacent to the gate electrode and includes an oxide semiconductor; forming an oxygen providing layer on the active layer; forming a gate insulating layer between the gate electrode and the active layer; forming source/drain electrodes which are combined with the active layer; forming a planarization layer which covers the gate electrode and the gate insulating layer; forming a hole which exposes the active layer; and performing a thermal process on the planarization layer in an oxygen atmosphere. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Forming source/drain electrodes on a substrate; (S20) Forming an active layer and an oxygen providing layer; (S30) Forming a gate insulating layer; (S40) Forming a gate electrode; (S50) Forming a planarization layer and a hole; (S60) Performing a thermal process in an oxygen atmosphere
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管的制造方法包括在基板上形成栅极电极; 形成与所述栅电极相邻并且包括氧化物半导体的有源层; 在活性层上形成氧提供层; 在栅电极和有源层之间形成栅极绝缘层; 形成与有源层组合的源/漏电极; 形成覆盖所述栅极电极和所述栅极绝缘层的平坦化层; 形成露出活性层的孔; 在氧气氛中对平坦化层进行热处理。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）在基板上形成源极/漏极; （S20）形成活性层和氧供给层; （S30）形成栅极绝缘层; （S40）形成栅电极; （S50）形成平坦化层和孔; （S60）在氧气氛中进行热处理
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公开(公告)号：KR101283578B1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020090123350
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B32B3/266 , B32B9/04 , B32B27/06 , Y10T156/10 , Y10T442/10
Abstract: 플라스틱 기판이 제공된다. 이 플라스틱 기판은 매트릭스 형태의 망상(mesh) 구조의 탄소 나노 튜브 박막 및 적어도 망상 구조 사이의 공간을 채우면서, 탄소 나노 튜브 박막의 일 표면을 덮는 플라스틱 지지 박막체를 포함한다. 이에 따라, 플라스틱 기판은 낮은 열팽창 계수, 플렉시블 특성 또는/및 도전성을 가질 수 있다.
플라스틱 기판, 탄소 나노 튜브, 매트릭스, 열팽창, 플렉시블-
公开(公告)号：KR101140135B1
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020090026256
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 자기 정렬이 개선되는 박막 트랜지스터의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 기판 상의 희생층 상에 제1 도핑 영역, 제2 도핑 영역 및 채널 영역을 구비하는 반도체층을 형성한다. 다음, 반도체층을 제1 기판에서 분리하고, 제2 기판에 결합한다. 다음, 제2 기판과 반도체층 상에 절연층을 형성하고, 절연층 상에 제1 포토레지스트층을 형성한다. 이후, 제2 기판의 배면으로부터 제1 도핑 영역과 제2 도핑 영역을 마스크로 제1 포토레지스트층을 노광하고 현상하여 제1 마스크 패턴을 형성한다. 다음, 제1 마스크 패턴을 마스크로 절연층 상에 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극을 형성하고, 제1 도핑 영역과 제2 도핑 영역 각각에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 제조한다.
셀프 얼라인, 자기 정렬, 박막 트랜지스터, 제조 방법-
公开(公告)号：KR1020110066618A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123350
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B32B3/266 , B32B9/04 , B32B27/06 , Y10T156/10 , Y10T442/10
Abstract: PURPOSE: A plastic substrate is provided to ensure low thermal expansion coefficient and flexible property as well as conductivity by including a carbon nanotube thin film of a mesh structure and a plastic support thin film. CONSTITUTION: A plastic substrate comprises: a carbon nanotube thin film(110b) of a mesh structure in a matrix form; and a plastic support thin film(210) which fills a space(115) between at least mesh structures and covers one surface of the carbon nanotube thin film. The carbon nanotube thin film includes mingled carbon nanotubes. The carbon nanotubes includes at least one selected from single wall carbon nanotube, double wall carbon nanotube, multiwall carbon nanotube, and a mixture thereof.
Abstract translation: 目的：提供塑料基板，通过包括网状结构的碳纳米管薄膜和塑料支撑薄膜来确保低热膨胀系数和柔性以及导电性。 构成：塑料基板包括：矩阵形式的网状结构的碳纳米管薄膜（110b） 以及塑料支撑薄膜（210），其填充至少网状结构之间并覆盖碳纳米管薄膜的一个表面的空间（115）。 碳纳米管薄膜包括混合碳纳米管。 碳纳米管包括选自单壁碳纳米管，双壁碳纳米管，多壁碳纳米管及其混合物中的至少一种。
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Patent Agency Ranking26.发明公开금속 산화물 나노입자의 제조방법, 이로부터 제조된 금속산화물 나노입자, 금속 산화물 박막의 제조방법, 금속산화물 박막을 포함하는 전자 소자 无效制备金属氧化物纳米颗粒的方法，通过该方法制备的金属氧化物纳米颗粒，用于制备金属氧化物薄膜的方法和包含金属氧化物薄膜的电子器件
公开(公告)号：KR1020100011167A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072271
申请日：2008-07-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B13/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64 , C09D1/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing metal oxide nanoparticle is provided to be applicable in the plastic substrate weak on heat by forming a thin film at relatively low temperature in range of the room temperature to about 100°C. A manufacturing method of the metal oxide nanoparticle is provided to make an electric component including the metal oxide. CONSTITUTION: A method of manufacturing metal oxide nanoparticle comprises: a step(S11) of preparing an alcoholic solution including basic chemical species; a step(S12) of preparing a metal oxide precursor solution; a step(S13) of reacting the metal oxide precursor solution with the mixture of alcoholic solution to form metal oxide nanoparticle; a step(S14) of refining the metal oxide nanoparticle. The alcoholic solution comprises C1-C6 alcohol and basic chemical species is selected in the group consisting of LiOH, NaOH, KOH, NH4OH, their hydrate and their mixture.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属氧化物纳米颗粒的方法，该方法适用于在室温至约100℃范围内较低温度下形成薄膜的弱热塑性基材。 提供金属氧化物纳米颗粒的制造方法以制造包括金属氧化物的电子部件。 构成：制造金属氧化物纳米颗粒的方法包括：制备包含碱性化学物质的醇溶液的步骤（S11） 制备金属氧化物前体溶液的步骤（S12） 使金属氧化物前体溶液与醇溶液的混合物反应形成金属氧化物纳米颗粒的步骤（S13）; 精炼金属氧化物纳米粒子的步骤（S14）。 醇溶液包含C1-C6醇，碱性化学物质选自LiOH，NaOH，KOH，NH4OH，它们的水合物及其混合物。
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公开(公告)号：KR100810708B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060122268
申请日：2006-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K3/361 , G02F1/13 , H05K2203/1536
Abstract: An adhesion method of a flexible substrate to a carrier for a flexible display device is provided to facilitate manufacture of an integrated electronic device, an organic light emitting display, and a liquid crystal display by separating the flexible substrate with the electronic device. An adhesion method of a flexible substrate(140) to a carrier for a flexible display device includes the steps of: preparing a carrier substrate(110); forming an adhesion layer(120) on the carrier substrate; adhering the flexible substrate on the adhesion layer; and forming a protection layer(130) between the adhesion layer and the flexible substrate.
Abstract translation: 提供柔性基板与柔性显示装置的载体的粘合方法，以通过用柔性基板与电子装置分离来促进集成电子装置，有机发光显示器和液晶显示器的制造。 柔性基板（140）与用于柔性显示装置的载体的粘合方法包括以下步骤：制备载体基板（110）; 在所述载体基板上形成粘合层（120）; 将柔性基板粘附在粘合层上; 以及在所述粘合层和所述柔性基底之间形成保护层（130）。
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公开(公告)号：KR100696189B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050038558
申请日：2005-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/167
Abstract: 천연색 전기영동 디스플레이 및 그 제작방법이 제공된다. 본 발명은 하부막 위에 위치하며 일정 간격을 갖고 배치된 복수개의 하부 전극과, 복수개의 하부 전극 상에 배치된 제1 내지 제3 포토레지스트 챔버와, 제1 내지 제3 포토레지스트 챔버에 각각 수용되며 전기장에 차별적으로 동작하여 빨간색, 초록색, 파란색을 독립적으로 표시하는 제1 내지 제3 전자잉크, 그리고 제1 내지 제3 포토레지스트 챔버를 사이에 두고 복수개의 하부 전극과 마주하며 일정 간격을 갖고 배치된 복수개의 상부 전극을 포함한다.
전기영동 디스플레이, 전자잉크, 포토레지스트 시트, 칼라 표시-
公开(公告)号：KR1020070030475A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：KR1020050085167
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0055 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게이트 절연막은 아크릴레이트계 화합물, 안하이드라이드계 화합물 및 에폭시계 화합물로부터 저온에서 형성될 수 있으며, 저온 형성이 가능하기 때문에 선공정막에 미치는 영향이 최소화될 수 있고, 이렇게 형성된 게이트 절연막은 내화학성, 고내열성 및 우수한 표면 특성을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 게이트 절연막을 유기 활성막, 게이트 전극 및 소스-드레인 전극을 구비하는 유기 박막 트랜지스터에서 게이트 전극 상부에 형성시킴으로써 우수한 전기적 특성을 갖게 한다.
게이트 절연막, 저온 경화, 유기 박막 트랜지스터Abstract translation: 低温固化型聚合物栅极绝缘膜及使用其的有机薄膜晶体管本发明涉 根据本发明的栅极绝缘膜是基于丙烯酸酯的化合物，酸酐系化合物，并且可以在从环氧化合物的低温下形成，可以是形成，这样形成的栅极绝缘膜上最小化，因为它可以是冷seongong jeongmak冲击 具有耐化学性，高耐热性和优异的表面性能。
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公开(公告)号：KR1020060042560A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020040091257
申请日：2004-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08J5/22 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0052
Abstract: 본 발명은 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기고분자 게이트 절연막 소재로써 폴리비닐 페놀에 열경화성 물질을 포함시켜 내화학성과 절연특성을 향상시킨 것이고, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 열경화성을 부여하여 내화학성과 절연특성을 향상시키면서, 소자 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다.
폴리비닐 페놀, 게이트 절연막, 열경화성, 유기박막 트랜지스터
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