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公开(公告)号：KR100576224B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040095949
申请日：2004-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광변조기 집적 광전집적 송신회로 및 선택적 결정성장법을 이용한 그것의 제작방법에 관한 것이다. 광변조기 집적 광전집적 송신회로는 수신된 전기 신호를 증폭하여 광변조기를 구동하는 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 기반의 광변조기 구동회로 및 전계흡수형 광흡수층을 갖는 전계흡수형 광변조기가 반절연 기판 위에 단일 칩 집적화되어 이루어지며, 이 때 광변조기의 다중 양자우물 구조의 광흡수층 및 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 다중 양자우물 구조의 삽입층의 두께는 선택적 결정성장법에 의해 다르게 형성된다.
광통신, 광전집전회로, 도파로형 광변조기, 선택적 결정성장Abstract translation: 光调制器集成光电集成传输电路及其制造方法技术领域本发明涉及一种光调制器一体型光电集成传输电路及其制造方法。 的光调制器集成光电集成传输电路包括所接收的电信号的单个放大到具有光调制器驱动电路的双异质结双极型晶体管基极和电场吸收型光用于驱动光调制器的半绝缘衬底上的吸收层的电场吸收型光调制器 通过选择性晶体生长方法不同地形成光学调制器的多量子阱结构的光吸收层的厚度和双异质结双极晶体管的多量子阱结构的层间的厚度。
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公开(公告)号：KR100527110B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020030089376
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/098
Abstract: 본 발명은 무선 통신에서 요구되는 고주파 신호발생을 위한 밀리미터파 발진기에 대한 것으로, 고주파수를 가지는 밀리미터파 대역의 신호를 발생시키기 위해 일정위상 관계를 갖는 두 파장이 생성되도록 간섭계와 광 검출기를 이용하여 밀리미터파 발진기를 제공한다. 이로써, 위상 잠금을 위한 신호 처리 없이 보다 쉽게 밀리미터파 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050057716A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030089376
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/098
Abstract: 본 발명은 무선 통신에서 요구되는 고주파 신호발생을 위한 밀리미터파 발진기에 대한 것으로, 고주파수를 가지는 밀리미터파 대역의 신호를 발생시키기 위해 일정위상 관계를 갖는 두 파장이 생성되도록 간섭계와 광 검출기를 이용하여 밀리미터파 발진기를 제공한다. 이로써, 위상 잠금을 위한 신호 처리 없이 보다 쉽게 밀리미터파 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101746499B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020100133636
申请日：2010-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N13/00
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4813 , G01S7/4816 , G01S7/4863 , G01S7/4868 , G01S7/487 , G01S7/4912 , H04N13/106 , H04N13/211 , H04N13/254 , H04N13/296
Abstract: 본발명에의하면, 광증폭이득을제어할수 있는이득제어터미널을구비한광 검출기, 광검출기의출력을수신하여영상(image)을구성하기위한픽셀신호를검출하기위한픽셀검출모듈, 픽셀검출모듈에서검출한픽셀신호에기초하여픽셀신호의포화정도를나타내는신호를생성하고픽셀신호를결합하여다이내믹레인지영상을얻기위한 HDR(High Dynamic Range) 발생모듈, 및픽셀신호의포화정도를나타내는신호의크기에기초하여광 검출기의이득제어터미널에필요전압을공급하기위한출력신호를발생시키는이득제어신호발생모듈을포함하는다이내믹레인지삼차원영상시스템이제공된다.
Abstract translation: 根据本发明，提供了一种具有能够控制光放大增益的增益控制端子的光检测器，用于通过接收光检测器的输出来检测用于构建图像的像素信号的像素检测模块， HDR（高动态范围）生成模块，用于基于一个像素信号生成指示像素信号的饱和度的信号，并组合像素信号以获得动态范围图像; 以及增益控制信号生成模块，用于生成用于向光电探测器的增益控制端提供所需电压的输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160000988A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：KR1020140078431
申请日：2014-06-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04N1/02825
Abstract: 영상획득장치가개시된다. 영상획득장치는광원, 스캐너, 제 1 빔가르개및 수광부를포함한다. 상기광원은레이저펄스를발생한다. 상기스캐너는상기레이저펄스를제 1 방향으로조사한다. 상기제 1 빔가르개는상기제 1 방향으로조사된레이저펄스를상기제 1 방향및 제 2 방향으로분리하여조사하도록구성된다. 상기수광부는반사된빛을감지한다. 따라서, 상대적으로좁은발산각을갖는광원으로도넓은범위에빛을조사할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种图像获取装置。 图像获取装置包括：光源，扫描仪，第一光束分离器和光接收单元。 光源产生激光脉冲。 扫描仪沿第一方向照射激光脉冲。 第一光束分离器被配置为照射沿第一方向照射的激光脉冲，以在第一方向和第二方向上被分割。 光接收单元检测反射光。 因此，通过仅具有相对窄的发散角的光源，可以将光照射到宽范围。
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公开(公告)号：KR1020150004743A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020140080444
申请日：2014-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01S17/89
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 레이더 시스템은, 제 1 시야 범위의 복수 위치에 제 1 레이저 빔을 순차적으로 조사하고 반사광을 수신하는 제 1 송수신 유닛, 그리고 제 2 시야 범위의 복수 위치에 제 2 레이저 빔을 순차적으로 조사하고 반사광을 수신하는 제 2 송수신 유닛을 포함하되, 상기 제 1 송수신 유닛과 상기 제 2 송수신 유닛 각각은 탑재체에 고정되어 상기 제 1 시야 범위 및 상기 제 2 시야 범위에 대한 탐색을 독립적으로 수행한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，激光雷达系统包括：第一收发单元，其顺序地将第一激光束发射到第一视距范围内的多个位置并接收反射光;以及第二收发单元，其将第二激光束顺序地发射到多个位置 在第二视野范围内并接收反射光。 第一和第二收发单元中的每一个被固定在有效载荷中以独立地探索第一和第二视线范围。
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公开(公告)号：KR1020130069127A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136694
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: PURPOSE: An avalanche photo diode and a manufacturing method thereof are provided to minimize dark current induced to the upper surface of a clad layer by forming an insulation area in the clad layer between an active area and a guard ring area. CONSTITUTION: An light absorption layer(12) is formed on a substrate(10). A clad layer(18) is formed on the light absorption layer. An active layer(30) is formed in the clad layer. A guard ring area(32) is formed at the circumference of the active area. An insulation area(36) is formed between the guard ring area and the active area.
Abstract translation: 目的：提供一种雪崩光电二极管及其制造方法，以通过在有源区域和保护环区域之间的包覆层中形成绝缘区域来最小化对包层的上表面产生的暗电流。 构成：在基板（10）上形成光吸收层（12）。 在光吸收层上形成包覆层（18）。 在包覆层中形成有源层（30）。 在活动区域的周围形成保护环区域（32）。 在保护环区域和有效区域之间形成绝缘区域（36）。
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公开(公告)号：KR1020100136163A
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：KR1020090054382
申请日：2009-06-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A laser radar having a micro lens array integrated therein is provided to allow an optical signal to be projected on only a light receiving area of a optical detector through the front face of a micro lens array. CONSTITUTION: A light source unit(110) generates an optical signal. A light transmitting optical lens(120) transmits the optical signal from the light source unit to a target. A light receiving optical lens(140) receives the optical signal reflected from the target object. A converting lens(155) converts the received optical signal to a beam shape optical signal. A microlens array(160) condenses the beam shape optical signal.
Abstract translation: 目的：提供集成有微透镜阵列的激光雷达，以使光信号仅通过微透镜阵列的前表面投射到光学检测器的光接收区域上。 构成：光源单元（110）产生光信号。 透光光学透镜（120）将光信号从光源单元传送到目标。 光接收光学透镜（140）接收从目标物体反射的光信号。 转换透镜（155）将接收到的光信号转换成光束形状的光信号。 微透镜阵列（160）会聚束光束形状的光信号。
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公开(公告)号：KR100670828B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050121973
申请日：2005-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14694 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14649 , H01L27/14687
Abstract: A photo-detector for an image signal of an infrared laser radar and a method of manufacturing the same are provided to acquire a flat upper surface from a substrate structure by using an Fe ion implanted region as an isolation region. A multilayer compound semiconductor layer is formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate(100). A plurality of PN junction diodes are arranged within a selected region of the compound semiconductor layer. A ion implanted region(170) is formed in the compound semiconductor layer to isolate the plurality of PN junction diodes from each other. The ion implanted region is used as an isolation region. The ion implanted region is implanted with Fe ions.
Abstract translation: 提供了用于红外激光雷达的图像信号的光检测器及其制造方法，以通过使用Fe离子注入区域作为隔离区域从基板结构获取平坦的上表面。 在半绝缘化合物半导体基板（100）上形成多层化合物半导体层。 多个PN结二极管被布置在化合物半导体层的选定区域内。 在化合物半导体层中形成离子注入区（170），以将多个PN结二极管彼此隔离。 离子注入区域用作隔离区域。 离子注入区域注入Fe离子。
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