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公开(公告)号：KR1020100106140A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：KR1020090024623
申请日：2009-03-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/164 , H01S5/2231
Abstract: PURPOSE: An external cavity laser light source is provided to project a light having a narrow radiation angle by forming the width of active and passive optical waveguides of a ridge type. CONSTITUTION: A passive waveguide layer(112), an under-clad layer(114), an active layer(120), and a top clad layer(136) are successively laminated on a substrate(110). The ridged optical waveguide comprises a straight waveguide region, a curved waveguide region, a tapered waveguide region, and a window region. Current blocking layers(132,134) are arranged around the active layer. The current block layer blocks the flow of current to outside of the active layer.
Abstract translation: 目的：通过形成脊型有源和无源光波导的宽度，提供外腔激光光源来投射具有较窄辐射角的光。 构造：在衬底（110）上依次层叠无源波导层（112），下覆层（114），有源层（120）和顶部覆盖层（136）。 脊状光波导包括直波导区域，弯曲波导区域，锥形波导区域和窗口区域。 电流阻挡层（132,134）围绕有源层布置。 当前的阻挡层阻止电流流向有源层的外部。
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公开(公告)号：KR1020090065982A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133553
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/141 , H01L33/0045 , H01S5/026 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/227 , H01S5/50
Abstract: A two-section super luminescent diode and an external cavity laser using the same are provided to form a light source having a high output power and a low critical current by integrating a SOA(Semiconductor Optical Amplifier) to a SLD(Super Luminescent Diode). A two-section SLD includes an n-InP substrate(11), an n-type electrode(22), a passive waveguide(12), an optical waveguide, a p-type ohmic layer(18), a p-type SLD electrode(21), and a p-type SOA electrode(23). The n-type electrode is formed on a bottom part of the n-InP substrate. The passive waveguide is formed on the n-InP substrate. The optical waveguide is formed on the passive waveguide. The p-type ohmic layer is formed on the optical waveguide. The p-type SLD electrode and the p-type SOA electrode are formed on a SLD region and a SOA region of the p-type ohmic layer.
Abstract translation: 通过将SOA（半导体光放大器）集成到SLD（超级发光二极管），提供两段超发光二极管和使用其的外腔激光器以形成具有高输出功率和低临界电流的光源。 双段SLD包括n-InP衬底（11），n型电极（22），无源波导（12），光波导，p型欧姆层（18），p型SLD 电极（21）和p型SOA电极（23）。 n型电极形成在n-InP衬底的底部。 无源波导形成在n-InP衬底上。 光波导形成在无源波导上。 p型欧姆层形成在光波导上。 p型SLD电极和p型SOA电极形成在p型欧姆层的SLD区域和SOA区域上。
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公开(公告)号：KR100734831B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050069076
申请日：2005-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 초소형 레이저 컬러 디스플레이 용도의 청색 혹은 녹색 광원의 구현을 위해 레이저 다이오드와 QPM-SHG(Quasi Phase Matching-Second Harmonic Generation) 도파로 소자를 직접 부착하거나 평면 플랫폼 상에 부착하여 결합시킴에 있어서, 레이저 다이오드의 편광을 TM(Transverse Magnetic)-모드로 발진토록 하여 Z-컷(cut) 비선형 매질 기판을 이용한 QPM-SHG 도파로 소자와의 결합이 용이해지도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020060067801A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050061951
申请日：2005-07-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581
Abstract: 본 발명은 넓은 파장가변 특성을 갖는 레이저와 TDM data 구조를 결합하고 여기에 필요한 광 부품을 적절히 활용함으로써 근거리 광 통신망인 WDM-PON 시스템에 채널교환기능을 추가하고 잠재적인 전송속도를 크게 확대한다. 또한 광원과 AWG의 파장천이가 있을 경우 Loop-Back 네트워크구조를 이용하여 추가적인 우회 회선 없이 파장을 추적하고 전달되는 신호의 크기를 최적화 한다. 그리고 전기적으로 파장을 변화시키는 파장가변 레이저를 이용하여 OLT(Optical line terminal)의 온도 안정화에 필요한 온도 제어기(TEC, thermo-electric controller)의 수를 최소화 한다.
파장 가변 레이저, 채널 교환, WDM-PON-
公开(公告)号：KR1020060067130A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050064178
申请日：2005-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/0264 , G02B6/29361 , H01L27/153 , H01S5/0614
Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040098421A
公开(公告)日：2004-11-20
申请号：KR1020030030777
申请日：2003-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1228
Abstract: PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.
Abstract translation: 目的：提供根据相位控制区域的折射率变化而振荡的可广泛调整的SG-DFB（采样光栅分布反馈）激光二极管，以通过将增益区域的光波直接连接到光纤而不加 失利。 构成：广泛可调的SG-DFB激光二极管包括第一增益区和第二增益区。 广泛可调的SG-DFB激光二极管还包括第一SG-DFB结构和第二SG-DFB结构。 第一SG-DFB包括形成在第一增益区上的第一周期的第一采样光栅（34a）和形成在第一采样光栅之间的第一相位控制区（35a）。 第二SG-DFB包括形成在第二增益区上的第二周期的第二采样光栅（34b）和形成在第二采样光栅之间的第二相位控制区（35b）。
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公开(公告)号：KR1020040057864A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020030020673
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: PURPOSE: A wavelength variation type semiconductor laser and a fabricating method thereof are provided to change continuously a wavelength within a broad wavelength band by applying the electric field or the current to electrodes. CONSTITUTION: A wavelength variation type semiconductor laser includes an optical waveguide, an active region, an electrode array, a Fabry-Perot filter, and a curve mirror. The optical waveguide is formed on a substrate in order to guide an optical signal by a cladding layer. The active region(14) is formed at a part of the optical waveguide in order to generate the optical signal. The electrode array(18) is formed at one side of the active region in order to change the traveling direction of the optical signal by applying the electric field and the current to a part of the optical waveguide. The Fabry-Perot filter(13) is used for filtering the optical signal of the selected wavelength. The curve mirror(17) is used for reflecting the optical signal.
Abstract translation: 目的：提供波长变化型半导体激光器及其制造方法，通过向电极施加电场或电流来连续地改变宽波长带内的波长。 构成：波长变化型半导体激光器包括光波导，有源区，电极阵列，法布里 - 珀罗滤波器和曲线镜。 光波导形成在基板上，以便通过包覆层引导光信号。 有源区（14）形成在光波导的一部分处以产生光信号。 电极阵列（18）形成在有源区域的一侧，以通过将电场和电流施加到光波导的一部分来改变光信号的行进方向。 法布里 - 珀罗滤波器（13）用于对所选波长的光信号进行滤波。 曲线镜（17）用于反射光信号。
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公开(公告)号：KR1020160150247A
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150087754
申请日：2015-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은파장가변레이저장치에관한것으로, 상기장치는기판상에형성되며, 능동광 도파로, 전단수동광 도파로및 후단수동광 도파로를포함하는광 도파로층; 상기광 도파로층 상부에위치하는클래드층; 및상기클래드층 상부에위치하며, 외부로부터인가되는전력을공급받아열을발생하여상기클래드층을통해상기전단및 후단수동광 도파로로공급하는파장가변층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150048017A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020140055793
申请日：2014-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/142 , G02B6/12011 , H01S3/06708
Abstract: 수퍼루미네센트다이오드및 그의구현방법이개시되어있다. 파장가변레이저의 SLD(superluminescent diode)를구현하는방법은 SI(semi-insulating) 기판의상단에제1 에피층을성장시키는단계, 상기제1 에피층을기반으로 butt를재성장시키는단계, 상기재성장된 butt 층에테이퍼된 SSC(spot size converter)를형성하는단계, 상기제1 에피층을기반으로한 활성영역및 상기테이퍼된 SSC를기반으로한 SSC 영역에광 도파로를형성하는단계, 상기광도파로상에 RWG 도파로(rigid waveguide) 도파로를형성하는단계, 및 p-형전극및 n-형전극을형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种超发光二极管及其实现方法。 用于实现波长变换激光器的超发光二极管（SLD）的方法可以包括：在半绝缘（SI）衬底的上部中生长第一外延层的步骤，基于 第一外延层，在重新生长的对接层上形成抽头的光点尺寸转换器（SSC）的步骤，基于第一外延层形成有源区域的步骤和基于所述轻击的SSC区域中的光波导 SSC，在光波导上形成刚性波导（RWG）的步骤以及形成p型和n型电极的步骤。
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