公开(公告)号：KR1020150129938A

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020140056633

申请日：2014-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용해 ,  황치선 ,  김기현 ,  류호준 ,  변춘원 ,  오힘찬 ,  이명래 ,  추혜용

IPC: G02B26/08 ,  G02B5/32

CPC classification number: G03H1/02 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/157 ,  G02F2001/1635 ,  G02F2201/44 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/0224 ,  G03H2225/22 ,  G03H2225/33

Abstract: 본발명은공간광 변조기및 그제조방법을제공한다. 이공간광 변조기의구조는기판상에제공되는박막트랜지스터층, 상기박막트랜지스터층과전기적으로연결되는진폭형공간광 변조기및 위상형공간광 변조기, 및상기위상형공간광 변조기상에제공되는제 1 편광기를포함하고, 상기박막트랜지스터층은상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기각각과전기적으로연결되는트랜지스터들을포함하고, 상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기는상기박막트랜지스터층과공통으로전기적으로연결되어구동할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种复杂的空间光调制器及其制造方法。 空间光调制器的结构包括设置在基板上的薄膜晶体管层，电连接到薄膜晶体管层的振幅型空间光调制器和相位型空间光调制器，以及第一偏振器， 提供在相位型空间光调制器上。 薄膜晶体管层包括电连接到幅度型空间光调制器和相位型空间光调制器的晶体管。 幅度型空间光调制器和相位型空间光调制器共同电连接到薄膜晶体管层。

公开(公告)号：KR1020160088787A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020150157615

申请日：2015-11-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용해 ,  황치선 ,  김기현 ,  오힘찬 ,  류호준 ,  변춘원 ,  이명래 ,  이재원 ,  피재은

IPC: G03H1/04 ,  G03H1/02 ,  G03H1/22

Abstract: 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부, 및상기광원부에서출사된광의위상및 진폭중 적어도하나를변조하여홀로그램영상을출력하며, 제1 방향을따라배열된복수의화소그룹들을포함하는공간광 변조기를포함하고, 상기복수의화소그룹들각각은행렬로배열되고, 제1 파장의영상을제공하는제1 화소들, 상기제1화소들과상기제1 방향으로인접하며,행렬로배열되고, 상기제1 파장과상이한제2 파장의영상을제공하는제2 화소들을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种通过简化的结构实现彩色全息图的全息显示装置。 全息显示装置包括用于发光的光源单元; 以及空间光调制器（SLM），用于调制从光源单元发射的光的相位和幅度中的至少一个，以输出全息图像，并且包括沿第一方向布置的多个像素组， 多个像素组包括以x1×y1的矩阵排列并且提供具有第一波长的图像的第一像素和与第一方向上的第一像素相邻的第二像素，以x2×y2的矩阵排列，并且提供 具有不同于第一波长的第二波长的图像。

公开(公告)号：KR1020160027315A

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：KR1020140113198

申请日：2014-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  김기현 ,  김용해 ,  변춘원 ,  오힘찬 ,  추혜용 ,  이명래 ,  피재은

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/786

Abstract: 본발명은디스플레이장치를제공한다. 디스플레이장치는기판, 상기기판상에순차적으로적층된공통전극및 제 1 절연막, 상기제 1 절연막상의캡 전극, 상기캡 전극을덮는제 2 절연막, 상기제 2 절연막상의소스전극, 상기제 2 절연막상에제공되고, 상기제 1 컨택을통해상기캡 전극에연결되고상기소스전극의상부로연장되는드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극사이의제 3 절연막, 상기드레인전극및 제 3 절연막의측면상에제공되고, 상기소스전극으로연장되는게이트전극, 상기게이트전극과상기소스전극, 상기제 3 절연막및 상기드레인전극사이의활성층, 상기활성층과상기게이트전극사이의게이트절연막, 상기게이트전극및 상기드레인전극을덮는제 4 절연막상에제공되고, 제 2 컨택을통해연결되는픽셀전극을포함한다.

Abstract translation: 提供一种显示装置，其包括：基板; 依次层叠在基板上的公共电极和第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的帽电极; 覆盖所述盖电极的第二绝缘膜; 在第二绝缘膜上的源电极; 设置在第二绝缘膜上的漏极，通过第一接触连接到帽电极，并延伸到源电极的上部; 设置在源电极和漏电极之间的第三绝缘膜; 设置在所述漏电极上的栅电极和所述第三绝缘膜的侧面，并延伸到所述源电极; 设置在栅电极和源电极之间的有源层，以及第三绝缘膜和漏电极; 设置在所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘膜; 以及设置在覆盖所述栅电极和所述漏电极的第四绝缘膜上并通过第二触点连接的像素电极。

公开(公告)号：KR1020150081026A

公开(公告)日：2015-07-13

申请号：KR1020140000574

申请日：2014-01-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  조성행 ,  오힘찬 ,  양종헌 ,  유민기 ,  변춘원 ,  피재은 ,  이수재 ,  박종혁 ,  추혜용

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막트랜지스터가제공된다. 박막트랜지스터는기판, 상기기판위에형성된활성층, 상기활성층위에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막위에형성된게이트전극, 상기게이트전극양쪽의상기활성층에형성된도핑영역, 및상기게이트전극양측의상기기판상에서로이격되고상기도핑영역과직접접촉하는소스전극및 드레인전극을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种薄膜晶体管。 薄晶体管包括衬底; 形成在所述基板上的有源层; 形成在有源层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极两侧的有源层上的掺杂区域; 以及源电极和漏电极在栅极两侧的衬底上彼此分离，并与掺杂区域直接接触。 因此，本发明能够提供没有接触工艺的自配置型半导体薄膜晶体管结构。

公开(公告)号：KR1020150060328A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：KR1020130144632

申请日：2013-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오힘찬 ,  황치선 ,  양종헌 ,  추혜용

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은산화물반도체형성방법을제공한다. 이산화물반도체형성방법은금속원자를포함한화합물및 용매를혼합하여혼합용액을제조하는단계, 상기혼합용액에기판을담그는단계, 상기혼합용액에초음파를조사하여상기기판상에산화물반도체를형성하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化物半导体的方法。 形成氧化物半导体的方法包括：将包含金属原子和溶剂的化合物混合以制造混合溶液的步骤; 将基板浸渍在混合溶液中的步骤; 以及向所述混合溶液中照射超声波以在所述基板上形成氧化物半导体的步骤。

公开(公告)号：KR1020140066878A

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：KR1020120133471

申请日：2012-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오힘찬 ,  황치선 ,  박상희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/41733

Abstract: Provided are a self-aligned thin film transistor capable of improving the operation speed and stability, and minimize the size at the same time by forming self-aligned source and drain electrodes and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor manufacturing method comprises: a step of successively forming an active layer, a gate insulating film, and a gate layer on a substrate; a step of forming a photosensitive pattern to define the shape of a gate electrode on the gate layer; a step of successively etching the gate layer, the gate insulating film, and the active layer using the photosensitive pattern; a step of depositing source and drain layers on the etched substrate in a deposition method with directivity; and a step of forming the gate electrode and self-aligned source and drain electrodes by removing the photosensitive pattern.

Abstract translation: 本发明提供一种能够提高操作速度和稳定性的自对准薄膜晶体管，并且通过形成自对准源极和漏极同时使尺寸最小化及其制造方法。 根据本发明的实施例，薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上依次形成有源层，栅极绝缘膜和栅极层的步骤; 形成感光图案以限定栅极层上的栅电极的形状的步骤; 使用感光图案连续地蚀刻栅极层，栅极绝缘膜和有源层的步骤; 以具有指向性的沉积方法在蚀刻的衬底上沉积源极和漏极层的步骤; 以及通过去除感光图案形成栅电极和自对准源电极和漏电极的步骤。

公开(公告)号：KR1020130038722A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：KR1020110103231

申请日：2011-10-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  건국대학교 산학협력단

Inventor： 피재은 ,  박기찬 ,  임홍균 ,  김준동 ,  김연경 ,  김지선 ,  유병곤 ,  박상희 ,  오힘찬 ,  유민기 ,  황치선

IPC: G09G3/36 ,  H02M3/155

CPC classification number: H02M3/073 ,  G09G3/3696 ,  H02M2003/077

Abstract: PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.

Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差 关掉TFT。 构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。 多个TFT轮流打开和关闭。 主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。 开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。

公开(公告)号：KR1020120069131A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100130542

申请日：2010-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오힘찬

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor is provided to improve an electric property of the thin film transistor by including an active layer. CONSTITUTION: A substrate with a preset curvature and flexibility is prepared. An active layer(20) made of oxide semiconductor is formed on the convex surface of the substrate. Compressed stress is applied to the active layer by removing the curvature of the substrate to make the substrate horizontal. A source electrode(30), a drain electrode, a gate insulation layer(50), and a gate electrode(60) are formed on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管的方法，通过包括有源层来改善薄膜晶体管的电性能。 构成：制备具有预设曲率和柔性的基材。 在基板的凸面上形成由氧化物半导体构成的有源层（20）。 通过去除衬底的曲率以使衬底水平，将压应力施加到有源层。 源极电极（30），漏电极，栅绝缘层（50）和栅电极（60）形成在有源层上。