公开(公告)号：KR1019970054313A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052640

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  한석길 ,  김제하

IPC: H01L27/18

Abstract: 본 발명은 RF 및 마이크로파 통신시스템이나 통신기기에 사용되는 멀티플렉서, 믹서등의 핵심부품을 구성하는 핵심소자이면서도 기본소자인 특정주파수대역에서만 정보를 통과시키게 하는 마이크로파용 섭동준 원반형 고온초전도 이중모드 5－극 대역통과 필터에 관한 것으로, RF 및 마이크로파 특성이 우수한 MaO 단결정 기판과 상기 단결정 기판 상부의 한쪽 모서리에 형성한 신호 전송용 입출력단(gold pad 포함)과 상기 단결정 기판 상부의 상기 입출력단과 마치크로스트립 결합선 사이에 신호의 전송에너지를 제어하거나 필터링하는 섭동준 원반형 공진기 2개와 마이크로스트립 결합선을 집적시킨 원반형 고온초전도 이중모그 5－극 대역통과 필터의 회로패턴과, 상기 단결정 기판의 하부에 증착시킨 접지평면용의 금속박막을 포함하여 구성되어 원반 형 고온초전도 이중모드 대역통과 필터의 극수를 5－극으로 하고, 회로패턴의 크기는 기판의 크기를 고려하여 15㎜×15㎜내로 하여, 마이크로파 특성은 통과대역에서의 맥류진폭도 매우 작아 평면도가 우수하고, 저지대역까지의 가파르기인 스커트 특성도 우수하다.

公开(公告)号：KR1019970008636A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950020207

申请日：1995-07-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  김제하 ,  한석길 ,  안달

IPC: H01L39/00 ,  H01L27/18

Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신시스템에 사용되는 핵심부품인 멀티플렉서나 믹서등을 구성하는 핵심소자인 3-dB 하이브리드 결합기(copler) 일종으로, 마이크로스트립 분기선 방식의 矩形(사각형) 構造를 갖는 마이크로 파용 4-포트 수동소자이다.
본 발명인 직각 하이브리드 결합기는 3-dB 이상의 우수한 결합특성이 10GHz 근방에서 발휘되게끔 설계하였고, 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막을 미세형상화(패터닝)함으로서 제조하였다.
이어서 기판 뒷면에는 집저평면용 Ti(10nm)/Ag(2㎛)을 증착하여 YBCO/MgO/Ti/Ag구조를 갖게 하였다.
그리고 4개의 K-커넥트(4-포트)를 가지는 3-성분 시험치구에 내장시켜 저온 마이크로파 특성을 측정하였다.
이러한 고온초전도 커플러를 핵심소자로 사용하는 무선 및 마이크로파 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스 트립선 방식의 서브시스템이므로 제조가 간단하고 경량이다.
그리고 고운초전도체의 우수한 마이크로파 특성을 이용한 하이브리드 결합기이므로 結合度가 뛰어나고, 마이크로파 손실특성도 매우 양호하였다.

公开(公告)号：KR1019960027042A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033887

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상렬 ,  강광용 ,  한석길

IPC: H01P7/00

Abstract: 한정된 전파자원을 효율적으로 활용하기 위해서는 매우 우수한 특성의 마이크로웨이브 부품개발이 요구되는바, 여기에 높은 양호도를 발휘할 수 있는 무손실 무저항의 고온초전도체의 응용은 마이크로웨이브 부품의 특성 향상애 매우 유리하다.
본 발명은 고온초전도 박막을 이용하여 마이크로웨이브 대역에서 사용할 수 있는 새로운 개념을 갖는 섭동된 이중모드 원판형 공진기의 설계 및 제작에 관한 것이며 고온초전도 에피택셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적 회로패턴을 전사시킨 전자선 마시크를 이용한 포토리소그래픽 공정과 식각공정을 통해, YBa
2 Cu
3 O
7-8 /MgO/Ti(또는 Cr)/Ag 구조의 섭동된 고온초전도 이중모드 원판형 공진기를 제작한다.
본 발명의 소자는 기존의 금속박막형 고주파 수동소자보다 성능이 우수하다.

公开(公告)号：KR1019960026995A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940035156

申请日：1994-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  이상렬 ,  한석길

IPC: H01L39/00

Abstract: 본 발명은 새로운 산화물인 양질의 고온초전도 박막과, 전자기파 저역통과 필터의 회로해서 이론과, 전산모 사용 소프트웨어와, 반도체소자의 제조공정을 응용한 포토리소그래픽 및 식각공정을 이용하여 전자기파영역(3~33GH
z )에서도 매우 우수한 성능을 발휘하며, 종래의 소자에 비하여 크기도 상당히 감소시킬 수 있는 마이크로 스트립 방식의 저역통과 필터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 전자기파 저역통과 필터이론과 전산모사로써 최적 저역통과 필터의 패턴을 설계하고 상기 설계된 회로 패턴을 전자시켜서 제조한 전자선- 마스크를 사용하여 포토리소그래픽 공정과 필터 패턴의 예리도를 향상시킬 수 있는 식각공정을 통하여 차단주파수가 8GH
z 인 YBCO/LaAIO
3 /Ti/Ag 구조의 저역통과 필터를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터는 RF 및 전자기파 통신시스템에서 사용되는 핵심 부품인 주파수 믹서기를 구성하는 중요소자로서 외부에서 가해주는 바이어스를 제어하거나 또는 특정주파수 이하의 신호만을 통과시키는 전송선소자이며 전자기파 대역용 전류변환 스윗치로서도 효과적이다.
또한 본 발명에 따라 제조된 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터는 무손실, 무분산으로 대용량 정보처리가 가능하고 마이크로 스트립 형태의 전송선 소자이므로 제조하는 것이 간단하고, 종래의 3-극, 5-극 저역통과 필터보다 패턴의 크기(1.5㎝×1,5㎝)는 약간 크지만 시뮬레이션의 결과와 상당히 일치하며, 특히 차단주파수 이상에서 입력신호에 대한 저지대역의 가파름(steepness) 특성이 매우 우수하고, 통과대역은 0.5dB(77K) 이내의 삽입손실과 매우 평탄함(flatness)을 가지게 된다.

公开(公告)号：KR1019960019823A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940030105

申请日：1994-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강광용 ,  이상렬 ,  한석길 ,  안달

IPC: H01L39/24

Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신 시스템에 사용되는 핵심소자인 대역통과 필터의 일종이며, 새로운 산화물 재료인 고온 초전도체의 박막과 필터의 설계이론 중 평행결합선 방식을 채택한 4-극 대역통과 필터로서, 마이크로파 영역(3∼33GHz)에서의 성능이 매우 우수한 전송선 소자의 제조방법에 관한 것이다.
마이크로파 대역통과 필터 이론과 시뮬레이션으로 최적소자의 패턴을 설계하고, 이를 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토 리소그래픽 공정과 적절한 식각공정을 통해, YBa
2 Cu
3 O
7-x /Mg0/Ti/Ag 구조의 12GHz용 대역통과필터를 제조하였다.
이러한 본 발명을 이용한 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스트립 방식의 전송선 소자이므로 제조도 용이하고 간단하다.
또한, 앞서 개발한 2-극 대역통과 필터보다 패턴의 크기는 약간 크지만, 시뮬레이션의 결과와도 잘 일치하고, 특히 입력신호의 통과대역 양단의 저지대역(stop band) 가파르기 특성이 매우 우수하며, 통과대역은 0.5dB 이내의 삽입손실과 매우 평탄함(flatness)을 보여주었다.

公开(公告)号：KR100401124B1

公开(公告)日：2003-10-10

申请号：KR1020010013208

申请日：2001-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 텔웨이브

Inventor： 강광용 ,  한석길 ,  곽민환 ,  안달

IPC: H01P1/203

CPC classification number: H01P11/007 ,  H01P1/203 ,  H01P1/212 ,  Y10S505/701 ,  Y10S505/866

Abstract: Disclosed is a high-temperature superconductor low-pass filter for removing broadband harmonics in a wireless communication system. The high-temperature superconductor low-pass filter includes a coupled line section and a transmission line section, in which the coupled line section is connected in parallel with the transmission line section. The coupled line section has two microstrip open-stub type parallel stripe lines stacked on a high-temperature superconductor, and the transmission line section has one stripe line. Since the high-temperature superconductor low-pass filter has attenuation poles at a stopband, it has stopband characteristics to 7-8 times wider than a cutoff frequency. The high-temperature superconductor low-pass filter can easily remove sub-harmonics which are inevitably occurred in the wireless communication system.

Abstract translation: 公开了一种用于消除无线通信系统中的宽带谐波的高温超导体低通滤波器。 高温超导体低通滤波器包括耦合线路部分和传输线部分，其中耦合线路部分与传输线部分并联连接。 耦合线路部分具有堆叠在高温超导体上的两条微带开路短柱型平行条线，并且传输线部分具有一条条线。 由于高温超导体低通滤波器在阻带处具有衰减极点，所以它具有比截止频率宽7-8倍的阻带特性。 高温超导体低通滤波器可以容易地去除在无线通信系统中不可避免地发生的次谐波。

公开(公告)号：KR1020020073051A

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：KR1020010013208

申请日：2001-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 텔웨이브

Inventor： 강광용 ,  한석길 ,  곽민환 ,  안달

IPC: H01P1/203

CPC classification number: H01P11/007 ,  H01P1/203 ,  H01P1/212 ,  Y10S505/701 ,  Y10S505/866

Abstract: PURPOSE: A high temperature superconductor LPF(Low Pass Filter) for removing broadband harmonics is provided to control easily an attenuation pole and extend a frequency range of a stopband to 10 times of a cutoff frequency by using a transmission line section and a coupled line section. CONSTITUTION: A couple of parallel conductive lines(244,245) is laminated on a high temperature superconductor epitaxial layer. The lead line(246) is extended from the first parallel conductive line(244) to an input terminal. The second lead line(247) is extended from the second parallel conductive line(245) to an output terminal. A conductive line(243) is used for connecting the first parallel conductive line(244) with the second parallel conductive line(245). A transmission line section(241) is formed with the parallel conductive lines(244,245). A coupled line section(242) is formed with the conductive line(243). A ratio of length of the transmission line section(241) to the coupled line section(242) is 2 to 1.

Abstract translation: 目的：提供用于去除宽带谐波的高温超导体LPF（低通滤波器），通过使用传输线部分和耦合线路部分来容易地控制衰减极点并将阻带的频率范围扩展到截止频率的10倍 。 构成：将一对平行的导线（244,245）叠层在高温超导体外延层上。 引线（246）从第一并行导线（244）延伸到输入端子。 第二引线（247）从第二平行导线（245）延伸到输出端子。 导线（243）用于将第一并联导线（244）与第二平行导线（245）连接起来。 传输线部分（241）形成有平行导线（244,245）。 耦合线路部分（242）形成有导线（243）。 传输线部分（241）与耦合线部分（242）的长度比为2比1。

公开(公告)号：KR100337642B1

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：KR1019990027011

申请日：1999-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한석길 ,  강광용 ,  정상돈 ,  피터맨해롤드

IPC: H01S5/30

CPC classification number: G01Q60/22

Abstract: 본발명은근접장탐침을이용한광혼합밀리미터파생성장치에관한것이다. 원리는제 1 및제 2 레이저에서나온레이저광을레이저빔 결합기를이용하여탐침직경이 0.05 내지 0.1㎛인근접장광혼합용광섬유탐침에주입한후, 탐침에서출력된레이저빔이주변으로산란되지않도록초고속반도체소자와광섬유간의거리를줄일수 있다. 또한, 레이저빔의직경이 0.1㎛정도이므로, 초고속반도체소자가최고로우수한특성영역을찾고, 두레이저광의파장차이에해당하는밀리미터파를생성하므로써, 밀리미터파신호의해상도및 잡음지수를개선할수 있는근접장탐침을이용한광혼합밀리미터파생성장치가개시된다.

公开(公告)号：KR1020010008923A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990027011

申请日：1999-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한석길 ,  강광용 ,  정상돈 ,  피터맨해롤드

IPC: H01S5/30

CPC classification number: G01Q60/22

Abstract: PURPOSE: An apparatus for producing an optical heterodyne millimetric wave using a near-field probe is provided to improve the resolution of the heterodyne light and, to improve the noise factor. CONSTITUTION: An apparatus for producing an optical heterodyne millimetric wave using a near-field probe is used to measure the property of a micro device. A feedback controller(101) designate a reference point for adjusting a distance between an optical fiber probe for near-field optical heterodyne and a property measurement device(106). A photo-diode(107) senses a laser beam of a HeNe-laser(111) for adjusting the distance. The property of the micro device is accurately measured by connecting an electrode contact area of the property measurement device to a micro probe(110) for applying a DC voltage to the electrode. A laser beam coupler(113) couples two laser beams of different frequency of a fist laser(112A) and a second laser(112B). The coupled laser beam is injected to the optical fiber probe. Also, the laser beam coupler mixes a millimetric signal with an output signal of a local oscillator(109). A spectrum analyzer(104) measures an intermediate frequency conversion signal of the mixed signal, and a semiconductor parameter analyzer(105) measures a parameter of the millimetric signal produced by the light of the optical fiber.

Abstract translation: 目的：提供一种使用近场探针产生光学外差毫米波的装置，以提高外差光的分辨率，并提高噪声系数。 构成：使用近场探针制造光学外差毫米波的装置用于测量微器件的性质。 反馈控制器（101）表示用于调整用于近场光学外差的光纤探针与属性测量装置（106）之间的距离的参考点。 光电二极管（107）感测用于调整距离的HeNe激光器（111）的激光束。 通过将性能测量装置的电极接触面连接到用于向电极施加直流电压的微型探针（110）来精确测量微器件的性质。 激光束耦合器（113）耦合第一激光器（112A）和第二激光器（112B）的不同频率的两个激光束。 将耦合的激光束注入到光纤探针中。 此外，激光束耦合器将毫米信号与本地振荡器（109）的输出信号混合。 频谱分析器（104）测量混合信号的中频变换信号，半导体参数分析仪（105）测量由光纤产生的毫米信号的参数。

公开(公告)号：KR1020000033367A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980050207

申请日：1998-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서정대 ,  한석길 ,  강광용

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2435 ,  C23C14/087 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225

Abstract: PURPOSE: To form a thin film of high temperature superconductor on both sides of an oxide substrate having large surface areas. CONSTITUTION: Two sintering targets(1,2) such as high temperature superconductor oxide YBa2Cu3O7-x are placed in a thin film depositing apparatus(11). A mono-crystalline oxide substrate(6) having large surface areas, such as, for example, MgO, SrTiO3, LaAlO3, Al2O3, LaSrGaO4, is fixed to a supporting structure(5), passing through separators(9,10). The substrate(6) is then rotated with the supporting structure(5) between the separators(9,10). While two heater(3,4) applies heat to both sides of the substrate(6), plasma generated from the targets(1,2) is sprayed on both sides of the substrate(6) and thereby a target material is deposited onto the substrate(6).

Abstract translation: 目的：在具有大表面积的氧化物基板的两面上形成高温超导体薄膜。 构成：将两个烧结靶（1,2）如高温超导体氧化物YBa2Cu3O7-x放置在薄膜沉积装置（11）中。 具有大表面积的单晶氧化物衬底（6）例如MgO，SrTiO 3，LaAlO 3，Al 2 O 3，LaSrGaO 4被固定到支撑结构（5）上，通过隔板（9,10）。 然后，基板（6）与分隔件（9,10）之间的支撑结构（5）一起旋转。 当两个加热器（3,4）对基板（6）的两侧施加热量时，从靶（1,2）产生的等离子体喷射在基板（6）的两侧，从而将目标材料沉积到 底物（6）。