미세 거리/위치 측정용 정전 용량형 센서 콘트롤러의 비선형성 보정장치
    21.
    发明公开
    미세 거리/위치 측정용 정전 용량형 센서 콘트롤러의 비선형성 보정장치 失效
    用于修正电容式传感器控制器非线性的装置,用于测量分钟距离/位置

    公开(公告)号:KR1020000000362A

    公开(公告)日:2000-01-15

    申请号:KR1019990044722

    申请日:1999-10-15

    Abstract: PURPOSE: A device for compensating a nonlinearity of a controller is provided to increase a precision of a distance and height measurement by a capacitive sensor with a simple structure. CONSTITUTION: A device for compensating a nonlinearity comprises:an inverse algorithm amplifying instrument outputting a voltage(B(Cr/Cx+Cs)) being in proportion to a capacitance of a standard capacitor(Cr) and inverse proportion to a capacitance of a capacitive sensor(Cx); a demodulator transforming the output voltage to a direct current(DC) voltage(D/(Cx+Cs)); a first divider figuring a voltage(ACx+ACs) being in proportion to the capacitance; an adder outputting the only signal(ACx) being in proportion to the capacitance of the capacitive sensor; and a second divider transforming the output signal from the adder to an output voltage(Xp) being in linear proportion to a linear term of a distance.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于补偿控制器非线性的装置,以通过具有简单结构的电容传感器提高距离和高度测量的精度。 构成:用于补偿非线性的装置包括:输出与标准电容器(Cr)的电容成比例的电压(B(Cr / Cx + Cs))的逆算法放大器,并且与电容器的电容成反比 传感器(CX); 解调器将输出电压转换为直流(DC)电压(D /(Cx + Cs)); 形成与电容成比例的电压(ACx + ACs)的第一分压器; 输出与电容式传感器的电容成比例的唯一信号(ACx)的加法器; 以及将来自加法器的输出信号转换为与距离的线性项成线性比例的输出电压(Xp)的第二分频器。

    주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기의 감도제어방법
    22.
    发明公开
    주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기의 감도제어방법 失效
    三维注射器用于扫描隧道显微镜的灵敏度控制方法

    公开(公告)号:KR1019960008363A

    公开(公告)日:1996-03-22

    申请号:KR1019940019469

    申请日:1994-08-08

    Abstract: 본 발명은 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기(scanner)의 감도제어방법에 관한 것으로 주사형 터널링 현미경용 3차원 주사기에 있어서 원통형 3차원 주사기의 z축을 위한 전극을 바깥쪽에 형성시켜 내부전극을 접지시키거나 z 전압을 가하게 하여 열팽창보상에 이용하고 또 z-전극의 길이를 변화시켜 각축의 감도를 조절하게 함을 특징으로 하는 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기의 감도제어방법.

    주사형 터널링 현미경의 피드백 회로
    23.
    发明公开
    주사형 터널링 현미경의 피드백 회로 失效
    扫描隧道显微镜的反馈电路

    公开(公告)号:KR1019960008357A

    公开(公告)日:1996-03-22

    申请号:KR1019940019470

    申请日:1994-08-08

    Abstract: 본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형 터널링 현미경의 피드백 회로에 관한 것으로, 아날로그 스위치를 사용하여 샘플-홀드 기능을 향상시키기 위한 주사형 터널링 현미경의 피드백(Feedback) 회로에 관한 것으로 이를 위해 본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형터널링 현미경의 피드백 회로에 있어서, 상기 터널링 전류전압과 피드백 회로의 최종 출력전압 중에서 하나를 선택하여 출력함으로써 피드백 기능을 제어하는 스위칭 수단(28)을 더 포함하여 구성된다.
    따라서 본 발명은 첫째, 피드백 회로가 끊어진후 오랜 시간이 경과되어도 스캔너의 z축에 걸리는 전압의 변화가 없으므로 스펙트로스코피의 실험시 오랜 시간에 걸친 정밀한 측정을 할 수 있고, 둘째, z축 전압을 컴퓨터의 디지탈/아날로그 변환기로 제어할 수 있으므로 샘플-홀더에 필요한 큰 용량을 갖는 캐패시터가 필요하지 않아 피드백 회로의 신뢰성과 속도를 향상시킬 수 있고, 셋째, 아날로그 스위치에 연선증폭기의 비반전 입력단을 통해 탐침 위치 제어 전압을 출력시킬 수 있으므로 서피스 모디피케이션(Surface Modification)을 위해서 탐침시료간거리를 임의로 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

    변위전달용 선형구조물 및 이를 이용한 1차원 및 3차원 미세 이동 장치
    24.
    发明公开
    변위전달용 선형구조물 및 이를 이용한 1차원 및 3차원 미세 이동 장치 有权
    用于位移传递的线性结构和使用其的一维和三维微动装置

    公开(公告)号:KR1020170079748A

    公开(公告)日:2017-07-10

    申请号:KR1020150190647

    申请日:2015-12-31

    CPC classification number: G02B21/26 G12B5/00 H01J37/20

    Abstract: 본발명의목적은정밀하고미세한이동을수행함에있어서단순한구조를통해시스템복잡성을최소화하면서원하는이동을원활하게수행할수 있도록하는구조를가지는, 변위전달용선형구조물및 이를이용한 1차원및 3차원미세이동장치를제공함에있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于位移传输的线性结构,其具有这样一种结构,该结构能够通过简单的结构在执行精确和精细的运动的同时使系统复杂性最小化并且能够平稳地执行期望的运动, 它是一个设备来提供。

    헤드 일체형 원자간력 현미경 및 이를 포함한 융합 현미경
    25.
    发明授权
    헤드 일체형 원자간력 현미경 및 이를 포함한 융합 현미경 有权
    原子力显微镜与集成头和融合显微镜包括相同

    公开(公告)号:KR101675489B1

    公开(公告)日:2016-11-14

    申请号:KR1020140187700

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: G01Q60/32 G01Q20/02 G01Q30/02 G01Q30/18 G01Q60/38

    Abstract: 본발명의목적은원자간력현미경(AFM)의헤드구조를최적화함으로써, 중량및 부피최소화와구조적안정성향상을실현하는원자간력현미경용일체형헤드를제공함에있다. 본발명의다른목적은, 이러한일체형헤드를장착함으로써동적특성이향상되어고속헤드스캔이가능해서대면적샘플이미징에활용할수 있는헤드일체형원자간력현미경을제공함에있다. 본발명의또다른목적은, 이처럼동적특성이향상된헤드일체형원자간력현미경과전자현미경또는광학현미경을융합함으로써, 고속위치탐색및 이미징이가능함과동시에관심영역에서는원자상수준까지의 3차원형상의정밀관찰이가능하도록하는, 헤드일체형원자간력현미경을포함한융합현미경을제공함에있다.

    원자간력 현미경의 측정 방법
    26.
    发明授权
    원자간력 현미경의 측정 방법 有权
    原子力显微镜的测量方法

    公开(公告)号:KR101607606B1

    公开(公告)日:2016-03-31

    申请号:KR1020150115182

    申请日:2015-08-17

    CPC classification number: G01Q60/32 G01Q10/065

    Abstract: 프로브로샘플의표면을스캔하여상기샘플의표면특성을측정하는원자간력현미경의측정방법에있어서, 상기프로브를상기샘플의표면상에서진동시키며상기프로브의움직임을검출하는것, 상기프로브의움직임의변화를이용하여상기샘플의표면정보를획득하는것, 및상기샘플의표면정보를이용하여상기프로브를제어하는것을포함하는원자간력현미경의측정방법을제공한다. 일예로, 상기샘플의표면정보는위치및 표면의기울기를포함할수 있다. 일예로, 상기프로브를상기샘플의표면상에서진동시키는것은상기프로브가상기프로브의스캔방향및 상기샘플의높이방향에수직한축을중심으로원운동을하는것을포함할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种测量原子力显微镜的方法。 通过用探针扫描样品的表面来测量原子力显微镜以测量样品的表面特性的方法包括:使用探针运动的变化获得样品的表面数据; 以及使用样品的表面数据的探针的控制。 作为示例,可以包括位置的位置和梯度。 作为示例,探针在样品表面上的振动包括以与探针的扫描方向垂直的轴为中心的圆周运动和样品的高度方向。

    2차원 도펀트 이미징 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 정량화 방법
    27.
    发明授权
    2차원 도펀트 이미징 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 정량화 방법 有权
    2-d掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料及其使用的测量方法

    公开(公告)号:KR101197130B1

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:KR1020090101972

    申请日:2009-10-26

    Inventor: 김달현

    Abstract: 본 발명은 2차원 도펀트 분포 이미징할 때 활성화된 도펀트 농도를 정량화하는 기준물질에 관한 것으로 특히, 전 도펀트 농도 구간에서 연속적으로 모든 측정 신호를 활성화된 도펀트 농도로 환산하여 정량화할 수 있도록 하는 도펀트 농도 정량화 기준물질에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 표준측정방법은 실리콘 등의 반도체 기판에 서로 다른 깊이로 다른 도스량의 도펀트 임플랜테이션을 여러번 반복한 후에 열처리함으로써, 깊이 방향으로 도펀트 농도가 순차적으로 증가 또는 감소하면서 두 개 이상의 도펀트 농도 고점 피크와 도펀트 저점 피크를 구비하여, 이 도펀트 농도 피크를 기준으로 2차원 도펀트측정신호와 1차원 도펀트농도 프로화일을 비교하여, 전 도펀트 농도 구간에서 모든 측정신호를 도펀트 농도로 연속적으로 변환하여 정량화할 수 있는 단결정 기준시료 및 그를 이용한 2차원 도펀트 농도 측정방법에 관한 것이다.
    도펀트, 정량화, 전기주사현미경, 기준물질

    고속 정전류모드 이온전도현미경
    28.
    发明公开
    고속 정전류모드 이온전도현미경 无效
    高速恒流模式扫描离子导管显微镜

    公开(公告)号:KR1020100019580A

    公开(公告)日:2010-02-19

    申请号:KR1020080060660

    申请日:2008-06-26

    Inventor: 김달현

    CPC classification number: G01Q60/44

    Abstract: PURPOSE: A high speed constant current mode ion conduction microscope for preventing bumping between a sample surface and pipette hole when performing high-sensitivity image is provided to use the signal between the pipette hole and the sample surface as the common mode feedback block. CONSTITUTION: An ion conductance microscope images the surface formation of a sample through a pipette hole equipping a pipette electrode(2). The constant current is applied in the pipette electrode of the ion conduction microscope. By using the signal comparing with to the ion conduction resistance which sensitively depends on the distance between the sample surface between the pipette hole and the pipette hole as the common mode feedback block, the shape of the sample surface is imaged.

    Abstract translation: 目的:提供高速恒流模式离子传导显微镜,用于在执行高灵敏度图像时防止样品表面和移液孔之间的碰撞,以使用移液管孔和样品表面之间的信号作为共模反馈块。 构成:离子电导显微镜通过配有移液管电极的移液管孔(2)对样品的表面形成图像进行成像。 将恒定电流施加在离子传导显微镜的移液管电极中。 通过使用与离子传导电阻相比较的信号,其敏感地取决于移液管孔和移液管孔之间的样品表面之间的距离作为共模反馈块,对样品表面的形状进行成像。

    고속 주사탐침현미경의 제어 방법
    29.
    发明公开
    고속 주사탐침현미경의 제어 방법 失效
    控制方法高速扫描探针显微镜模式

    公开(公告)号:KR1020080057079A

    公开(公告)日:2008-06-24

    申请号:KR1020060130408

    申请日:2006-12-19

    CPC classification number: G01Q10/065

    Abstract: A control method of a high-speed scanning probe microscope is provided to use in total number inspection of wafer or dynamics research by performing high speed-imaging through real time imaging. A control method of a high-speed scanning probe microscope, that includes a probe(12), a detector to detect a feedback signal according to the distance between the probe and a specimen, and a scanner to move the probe or specimen, comprises the steps of: scanning the surface of a specimen(14) by moving the probe horizontally, and determining whether the distance between the probe and specimen is within a high speed-operating distance range and, when the distance is within the high speed-operating distance range, sensing a feedback signal changed according to irregularity of the specimen while the probe is horizontally moved in a state that the probe feedback signal is removed.

    Abstract translation: 提供高速扫描探针显微镜的控制方法,用于通过实时成像执行高速成像来进行晶片或动力学研究的总数检验。 一种高速扫描探针显微镜的控制方法,包括探针(12),根据探针和样本之间的距离检测反馈信号的检测器和用于移动探针或样本的扫描仪,包括: 步骤:通过水平移动探头来扫描样品(14)的表面,并且确定探针和样品之间的距离是否在高速操作距离范围内,并且当距离在高速操作距离内时 在探测器反射信号被去除的状态下探测水平移动时,感测根据样本的不规则性而改变的反馈信号。

    입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구
    30.
    发明授权
    입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구 有权
    使用这种方法产生的使用粒子束和纳米管的纳米级材料的变形方法

    公开(公告)号:KR100767994B1

    公开(公告)日:2007-10-18

    申请号:KR1020050110592

    申请日:2005-11-18

    Abstract: 본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用粒子束改性纳米级材料的方法和使用这种方法制造的纳米工具。 与根据本发明的特征在于,粒子束所述纳米级材料的变形经线在所述粒子束的方向上的纳米尺寸的材料照射粒子束的纳米级材料。

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