Abstract:
PURPOSE: A device for compensating a nonlinearity of a controller is provided to increase a precision of a distance and height measurement by a capacitive sensor with a simple structure. CONSTITUTION: A device for compensating a nonlinearity comprises:an inverse algorithm amplifying instrument outputting a voltage(B(Cr/Cx+Cs)) being in proportion to a capacitance of a standard capacitor(Cr) and inverse proportion to a capacitance of a capacitive sensor(Cx); a demodulator transforming the output voltage to a direct current(DC) voltage(D/(Cx+Cs)); a first divider figuring a voltage(ACx+ACs) being in proportion to the capacitance; an adder outputting the only signal(ACx) being in proportion to the capacitance of the capacitive sensor; and a second divider transforming the output signal from the adder to an output voltage(Xp) being in linear proportion to a linear term of a distance.
Abstract:
본 발명은 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기(scanner)의 감도제어방법에 관한 것으로 주사형 터널링 현미경용 3차원 주사기에 있어서 원통형 3차원 주사기의 z축을 위한 전극을 바깥쪽에 형성시켜 내부전극을 접지시키거나 z 전압을 가하게 하여 열팽창보상에 이용하고 또 z-전극의 길이를 변화시켜 각축의 감도를 조절하게 함을 특징으로 하는 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기의 감도제어방법.
Abstract:
본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형 터널링 현미경의 피드백 회로에 관한 것으로, 아날로그 스위치를 사용하여 샘플-홀드 기능을 향상시키기 위한 주사형 터널링 현미경의 피드백(Feedback) 회로에 관한 것으로 이를 위해 본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형터널링 현미경의 피드백 회로에 있어서, 상기 터널링 전류전압과 피드백 회로의 최종 출력전압 중에서 하나를 선택하여 출력함으로써 피드백 기능을 제어하는 스위칭 수단(28)을 더 포함하여 구성된다. 따라서 본 발명은 첫째, 피드백 회로가 끊어진후 오랜 시간이 경과되어도 스캔너의 z축에 걸리는 전압의 변화가 없으므로 스펙트로스코피의 실험시 오랜 시간에 걸친 정밀한 측정을 할 수 있고, 둘째, z축 전압을 컴퓨터의 디지탈/아날로그 변환기로 제어할 수 있으므로 샘플-홀더에 필요한 큰 용량을 갖는 캐패시터가 필요하지 않아 피드백 회로의 신뢰성과 속도를 향상시킬 수 있고, 셋째, 아날로그 스위치에 연선증폭기의 비반전 입력단을 통해 탐침 위치 제어 전압을 출력시킬 수 있으므로 서피스 모디피케이션(Surface Modification)을 위해서 탐침시료간거리를 임의로 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 2차원 도펀트 분포 이미징할 때 활성화된 도펀트 농도를 정량화하는 기준물질에 관한 것으로 특히, 전 도펀트 농도 구간에서 연속적으로 모든 측정 신호를 활성화된 도펀트 농도로 환산하여 정량화할 수 있도록 하는 도펀트 농도 정량화 기준물질에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 표준측정방법은 실리콘 등의 반도체 기판에 서로 다른 깊이로 다른 도스량의 도펀트 임플랜테이션을 여러번 반복한 후에 열처리함으로써, 깊이 방향으로 도펀트 농도가 순차적으로 증가 또는 감소하면서 두 개 이상의 도펀트 농도 고점 피크와 도펀트 저점 피크를 구비하여, 이 도펀트 농도 피크를 기준으로 2차원 도펀트측정신호와 1차원 도펀트농도 프로화일을 비교하여, 전 도펀트 농도 구간에서 모든 측정신호를 도펀트 농도로 연속적으로 변환하여 정량화할 수 있는 단결정 기준시료 및 그를 이용한 2차원 도펀트 농도 측정방법에 관한 것이다. 도펀트, 정량화, 전기주사현미경, 기준물질
Abstract:
PURPOSE: A high speed constant current mode ion conduction microscope for preventing bumping between a sample surface and pipette hole when performing high-sensitivity image is provided to use the signal between the pipette hole and the sample surface as the common mode feedback block. CONSTITUTION: An ion conductance microscope images the surface formation of a sample through a pipette hole equipping a pipette electrode(2). The constant current is applied in the pipette electrode of the ion conduction microscope. By using the signal comparing with to the ion conduction resistance which sensitively depends on the distance between the sample surface between the pipette hole and the pipette hole as the common mode feedback block, the shape of the sample surface is imaged.
Abstract:
A control method of a high-speed scanning probe microscope is provided to use in total number inspection of wafer or dynamics research by performing high speed-imaging through real time imaging. A control method of a high-speed scanning probe microscope, that includes a probe(12), a detector to detect a feedback signal according to the distance between the probe and a specimen, and a scanner to move the probe or specimen, comprises the steps of: scanning the surface of a specimen(14) by moving the probe horizontally, and determining whether the distance between the probe and specimen is within a high speed-operating distance range and, when the distance is within the high speed-operating distance range, sensing a feedback signal changed according to irregularity of the specimen while the probe is horizontally moved in a state that the probe feedback signal is removed.
Abstract:
본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.