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公开(公告)号：KR1020170031401A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128862
申请日：2015-09-11
Abstract: 본발명은지지체가필요없는금속나노선및 3차원금속나노촉매의제조방법에관한것으로 (A) 요철이형성된트렌치기판에하이드록시가치환된제1 고분자를코팅후 오븐에서처리하는단계; (B) 오븐처리된트렌치기판상면에실리콘이적어도한쪽블록에포함된블록공중합체를코팅하는단계; (C) 블록공중합체가코팅된트렌치기판을어닐링하는단계; (D) 어닐링된트렌치기판을이온에칭(RIE)하여패턴을형성하며블록공중합체를산화실리콘(SiOx)로전환하는단계; (E) 산화실리콘패턴을하이드록시가치환된제2 고분자로코팅후 오븐에서처리하는단계; (F) 오븐처리된산화실리콘패턴상면에아크릴수지를코팅하는단계; (G) 산화실리콘패턴과코팅된아크릴수지를분리하여아크릴수지의일면에패턴과동일한형상으로다수개의음각이형성되는단계; (H) 다수개의음각사이에위치한아크릴수지의직선기둥을따라금속나노선을증착시키는단계; 및 (I) 금속나노선이증착된아크릴수지의금속나노선이기판에위치하도록부착한후 아크릴수지를제거하여지지체가없는금속나노선을제조하는단계;를포함함으로써, 3차원나노촉매를제조할수 있으며카본지지체가없어열화현상을최소화하고얇은두께로인해물질의이동거리감소와물배출이원활하다.
Abstract translation: 本发明包括涂料的步骤和在该（A）权利要求1的再羟基取代的聚合物上的金属纳米线的制造方法和三维纳米金属催化剂形成的基板的凹凸的沟槽不必支持在烘箱中处理; （B）在烘箱处理的沟槽衬底的上表面上的至少一个块中涂覆含有硅的嵌段共聚物; （C）将涂有嵌段共聚物的沟槽衬底退火; （D）对经退火的沟槽衬底进行离子蚀刻（RIE）以形成图案并将所述嵌段共聚物转化为氧化硅（SiOx）; （E）用被羟基取代的第二聚合物涂覆氧化硅图案并在烘箱中处理; （F）在经烘箱处理的氧化硅图案的顶表面上涂覆丙烯酸树脂; （G）除去氧化硅图案，并用相同的形状上具有多个凹形式的丙烯酸类树脂的一侧的图案涂布丙烯酸类树脂的步骤; （H）沿位于多个凹刻角之间的丙烯酸树脂的直柱沉积金属纳米线; 产生通过包括三维纳米催化剂;（I）和，以制备随后的金属或金属纳米线路径连接，以便被定位在所述基底上，以除去所述丙烯酸类树脂不具有沉积的丙烯酸类树脂的金属纳米线的支撑 它没有碳质支撑并使腐蚀最小化，薄的厚度减少了材料的移动距离和平稳的排水。
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公开(公告)号：KR1020160051487A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140159159
申请日：2014-11-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 패턴이형성된템플릿기판상에고분자박막을코팅하는단계; 상기고분자박막에접착필름을접착시켜상기템프릿기판으로부터떼어냄으로써상기고분자박막을복제박막몰드로제작하는단계; 상기복제박막몰드상에기능성물질을증착하여나노구조체를형성하는단계; 및유기용매증기를이용하여상기접착필름과상기복제박막몰드간접착력을선택적으로약화시키는단계;를포함하는것을특징으로하는나노구조체제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及纳米结构的制造方法。 更具体地说，纳米结构的制造方法包括以下步骤：在其上形成图案的模板衬底上涂覆聚合物涂层; 通过将粘合剂膜附着到聚合物涂层上并从聚合物涂层上分离聚合物涂层，从聚合物涂层制造复制涂层模具; 通过在复制涂层模具上沉积功能材料形成纳米结构; 并且使用有机溶剂蒸气选择性地弱化粘合剂膜和复制涂布模具之间的粘合强度。
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23.发明授权블록 공중합체의 유도 자기 조립을 이용한 동심원 나노갭 구조 기반 표면강화 라만 분광 기판 및 그 제조 방법 有权使用方向自组装的嵌段共聚物的基于纳米结构的表面增强的拉曼散射基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101555306B1
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020140125053
申请日：2014-09-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01J3/44
Abstract: 본 발명에 따른 표면강화 라만 분광기판의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 원형 구조체 상에 제1 증착 금속을 1차적으로 코팅하는 단계; 상기 원형 구조체를 제거하여 나노 크기의 구멍을 형성하는 단계; 상기 나노 크기의 구멍 상에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체의 코팅, 유도 자기 조립 과정 및 산화를 통해 동심원 나노 구조체를 형성하는 단계; 상기 동심원 나노 구조체 상에 제2 증착 금속을 2차적으로 코팅하는 단계; 및 상기 제2 증착 금속의 식각을 통해 복수의 동심원 금속 나노갭을 형성하는 단계;를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的表面增强拉曼散射基板的制造方法包括以下步骤：制备基板; 形成规则地布置在基板上的圆形结构; 首先用第一沉积金属涂覆基底和圆形结构; 通过去除圆形结构形成纳米孔; 通过涂层在纳米孔上形成同心纳米结构，诱导磁体自组装，两种或更多种不同的嵌段共聚物的氧化; 其次用第二沉积金属涂覆同心纳米结构; 以及通过蚀刻所述第二沉积金属形成多个同心金属纳米膜。
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公开(公告)号：KR1020150015708A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130091401
申请日：2013-08-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C08J3/00 , C08F293/00 , C08F299/08 , C08J7/00
CPC classification number: G03F7/0002
Abstract: 블록공중합체 자기조립을 위한 어닐링 방법으로, 팽창용매 및 비팽창용매가 혼합된 혼합용매에 블록공중합체를 침지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록공중합체 자기조립을 위한 어닐링 방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了一种新的退火方法，其可以在短时间内制造晶片级的各种图案的嵌段共聚物纳米结构，以及使用该退火方法制造纳米结构体的方法。 提供一种嵌段共聚物自组装的退火方法，其特征在于包括将嵌段共聚物浸渍在其中混合溶胀溶剂和非溶胀溶剂的混合溶剂中的步骤。
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公开(公告)号：KR101202506B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020110015021
申请日：2011-02-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자는 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120112924A
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020110030521
申请日：2011-04-04
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , C09K11/00 , B82Y10/00 , C01B32/182
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of graphene quantum dots is provided to manufacture graphene quantum dots of a constant size by applying a block copolymer self-assembling process, thereby capable of improving an existing broad PL spectrum performance. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene quantum dots comprises: a step(S1) of spreading a block copolymer on a material layer consisting of a mono-layered graphene; a step(S2) of forming a self-assembled structure of a several to dozens nano meters on the material layer by heat-treating the block copolymer and phase separation; and a step(S3) of etching the material layer by using the self-assembled structure as a mask. [Reference numerals] (S1) Spreading a block copolymer on a monolayered graphene; (S2) Forming a self-assembled structure by heat-treating the block copolymer; (S3) Etching the monolayer by using the self-assembled structure as a mask
Abstract translation: 目的：提供石墨烯量子点的制造方法，通过应用嵌段共聚物自组装工艺制造具有恒定尺寸的石墨烯量子点，从而能够改善现有的广泛的PL光谱性能。 构成：石墨烯量子点的制造方法包括：将嵌段共聚物扩散到由单层石墨烯构成的材料层上的工序（S1） 通过热处理嵌段共聚物和相分离，在材料层上形成数十纳米的自组装结构的步骤（S2）; 以及通过使用自组装结构作为掩模来蚀刻材料层的步骤（S3）。 （S1）在单层石墨烯上扩散嵌段共聚物; （S2）通过热处理嵌段共聚物形成自组装结构; （S3）使用自组装结构作为掩模蚀刻单层
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公开(公告)号：KR102257093B1
公开(公告)日：2021-05-31
申请号：KR1020190114640
申请日：2019-09-18
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단
IPC: G01N31/22
Abstract: 본발명은중공형무기입자를포함하는다공성고분자를이용하여다양한유기액체와접촉하는경우시각적인변화를나타낼수 있는빠른유기액체감지를위한투명도변화형반응매체에관한것이다. 본발명은 (a) 내부에계간기공을포함하는고분자매트릭스; 및 (b) 상기계간기공내부에위치하는중공형무기입자를포함하는투명도변화형반응매체를제공한다.
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公开(公告)号：KR101932334B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020170035880
申请日：2017-03-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/00 , H01L21/02 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101865647B1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020160133624
申请日：2016-10-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은레이저유도어닐링을이용한양자점나노구조체제조방법및 양자점패턴제조방법및 블록공중합체-결합(conjugated) 발광양자점에관한것으로, 양자점을준비하고, 블록공중합체를준비하고, 상기양자점과상기블록공중합체가화학적으로결합하여블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을형성하고, 상기블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을기재에도포하여블록공중합체-결합(conjugated) 양자점필름을형성하고, 상기필름을어닐링하여상기블록공중합체-결합(conjugated) 양자점이자기조립현상(self-as주사전자현미경bly)을통해양자점나노구조체를형성하는단계를포함하여이루어지고, 상기어닐링은상기필름에레이저조사를통해수행하는것을특징으로하는양자점나노구조체제조방법을제공한다.
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