公开(公告)号：FR2964246A1

公开(公告)日：2012-03-02

申请号：FR1056942

申请日：2010-09-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  FELK YACINE ,  LAMONTAGNE PATRICK

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/762

Abstract: Procédé de réalisation d'une structure tridimensionnelle intégrée par assemblage d'au moins deux parties (1, 2) comportant chacune au moins une ligne métallique (3, 4) recouverte d'une région de recouvrement (6, 7) possédant une face libre, comprenant : - une formation dans chaque partie, d'au moins une cavité (8, 9) dans la région de recouvrement (6, 7) débouchant sur la ligne métallique (3, 4 - une fixation mutuelle des deux régions de recouvrement (6, 7) par au moins une portion de leur face libre de façon à ce que lesdites cavités (8, 9) soient en regard l'une de l'autre ; - une formation d'un assemblage métallique des deux lignes comportant une électromigration du métal de l'une au moins des lignes métalliques (3, 4) à travers les cavités (8, 9).

公开(公告)号：FR2918795B1

公开(公告)日：2009-10-02

申请号：FR0756447

申请日：2007-07-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  BELREDON XAVIER

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

公开(公告)号：FR2928490A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：FR0851494

申请日：2008-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL ,  BOPP MATTHIEU

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne une structure semiconductrice comprenant une première zone active (R) sous laquelle est enterrée une première couche réfléchissante (32) et au moins une deuxième zone active (G) sous laquelle est enterrée une deuxième couche réfléchissante (34), caractérisée en ce que la surface supérieure de la deuxième couche réfléchissante est plus proche de la surface supérieure de la structure que la surface supérieure de la première couche réfléchissante.