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    Bilden von mit einem Muster versehenen Graphen-Schichten
    21.
    发明专利
    Bilden von mit einem Muster versehenen Graphen-Schichten 未知

    公开(公告)号：DE112012004791B4

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：DE112012004791

    申请日：2012-11-16

    Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CENTER (EGNC) ,  IBM

    Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

    IPC: B44C1/165 ,  B32B3/00 ,  B32B3/12 ,  B32B15/16 ,  H03F1/00

    Abstract: Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat, das aufweist: Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat; Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat; Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen; und Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

    Bilden von mit einem Muster versehenen Graphen-Schichten
    22.
    发明专利
    Bilden von mit einem Muster versehenen Graphen-Schichten 未知

    公开(公告)号：DE112012004791T5

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：DE112012004791

    申请日：2012-11-16

    Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC ,  IBM

    Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

    IPC: B44C1/165

    Abstract: Vorrichtung und Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat. Ein derartiges Verfahren beinhaltet ein Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat, ein Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat, ein Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenen Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen, sowie ein Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

    Oxidation of graphene and carbon nanotubes by a Ce (IV) salt
    23.
    发明专利
    Oxidation of graphene and carbon nanotubes by a Ce (IV) salt 未知

    公开(公告)号：GB2498054A

    公开(公告)日：2013-07-03

    申请号：GB201221175

    申请日：2012-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

    IPC: C01B31/02

    Abstract: A process is disclosed which comprises combining a Ce (IV) salt with a carbon material comprising carbon nanotubes or graphene wherein the Ce (IV) and is dissolved in a solvent comprising water. The process is conducted for a period of time and at a temperature and solution concentration sufficient to substantially oxidise the carbon material to produce an oxidised material that is substantially non-conducting. After the oxidation, the Ce (IV) is substantially removed from the oxidised material. An article of manufacture comprises the product on a substrate. The oxidised material can be formed as a pattern on the substrate. In another embodiment the substrate comprises an electronic device with the oxidised material patterning non-conductive areas separate from conductive areas of the non-oxidised carbon material, where the conductive areas are operatively associated with the device.

    SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES
    24.
    发明专利
    SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES 未知

    公开(公告)号：CA3102836A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：CA3102836

    申请日：2012-08-30

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  PARK HONGSIK

    IPC: C01B32/158 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C12N15/10

    Abstract: A method of forming a structure having selectively placed carbon nanotubes, a method of making charged carbon nanotubes, a bi-functional precursor, and a structure having a high density carbon nanotube layer with minimal bundling. Carbon nanotubes are selectively placed on a substrate having two regions. The first region has an isoelectric point exceeding the second region's isoelectric point. The substrate is immersed in a solution of a bi-functional precursor having anchoring and charged ends. The anchoring end bonds to the first region to form a self-assembled monolayer having a charged end. The substrate with charged monolayer is immersed in a solution of carbon nanotubes having an opposite charge to form a carbon nanotube layer on the self-assembled monolayer. The charged carbon nanotubes are made by functionalization or coating with an ionic surfactant.

    RECORDING MATERIALS OF IMPROVED LUBRICITY FOR USE IN ELECTROEROSION PRINTING
    28.
    发明专利
    RECORDING MATERIALS OF IMPROVED LUBRICITY FOR USE IN ELECTROEROSION PRINTING 未知

    公开(公告)号：CA1221831A

    公开(公告)日：1987-05-19

    申请号：CA465431

    申请日：1984-10-15

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  COHEN MITCHELL S ,  PENNINGTON KEITH S ,  SACHDEV KRISHNA G

    IPC: B41M5/24 ,  B41N1/14 ,  H05K3/00 ,  H05K3/08 ,  H05K3/28

    Abstract: RECORDING MATERIALS OF IMPROVED LUBRICITY FOR USE IN ELECTROEROSION PRINTING Electroerosion recording materials are provided with a surface lubricant film of particulate lubricating nonconductive graphite fluoride and optional conductive materials in a polymeric binder. The lubricating agents reduce stylus scratching of the conductive layer during electroerosion printing, improve contrast, provide a beneficial coating on the writing electrode or stylus and improve the handling and writing characteristics of the recording material. The lubricating agents/polymer films are especially useful (1) where the substrate of the recording material is light transmissive and, after the electroerosion process, the resulting product is suitable for direct-negative applications and (2) where direct offset masters are produced by removal of noneroded lubricant film.

    CERIUM(IV)-SALZE ALS WIRKSAMER DOTIERUNGSSTOFF FÜR KOHLENSTOFFNANORÖHRCHEN UND GRAPHEN
    29.
    发明专利
    CERIUM(IV)-SALZE ALS WIRKSAMER DOTIERUNGSSTOFF FÜR KOHLENSTOFFNANORÖHRCHEN UND GRAPHEN 未知

    公开(公告)号：DE102012222023B4

    公开(公告)日：2019-06-27

    申请号：DE102012222023

    申请日：2012-12-03

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  CHANDRA BHUPESH ,  TULEVSKI GEORGE S

    IPC: C01B32/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304

    Abstract: Verfahren zum Dotieren eines Kohlenstoffmaterials, das eine Dünnschicht aus Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT) oder Graphen auf einem Substrat aufweist, umfassend:- Eintauchen des Kohlenstoffmaterials in eine wässrige Lösung aus Cer(IV)-Salz, wobei das Cer(IV)-Salz aus einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkyl-Organo-Schwefelsäure oder einem Cer(IV)-Salz einer substituierten Niederalkan-Organo-Schwefelsäure gewählt wird,- nach einer vorgegebenen Zeitperiode Entnehmen des Substrats aus der Lösung, Spülen mit Wasser zum Entfernen von überschüssigem Cer(IV)-Salz und- Trocknen zum Erzeugen des dotierten Kohlenstoffmaterials auf dem Substrat.

    Field-effect transistor device
    30.
    发明专利
    Field-effect transistor device 未知

    公开(公告)号：GB2497175B

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：GB201220379

    申请日：2012-11-13

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  XIA FENGNIAN

    IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

    Abstract: A method and an apparatus for doping at least one of a graphene and a nanotube thin-film transistor field-effect transistor device to decrease contact resistance with a metal electrode. The method includes selectively applying a dopant to a metal contact region of at least one of a graphene and a nanotube field-effect transistor device to decrease the contact resistance of the field-effect transistor device.

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