公开(公告)号：DE112010004501T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010004501

申请日：2010-10-26

Applicant: IBM

Inventor： MARTIN YVES C ,  SANDSTROM ROBERT L ,  MOUMEN NAIM ,  VAN KESSEL THEODORE GERARD ,  GUHA SUPRATIK

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: Durch eine Anordnung von leitenden Durchkontaktierungen durch ein Substrat und optional durch eine Anordnung von leitenden Blöcken, die sich auf der Vorderseite einer Photovoltaikzelle befindet, wird ein elektrischer Kontakt mit der Vorderseite der Photovoltaikzelle bereitgestellt. Eine dielektrische Auskleidung stellt eine elektrische Trennung jeder leitenden Durchkontaktierung durch das Substrat gegenüber dem Halbleitermaterial der Photovoltaikzelle bereit. Eine dielektrische Schicht auf der Rückseite der Photovoltaikzelle ist so strukturiert, dass sie einen zusammenhängenden Bereich abdeckt, der alle leitenden Durchkontaktierungen durch das Substrat beinhaltet, während sie einen Abschnitt der Rückseite der Photovoltaikzelle freilegt. Eine Schicht eines leitenden Materials wird auf der Rückfläche der Photovoltaikzelle abgeschieden und so strukturiert, dass sie eine erste leitende Verdrahtungsstruktur, die die leitenden Durchkontaktierungen durch das Substrat elektrisch verbindet, und eine zweite leitende Verdrahtungsstruktur ausbildet, die eine elektrische Verbindung mit der Rückfläche der Photovoltaikzelle bereitstellt.

公开(公告)号：GB2497909B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：GB201307919

申请日：2011-10-20

Applicant: IBM

Inventor： SHIN BYUNGHA ,  BOJARCZUK NESTOR ,  GUHA SUPRATIK ,  WANG KEJIA

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

Abstract: Techniques for fabricating thin film solar cells, such as CuZnSn(S,Se) (CZTSSe) solar cells are provided. In one aspect, a method of fabricating a solar cell is provided that includes the following steps. A substrate is provided. The substrate is coated with a molybdenum (Mo) layer. A stress-relief layer is deposited on the Mo layer. The stress-relief layer is coated with a diffusion barrier. Absorber layer constituent components are deposited on the diffusion barrier, wherein the constituent components comprise one or more of sulfur (S) and selenium (Se). The constituent components are annealed to form an absorber layer, wherein the stress-relief layer relieves thermal stress imposed on the absorber layer, and wherein the diffusion barrier blocks diffusion of the one or more of S and Se into the Mo layer. A buffer layer is formed on the absorber layer. A transparent conductive electrode is formed on the buffer layer.

公开(公告)号：DE112011102949T5

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE112011102949

申请日：2011-10-20

Applicant: IBM

Inventor： WANG KEJIA ,  GUHA SUPRATIK ,  SHIN BYUNGHA ,  BOJARCZUK NESTOR

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

Abstract: Ein Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle, z. B. CuZnSn(S,Se)(CZTSSe), das die folgenden Schritte beinhaltet. Ein Substrat wird mit einer Molybdän(Mo)-Schicht beschichtet. Eine Spannungsentlastungsschicht wird auf die Mo-Schicht aufgebracht. Die Spannungsentlastungsschicht wird mit einer Diffusionssperre beschichtet. Bestandteile der Absorberschicht werden auf die Diffusionssperre aufgebracht, wobei die Bestandteile Schwefel (S) und/oder Selen (Se) aufweisen. Die Bestandteile werden wärmebehandelt, um eine Absorberschicht auszubilden, wobei die Spannungsentlastungsschicht thermische Spannungen abbaut, die in die Absorberschicht eingebracht werden, und wobei die Diffusionssperre die Diffusion von S und/oder Se in die Mo-Schicht blockiert. Eine Pufferschicht wird auf der Absorberschicht ausgebildet. Eine transparente leitfähige Elektrode wird auf der Pufferschicht ausgebildet.

公开(公告)号：CA2786144A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：CA2786144

申请日：2011-01-10

Applicant: IBM

Inventor： GUHA SUPRATIK ,  MARTIN YVES C ,  SANDSTROM ROBERT L ,  VAN KESSEL THEODORE G

IPC: H01L31/052 ,  F24S23/30

Abstract: A solar concentrator includes an optical member having a focal point. The optical member is configured and disposed to direct incident solar radiation to the focal point. A support member is positioned adjacent to the focal point of the optical member. A solar energy collector is supported upon the support member. The solar energy collector is positioned at the focal point of the optical member. A base member is positioned in a spaced relationship from the support member. The base member and the support member define a chamber section that is in a heat exchange relationship with the solar energy collector. The chamber section is configured to absorb and dissipate heat from the solar energy collectors.

公开(公告)号：DE112010003140B4

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE112010003140

申请日：2010-06-25

Applicant: IBM

Inventor： GUHA SUPRATIK ,  HOVEL HAROLD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Mehrfach-Fotovoltaikvorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst Ausbildung einer dielektrischen Schicht (104) aus einem leitenden Material auf einem Siliziumsubstrat (102), wobei das leitende Material Tantalum-Siliziumnitrid, Iridium-Rhenium, Iridium-Tantalum oder Rhenium-Tantalum umfasst; Ausbildung von Kanälen (316, 318) innerhalb der dielektrischen Schicht (104), wobei die Kanäle (316, 318) sich durch die dielektrische Schicht (104) erstrecken und einen oberen Teil des Siliziumsubstrates (102) freilegen; Ablagerung einer Schicht (420) amorphen Germaniums auf der dielektrischen Schicht (104), wobei die Germaniumschicht sich in den Kanälen (316, 318) erstreckt; Ermöglichung, dass die amorphe Germaniumschicht rekristallisieren kann, sodass ein kristallines Orientierungssiliziumsubstrat als eine Rekristallisierungsvorlage für das amorphe Germanium verwendet wird; Ausbildung einer ersten Fotovoltaik-Subzelle (628) umfassend eine erste Vielzahl dotierter Halbleiterschichten auf der Germaniumschicht, die rekristallisiert wurde; elektrisches Verbinden der ersten Fotovoltaik-Subzelle (628) mit der rekristallisierten Germanium-Schicht über eine erste Tunnelverbindung (638); Ausbildung zumindest einer zweiten Fotovoltaik-Subzelle (630) umfassend eine zweite Vielzahl dotierter Halbleiterschichten auf der ersten Fotovoltaik-Subzelle (628), die auf der Germaniumschicht ist, die auf der dielektrischen Schicht (104) ist; und elektrisches Verbinden zumindest der zweiten Fotovoltaik-Subzelle (630) mit der ersten Fotovoltaik-Subzelle (628) über eine zweite Tunnelverbindung (640).

公开(公告)号：GB2487881B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：GB201209027

申请日：2010-10-18

Applicant: IBM

Inventor： GUHA SUPRATIK ,  MARTIN YVES ,  SANDSTROM ROBERT ,  KESSEL THEODORE GERARD VAN

IPC: G01J1/42 ,  G06T7/00

公开(公告)号：DE112010004353T5

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE112010004353

申请日：2010-10-18

Applicant: IBM

Inventor： VAN KESSEL THEODORE GERARD ,  GUHA SUPRATIK ,  MARTIN YVES C ,  SANDSTROM ROBERT L

IPC: G01N25/72

Abstract: Es werden Techniken zum Analysieren der Leistungsfähigkeit von Solarzellenplatten und/oder Solarzellen bereitgestellt. In einem Aspekt wird ein Verfahren zum Analysieren eines unter Verwendung einer Infrarotkamera aufgenommenen Infrarotwärmebildes bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet die folgenden Schritte. Das Infrarotwärmebild wird in Temperaturdaten umgewandelt. Einzelne Elemente werden in dem Infrarotwärmebild isoliert. Die Temperaturdaten werden für jedes isolierte Element tabellarisch angeordnet. Auf der Grundlage von den tabellarisch angeordneten Temperaturdaten wird ein Leistungsfähigkeitsstatus jedes isolierten Elements ermittelttten und/oder Solarzellen gehören. In einem anderen Aspekt wird ein Infrarotdiagnostiksystem bereitgestellt. Das Infrarotdiagnostiksystem enthält eine Infrarotkamera, die aus der Ferne relativ zu einem oder mehreren abzubildenden Elementen angeordnet werden kann; sowie einen Computer, der so konfiguriert ist, dass er über eine Datenübertragungsverbindung von der Infrarotkamera Wärmebilder empfängt und die Wärmebilder analysiert.

公开(公告)号：DE69818166T2

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE69818166

申请日：1998-06-25

Applicant: IBM

Inventor： BOJARCZUK JR ,  GUHA SUPRATIK ,  GUPTA ARUNAVA ,  TANG WADE WAI-CHUNG

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/00 ,  G11B7/004 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/253

Abstract: This invention provides phase change media for optical storage based on semiconductors of nitrides of the column III metals. The surface of thin films of these wide bandgap semiconductors may be metallized (by desorption of the nitrogen) by irradiating with photons of energy equal to, or greater than the band gap of these materials, and with power densities beyond a critical threshold value. As a consequence of such writable metallization, these materials are excellent candidates for write once, read many times storage media since the differences in the reflectivity between the metal and its corresponding wide gap nitride are very large. Furthermore, once the nitrogen is desorbed, the written metallic phase can no longer revert back to the nitride phase and hence the media is stable and is truly a write-once system. Additional advantages offered by these materials over present day phase change media include higher differences in reflectivity contrast and suitability for use with short wavelength laser diodes (460 nm and lower) which are expected to be introduced into optical recording technology in the next 5 years. The band gap of alloys of nitrides of column III metals can be tuned by changing the relative fractions of the column III metals to continuously vary the band gap so as to be compatible with lasers having photon energies within the range. The low absorptivity and hence high transmissitivity, at the appropriate recording wavelength, of the starting phase also offers the potential application of these materials in a multiple-recording-layer format.

公开(公告)号：CA2786144C

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CA2786144

申请日：2011-01-10

Applicant: IBM

Inventor： GUHA SUPRATIK ,  MARTIN YVES C ,  SANDSTROM ROBERT L ,  VAN KESSEL THEODORE G

IPC: H02S40/22 ,  F24S23/30 ,  H02S40/42

Abstract: A solar concentrator includes an optical member having a focal point. The optical member is configured and disposed to direct incident solar radiation to the focal point. A support member is positioned adjacent to the focal point of the optical member. A solar energy collector is supported upon the support member. The solar energy collector is positioned at the focal point of the optical member. A base member is positioned in a spaced relationship from the support member. The base member and the support member define a chamber section that is in a heat exchange relationship with the solar energy collector. The chamber section is configured to absorb and dissipate heat from the solar energy collectors.

公开(公告)号：GB2484605B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：GB201119893

申请日：2010-06-25

Applicant: IBM

Inventor： GUHA SUPRATIK ,  HOVEL HAROLD

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18