公开(公告)号：GB2498674A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：GB201307732

申请日：2011-10-21

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  LIU SEN ,  HUANG WU-SONG ,  LI WAI-KIN

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: The present invention relates to a photoresist composition capable of negative development and a pattern forming method using the photoresist composition. The photoresist composition includes an imaging polymer and a radiation sensitive acid generator. The imaging polymer includes a first monomelic unit having a pendant acid labile moiety and a second monomelic unit containing a reactive ether moiety, an isocyanide moiety or an isocyanate moiety. The patterning forming method utilizes an organic solvent developer to selectively remove unexposed regions of a photoresist layer of the photoresist composition to form a patterned structure in the photoresist layer. The photoresist composition and the pattern forming method are especially useful for forming material patterns on a semiconductor substrate using 193nm (ArF) lithography.

公开(公告)号：DE112010003331T5

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：DE112010003331

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： VYKLICKY LIBOR ,  GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

Abstract: Härtbare flüssige Formulierung, welche das Folgende umfasst: (i) einen oder mehrere Nahinfrarot absorbierende Polymethinfarbstoffe; (ii) ein oder mehrere vernetzbare Polymere und (iii) ein oder mehrere Gießlösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch Nahinfrarot absorbierende feste Dünnschichten, die aus vernetzten Formen der härtbaren flüssigen Formulierung zusammengesetzt sind. Die Erfindung betrifft ferner ein mikroelektronisches Substrat, welches eine Beschichtung der Nahinfrarot absorbierenden festen Dünnschicht enthält, sowie ein Verfahren zum Strukturieren einer Photoresistschicht, die auf ein mikroelektronisches Substrat geschichtet wird, für den Fall, dass die Nahinfrarot absorbierende Dünnschicht zwischen dem mikroelektronischen Substrat und einer Photoresist-Dünnschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112011103278B4

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/62

Abstract: Elektronische Sicherung, die aufweist: eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei zumindest ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121, 461) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung (120) auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist; und einen ersten (111a) und einen zweiten (112a) Leitungsweg aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste (111a) und der zweite (112a) Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind, wobei an der Durchkontaktierung (120) angrenzende Teile des ersten (111a) und des zweiten (112a) Leitungswegs verengte Bereiche aufweisen.

公开(公告)号：DE112011103052T5

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE112011103052

申请日：2011-10-21

Applicant: IBM

Inventor： LI WAI-KIN ,  CHEN KUANG-JUNG ,  LIU SEN ,  HUANG WU-SONG

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Fotoresist-Zusammensetzung, die für die Negativentwicklung geeignet ist, und ein diese Fotoresist-Zusammensetzung verwendendes Strukturierungsverfahren. Die Fotoresist-Zusammensetzung weist ein Abbildungspolymer und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator auf. Das Abbildungspolymer weist eine erste Monomereinheit mit einer anhängenden säurelabilen Gruppe und eine zweite Monomereinheit auf, die eine reaktive Ethergruppe, eine Isocyanidgruppe oder eine Isocyanatgruppe enthält. Das Strukturierungsverfahren verwendet ein organisches Lösungsmittel als Entwickler, um unbelichtete Regionen einer Fotoresistschicht aus der Fotoresist-Zusammensetzung selektiv zu entfernen und in der Fotoresistschicht eine strukturierte Struktur zu bilden. Die Fotoresist-Zusammensetzung und das Strukturierungsverfahren sind besonders nützlich, um mithilfe der 193-nm-(ArF)-Lithografie auf einem Halbleitersubstrat Materialstrukturen zu bilden.

公开(公告)号：GB2484880B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：GB201203472

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN ,  GOLDFARB DARIO L ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: G03F7/09 ,  G03F9/00

公开(公告)号：DE112010003326T5

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE112010003326

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： LIU SEN ,  GOLDFARB DARIO L ,  HUANG WU-SONG ,  LI WAI-KIN ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: C09B67/10 ,  C08J5/18 ,  C08K5/17 ,  C08L63/00 ,  H01L21/02

Abstract: Härtbare flüssige Formulierung, umfassend wenigstens (i) einen oder mehrere Nahinfrarot-absorbierende Farbstoffe auf Triphenylaminbasis, und (ii) ein oder mehrere Gießlösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch Nahinfrarotabsorbierende Dünnschichten, die aus vernetzten Formen der härtbaren flüssigen Formulierung zusammengesetzt sind. Die Erfindung betrifft auch ein mikroelektronisches Substrat, das eine Schicht der festen, Nahinfrarot-absorbierenden Dünnschicht umfasst, und ein Verfahren zum Strukturieren einer Fotolackschicht, die auf ein mikroelektronisches Substrat geschichtet ist, falls die nahinfrarot-absorbierende Dünnschicht zwischen dem mikroelektronischen Substrat und einer Fotolack-Dünnschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：GB2484880A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：GB201203472

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN ,  GOLDFARB DARIO L ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: G03F7/09 ,  G03F9/00

Abstract: A curable liquid formulation containing at least (i) one or more near-infrared absorbing triphenylamine -based dyes, and (ii) one or more casting solvents. The invention is also directed to solid near- infrared absorbing films composed of crosslinked forms of the curable liquid formulation. The invention is also directed to a microelectronic substrate containing a coating of the solid near-infrared absorbing film as well as a method for patterning a photoresist layer coated on a microelectronic substrate in the case where the near-infrared absorbing film is between the microelectronic substrate and a photoresist film.