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公开(公告)号:DE102016103714A1
公开(公告)日:2017-09-07
申请号:DE102016103714
申请日:2016-03-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KOSITZA JÜRGEN , HUBER HARALD , LENZ MICHAEL , GIETLER HERBERT
Abstract: Ein Leistungshalbleiterpackage enthält einen Referenzspannungsanschluss, einen Versorgungsspannungsanschluss, einen Phasenanschluss, einen ersten Leistungstransistor und einen zweiten Leistungstransistor. Der erste Leistungstransistor und der zweite Leistungstransistor sind in Reihe geschaltet und bilden einen Low-Side-Schalter und einen High-Side-Schalter einer Halbbrückenschaltung.
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公开(公告)号:DE102015011718A1
公开(公告)日:2016-03-10
申请号:DE102015011718
申请日:2015-09-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AHLERS DIRK , AUER FRANK , GIETLER HERBERT , LENZ MICHAEL
Abstract: Eine Gleichrichtungsvorrichtung weist einen Leistungstransistor und eine Gatesteuerschaltung und eine Kondensatorstruktur auf, die auf einem Halbleitereinzelchip angeordnet sind. Der Leistungstransistor weist einen Source- oder Emitteranschluss, der mit einem ersten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, einen Drain- oder Kollektoranschluss, der mit einem zweiten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, und ein Gate auf. Die Gatesteuerschaltung ist dafür ausgelegt, eine (die) Gatespannung am Gate des Leistungstransistors auf der Grundlage zumindest eines Parameters in Bezug auf eine Spannung und/oder einen Strom zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss zu steuern.
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公开(公告)号:DE102008023626A1
公开(公告)日:2009-11-26
申请号:DE102008023626
申请日:2008-05-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LENZ MICHAEL
IPC: H01H47/22
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公开(公告)号:DE102005012625B4
公开(公告)日:2009-01-02
申请号:DE102005012625
申请日:2005-03-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BODANO EMANUELE , LENZ MICHAEL
Abstract: The arrangement has two light emitting diode arrangements with switching devices e.g. transistor that provide operating currents for the arrangements. The switching devices are switched off and on such that the two diode arrangements glow with given brightness. A logic device (1) is provided for controlling the switching devices such that respective operating current for corresponding arrangements is not provided at the same time. An independent claim is also included for a method for simultaneous operation of light emitting diodes.
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公开(公告)号:DE102006046729A1
公开(公告)日:2008-08-07
申请号:DE102006046729
申请日:2006-10-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LENZ MICHAEL
Abstract: The circuit (10) has a current sensor (5) for providing a current measuring signal (S5) dependent on current (IL) through a load current path. A control circuit (2) provides a clocked control signal (S2) with control cycles having activation and deactivation durations for a switch unit (6) e.g. power transistor. A temperature sensor arrangement (4) has a temperature sensor (42) to determine ambient temperature in an area of the sensor. The arrangement provides a temperature measuring signal (S4) dependent on ambient temperature. The clocked control signal is dependent on the signals (S4, S5). An independent claim is also included for a circuit arrangement comprising a load.
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公开(公告)号:DE59814136D1
公开(公告)日:2008-01-24
申请号:DE59814136
申请日:1998-07-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LENZ MICHAEL , HORCHLER WOLFGANG , AUER FRANK
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公开(公告)号:DE10335111B4
公开(公告)日:2006-12-28
申请号:DE10335111
申请日:2003-07-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LENZ MICHAEL , OTREMBA RALF , ROEDIG HERBERT
Abstract: A mounting process for a semiconductor component comprises applying solder to the component (3) or mount (11,12), bringing the two parts together and heating at least one part of the component above the solder melting point by applying electrical power to the component to bond the parts and then cooling.
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公开(公告)号:DE59902160D1
公开(公告)日:2002-09-05
申请号:DE59902160
申请日:1999-01-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , KOSTAL LEOPOLD GMBH & CO KG
Inventor: HUCKFELD OLAF , LENZ MICHAEL
Abstract: The novel method synchronizes an electronic device for monitoring the operation of a microprocessor (watchdog) with the microprocessor when the microprocessor is run up from a quiescent mode to an operating mode. The synchronization is effected by a trigger signal that is transmitted from the microprocessor to the monitoring device and that signals the operational availability of the microprocessor. The monitoring device, in order to receive the trigger signals, temporally toggles between a CLOSED window status, in which a trigger signal cannot be detected by the monitoring device, and an OPEN window status, in which the received trigger signal brings about synchronization between the microprocessor and the monitoring device. The microprocessor watchdog device has a trigger signal input which toggles, in a clocked manner, between a disabled position (CLOSED window) and an enabled position (OPEN window). The trigger signal is received during the OPEN window.
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公开(公告)号:DE10101852A1
公开(公告)日:2002-04-04
申请号:DE10101852
申请日:2001-01-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUER FRANK , LENZ MICHAEL
IPC: H05B39/04
Abstract: The lamp operating circuit has 2 terminals (1,2) connected across the onboard network voltage (Vin), which are coupled via a lamp (3) in series with a semiconductor switch (4), connected at its control electrode (G) to a control device (5), for regulating the lamp current so that the mean lamp voltage is below the network voltage. The control device supplies the control electrode with a pulsed control signal (VG) having a pulse-pause ratio dependent on the network voltage.
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30.
公开(公告)号:DE102016103714B4
公开(公告)日:2021-09-30
申请号:DE102016103714
申请日:2016-03-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KOSITZA JÜRGEN , HUBER HARALD , LENZ MICHAEL , GIETLER HERBERT
Abstract: Leistungshalbleiterpackage, umfassend:einen Referenzspannungsanschluss (2);einen Versorgungsspannungsanschluss (4);einen Phasenanschluss (6);einen ersten Leistungstransistor (8) mit einer Gate-Elektrode;einen zweiten Leistungstransistor (10) mit einer Gate-Elektrode,wobei der Versorgungsspannungsanschluss (4) elektrisch an den ersten Leistungstransistor (8) gekoppelt ist, der Referenzspannungsanschluss (2) elektrisch an den zweiten Leistungstransistor (10) gekoppelt ist, der Phasenanschluss (6) elektrisch zwischen den ersten Leistungstransistor (8) und den zweiten Leistungstransistor (10) geschaltet ist, der Versorgungsspannungsanschluss (4), der erste Leistungstransistor (8), der Phasenanschluss (6), der zweite Leistungstransistor (10) und der Referenzspannungsanschluss (2) nacheinander in Reihe geschaltet sind und der erste Leistungstransistor (8) und der zweite Leistungstransistor (10) einen Low-Side-Schalter und einen High-Side-Schalter einer Halbbrückenschaltung bilden;einen ersten Controller (12), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8); undeinen zweiten Controller (14), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10), wobeider erste Controller (12) zwischen die Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8) und den Referenzspannungsanschluss (2) geschaltet ist, undder zweite Controller (14) zwischen die Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10) und den Versorgungsspannungsanschluss (4) geschaltet ist.
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