Gleichrichtervorrichtung und Anordnung von Gleichrichtern

    公开(公告)号:DE102015011718A1

    公开(公告)日:2016-03-10

    申请号:DE102015011718

    申请日:2015-09-08

    Abstract: Eine Gleichrichtungsvorrichtung weist einen Leistungstransistor und eine Gatesteuerschaltung und eine Kondensatorstruktur auf, die auf einem Halbleitereinzelchip angeordnet sind. Der Leistungstransistor weist einen Source- oder Emitteranschluss, der mit einem ersten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, einen Drain- oder Kollektoranschluss, der mit einem zweiten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, und ein Gate auf. Die Gatesteuerschaltung ist dafür ausgelegt, eine (die) Gatespannung am Gate des Leistungstransistors auf der Grundlage zumindest eines Parameters in Bezug auf eine Spannung und/oder einen Strom zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss zu steuern.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102005012625B4

    公开(公告)日:2009-01-02

    申请号:DE102005012625

    申请日:2005-03-18

    Abstract: The arrangement has two light emitting diode arrangements with switching devices e.g. transistor that provide operating currents for the arrangements. The switching devices are switched off and on such that the two diode arrangements glow with given brightness. A logic device (1) is provided for controlling the switching devices such that respective operating current for corresponding arrangements is not provided at the same time. An independent claim is also included for a method for simultaneous operation of light emitting diodes.

    27.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE10335111B4

    公开(公告)日:2006-12-28

    申请号:DE10335111

    申请日:2003-07-31

    Abstract: A mounting process for a semiconductor component comprises applying solder to the component (3) or mount (11,12), bringing the two parts together and heating at least one part of the component above the solder melting point by applying electrical power to the component to bond the parts and then cooling.

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE59902160D1

    公开(公告)日:2002-09-05

    申请号:DE59902160

    申请日:1999-01-07

    Abstract: The novel method synchronizes an electronic device for monitoring the operation of a microprocessor (watchdog) with the microprocessor when the microprocessor is run up from a quiescent mode to an operating mode. The synchronization is effected by a trigger signal that is transmitted from the microprocessor to the monitoring device and that signals the operational availability of the microprocessor. The monitoring device, in order to receive the trigger signals, temporally toggles between a CLOSED window status, in which a trigger signal cannot be detected by the monitoring device, and an OPEN window status, in which the received trigger signal brings about synchronization between the microprocessor and the monitoring device. The microprocessor watchdog device has a trigger signal input which toggles, in a clocked manner, between a disabled position (CLOSED window) and an enabled position (OPEN window). The trigger signal is received during the OPEN window.

    Leistungshalbleiterpackages und Multiphasengleichrichter mit einem Leistungshalbleiterpackage

    公开(公告)号:DE102016103714B4

    公开(公告)日:2021-09-30

    申请号:DE102016103714

    申请日:2016-03-02

    Abstract: Leistungshalbleiterpackage, umfassend:einen Referenzspannungsanschluss (2);einen Versorgungsspannungsanschluss (4);einen Phasenanschluss (6);einen ersten Leistungstransistor (8) mit einer Gate-Elektrode;einen zweiten Leistungstransistor (10) mit einer Gate-Elektrode,wobei der Versorgungsspannungsanschluss (4) elektrisch an den ersten Leistungstransistor (8) gekoppelt ist, der Referenzspannungsanschluss (2) elektrisch an den zweiten Leistungstransistor (10) gekoppelt ist, der Phasenanschluss (6) elektrisch zwischen den ersten Leistungstransistor (8) und den zweiten Leistungstransistor (10) geschaltet ist, der Versorgungsspannungsanschluss (4), der erste Leistungstransistor (8), der Phasenanschluss (6), der zweite Leistungstransistor (10) und der Referenzspannungsanschluss (2) nacheinander in Reihe geschaltet sind und der erste Leistungstransistor (8) und der zweite Leistungstransistor (10) einen Low-Side-Schalter und einen High-Side-Schalter einer Halbbrückenschaltung bilden;einen ersten Controller (12), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8); undeinen zweiten Controller (14), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10), wobeider erste Controller (12) zwischen die Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8) und den Referenzspannungsanschluss (2) geschaltet ist, undder zweite Controller (14) zwischen die Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10) und den Versorgungsspannungsanschluss (4) geschaltet ist.

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