公开(公告)号：DE102012210153B4

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102012210153

申请日：2012-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H03K17/08 ,  H01L23/62 ,  H02H5/04 ,  H02H7/20 ,  H02H9/04 ,  H03K17/695

Abstract: Elektronische Schaltung, die aufweist: einen Transistor (1) mit einem Steueranschluss (G) zum Zuführen eines Ansteuersignals (VGS) und einer Laststrecke (D-S) zwischen einem ersten und einem zweiten Lastanschluss (D, S); eine Spannungsschutzschaltung (3) die an den Transistor (1) gekoppelt ist und die einen Steuereingang aufweist, wobei die Spannungsschutzschaltung (3) dazu ausgebildet ist, einen aktivierten Zustand oder einen deaktivierten Zustand abhängig von einem dem Steuereingang zugeführten Steuersignal (S3) anzunehmen, und dazu ausgebildet ist, eine Spannung (VDG) zwischen den Lastanschlüssen (D, S) oder zwischen einem der Lastanschlüsse (D, S) und dem Steueranschluss (G) zu begrenzen; und eine Steuerschaltung (4), die an den Steuereingang der Spannungsschutzschaltung (3) gekoppelt ist, die dazu ausgebildet ist, einen Wert wenigstens eines Betriebsparameters (S4) mit einem Schwellenwert zu vergleichen und die Spannungsschutzschaltung (3) abhängig von dem Vergleichsergebnis zu deaktivieren, und die dazu ausgebildet ist eine Temperatur des Transistors (1) zu detektieren, wobei der Schwellenwert abhängig von der detektierten Temperatur ist.

公开(公告)号：DE102014100877A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102014100877

申请日：2014-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L27/06 ,  G01R19/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: Eine integrierte Schaltung mit einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Leistungskomponente (200) mit einer Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einem Zellarray, wobei die Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einer ersten Richtung (x) verlaufen, und eine Sensorkomponente (250), die in das Zellarray der Leistungskomponente (200) integriert ist und eine Sensorzelle mit einer Fläche aufweist, die kleiner ist als eine Fläche des Zellarrays der Leistungskomponente (200). Die integrierte Schaltung umfasst außerdem Isolationstrenches (205), die zwischen der Sensorkomponente (250) und der Leistungskomponente (200) angeordnet sind, wobei ein isolierendes Material in den Isolationstrenches (205) vorgesehen ist. Die Isolationstrenches (205) verlaufen in einer zweiten, von der ersten Richtung (x) verschiedenen Richtung (y).

公开(公告)号：DE102013213734A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：DE102013213734

申请日：2013-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  G01R19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement ein Feld von in einen Halbleiterkörper integrierten Transistorzellen. Eine Anzahl der Transistorzellen, die einen Leistungstransistor bildet, und mindestens eine der Transistorzellen, die einen Sense-Transistor bildet. Eine erste Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht, mit der/den Transistorzelle(n) des Sense-Transistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch isoliert. Eine zweite Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht und bedeckt die Transistorzellen sowohl des Leistungstransistors als auch des Sense-Transistors und bedeckt die erste Source-Elektrode mindestens teilweise derart, dass die zweite Source-Elektrode nur mit den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Sense-Transistors elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102008059853B4

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102008059853

申请日：2008-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  THEIL ARON

IPC: G01R19/00 ,  H03K17/082 ,  H03K17/687

Abstract: Schaltungsanordnung, die aufweist: einen Laststrompfad mit einem Lasttransistor (21), der einen ersten und einem zweiten Laststreckenanschluss und einen Steueranschluss aufweist; einen ersten Messstrompfad mit einem Messtransistor (22), der einen ersten und einen zweiten Laststreckenanschluss und einen Steueranschluss aufweist, dessen Steueranschluss an den Steueranschluss des Lasttransistors (21) und dessen erster Laststreckenanschluss an den ersten Laststreckenanschluss des Lasttransistors (21) gekoppelt ist; eine erste Regelschaltung (4), die einen steuerbaren Widerstand (42) aufweist und die dazu ausgebildet ist, diesen Widerstand (42) abhängig von elektrischen Potenzialen an den zweiten Laststreckenanschlüssen des Lasttransistors (21) und des Messtransistors (22) anzusteuern; einen zweiten Messstrompfad und eine zwischen den ersten und den zweiten Messstrompfad gekoppelte Stromspiegelschaltung (6); eine Deaktivierungsschaltung (7), die dazu ausgebildet ist, die erste Regelschaltung (4) abhängig von einem den Messtransistor (22) durchfließenden Strom zu deaktivieren.

公开(公告)号：DE102006036349A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：DE102006036349

申请日：2006-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/15

Abstract: A switching apparatus and method for detecting an operating state is disclosed. One embodiment has a MOS transistor, a replica of the MOS transistor and an evaluation arrangement and detects the start of switching of the MOS transistor by comparing the gate-source voltages of the transistors.

公开(公告)号：DE10342990A1

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：DE10342990

申请日：2003-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/165 ,  G01R31/28 ,  G01R31/26

Abstract: A cell type power transistor (100) load current measurement procedure measures obtains the potential difference between points (Se1, 2) with maximum separation in the current flow direction across insulated areas on the flat contact (30) surface (10) using weighting of values measured (32) at several points. Independent claims are included for equipment using the procedure.

公开(公告)号：DE102022116934A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102022116934

申请日：2022-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GIUNTA CARMELO ,  NUEBLING MARCUS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Treibervorrichtung umfasst: einen Spannungsanschluss; einen Masseanschluss; einen Ausgangsanschluss; einen ersten nMOS-Leistungstransistor mit einem Drain, der elektrisch mit dem Spannungsanschluss verbunden ist, einer Source, die elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, und einem Gate; eine Überspannungsschutzschaltung, die dazu ausgelegt ist, eine Gate-Source-Spannung des ersten nMOS-Leistungstransistors in einem Normalbetriebsmodus für die Treibervorrichtung zu begrenzen; eine Pulldown-Schaltung, die dazu ausgelegt ist, das Ausschalten des ersten nMOS-Leistungstransistors in einem Stresstestmodus für die Treibervorrichtung zu erzwingen; und eine Sperrschaltung, die dazu ausgelegt ist, im Stresstestmodus den Stromfluss von dem Ausgangsanschluss zu dem Masseanschluss durch die Überspannungsschutzschaltung und die Pulldown-Schaltung zu sperren. Außerdem ist ein Verfahren zum Stresstesten der Treibervorrichtung beschrieben.

公开(公告)号：DE102018207308B4

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE102018207308

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  BEMMERL THOMAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Halbleiterbauteil, aufweisend:ein erstes Chippad (30);einen Leistungshalbleiterchip (20), der auf dem ersten Chippad (30) angeordnet ist und zumindest eine erste und eine zweite Leistungselektrode aufweist; undeinen Clip (10) mit einem zentralen Teil, der einen Shunt-Widerstand ausbildet, und einem ersten Kontaktfinger (14), der seitlich aus dem zentralen Teil herausragt, wobei der zentrale Teil mit der ersten Leistungselektrode verbunden ist, wobei ein distales Ende des ersten Kontaktfingers (14) einen ersten externen Anschluss (50, 50.3) des Halbleiterbauteils bildet,wobei der Clip (10) einen zweiten Kontaktfinger (15) des Shunt-Widerstands (220) aufweist, undwobei ein distales Ende des zweiten Kontaktfingers (15) einen zweiten externen Anschluss (50, 50.4) des Halbleiterbauteils bildet.

公开(公告)号：DE102018207308A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018207308

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINALD ,  BEMMERL THOMAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Halbleiterbauteil umfasst ein erstes Chippad, einen Leistungshalbleiterchip, der auf dem ersten Chippad angeordnet ist und zumindest eine erste und eine zweite Leistungselektrode aufweist, und einen Clip, der mit der ersten Leistungselektrode verbunden ist. Dabei bildet ein integraler Teil des Clips einen Shunt-Widerstand und ein erster Kontaktfinger des Shunt-Widerstands ist integral mit dem Clip ausgebildet.

公开(公告)号：DE102011090101B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102011090101

申请日：2011-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS

IPC: G01R19/00

Abstract: Schaltungsanordnung, die aufweist:einen ersten Lasttransistor (T), der dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (i) an eine erste Last (Z), die an eine Drainelektrode (D) des ersten Lasttransistors (T) anschließbar ist, zu steuern;einen zweiten Lasttransistor (T), der dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (i) an eine zweite Last (Z), die an eine Drainelektrode (D) des zweiten Lasttransistors (T) anschließbar ist, zu steuern;einen Messtransistor (T) , der dazu ausgebildet ist, an den ersten oder zweiten Lasttransistor (T, T) abhängig von einem Schaltsignal gekoppelt zu werden, wobei der Messtransistor (T) eine Drainelektrode (D) aufweist, die einen Messstrom bereitstellt (i) , der einen Laststrom (i; i) des daran angeschlossenen Lasttransistors (T, T) repräsentiert, wobei die ersten und zweiten Lasttransistoren (T, T) und der Messtransistor (T) Feldeffekttransistoren aufweisen, die eine gemeinsame Sourceelektrode (S) haben; undeine Messschaltung, die dazu ausgebildet ist, den Messstrom (i) von dem Messtransistor (T) zu erhalten und ein Ausgangssignal zu erzeugen, wobei das Ausgangssignal den Laststrom (i; i) des an den Messtransistor (T) gekoppelten Lasttransistors (T; T) repräsentiert.