公开(公告)号：WO2023025937A2

公开(公告)日：2023-03-02

申请号：PCT/EP2022/073777

申请日：2022-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines Laserchips (20) angegeben, das Verfahren umfassend die Schritte Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (21) mit einer aktiven Zone (22) auf einem Substrat (23), Abtragen eines Teils des Substrats (23), eines Teils der aktiven Zone (22) und eines Teils der Halbleiterschichtenfolge (21) durch trockenchemisches Ätzen, so dass mindestens eine Seitenkante (24) gebildet wird, welche sich zumindest stellenweise quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Substrats (23) erstreckt, und Abtragen eines Teils des Substrats (23), eines Teils der aktiven Zone (22) und eines Teils der Halbleiterschichtenfolge (21) an der Seitenkante (24) durch nasschemisches Ätzen, wobei die aktive Zone (22) dazu ausgelegt ist Laserstrahlung zu emittieren. Außerdem wird ein Laserchip (20) angegeben.

公开(公告)号：WO2023011845A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/EP2022/068928

申请日：2022-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323 ,  H01S5/10

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) und ein transparentes Substrat (3). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine erste Facette (21) auf, die für eine Abstrahlung der Laserstrahlung (L) eingerichtet ist, und eine der ersten Facette (21) gegenüberliegende zweite Facette (22). Das Substrat (3) weist eine erste Seitenfläche (31) an der ersten Facette (21) und eine zweite Seitenfläche (32) an der zweiten Facette (22) auf. Die erste Seitenfläche (31) ist mindestens stellenweise schräg zur ersten Facette (21) orientiert und/oder die zweite Seitenfläche (32) ist mindestens stellenweise schräg zur zweiten Facette (22) orientiert.

公开(公告)号：WO2023280662A2

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：PCT/EP2022/067961

申请日：2022-06-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  HOEPPEL, Lutz ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S2301/166 ,  H01S5/04253 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/34333

Abstract: Ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei die erste Halbleiterschicht (110) unter Ausbildung einer Mesa (123) strukturiert ist, eine aktive Zone (115) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (15) sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Die erste Halbleiterschicht (110), die aktive Zone (115) und die zweite Halbleiterschicht (120) sind unter Ausbildung eines Halbleiterschichtstapels (121) übereinander gestapelt. Der oberflächenemittierende Halbleiterlaser umfasst weiterhin eine Mantelschicht (125), die an eine Seitenwand (122) der Mesa (123) angrenzt.

公开(公告)号：WO2019238767A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/065369

申请日：2019-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/02

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet. Ein Stegwellenleiter (3) ist als Erhebung aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus gestaltet. Eine elektrische Kontaktschicht (5) befindet sich direkt am Stegwellenleiter (3). Ein metallischer elektrischer Anschlussbereich (6) befindet sich direkt an der Kontaktschicht (5) und ist zum externen elektrischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet. Eine metallische Brechbeschichtung (7) reicht direkt bis an Facetten (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) heran und befindet sich an dem Stegwellenleiter (3). Die Brechbeschichtung (7) ist elektrisch funktionslos und weist eine niedrigere Schallgeschwindigkeit für eine Bruchwelle auf, als die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich des Stegwellenleiters (3).

公开(公告)号：WO2019215087A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：PCT/EP2019/061557

申请日：2019-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ALI, Muhammad ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (2) angegeben mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb Laserstrahlung von einer Facette aussendet, und - einer ersten Passivierungsschicht (11), wobei - die Halbleiterschichtenfolge (3) einen Stegwellenleiter (5) aufweist, der eine Deckfläche (7) und daran angrenzende Seitenflächen (6) aufweist, - die erste Passivierungsschicht (11) die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise bedeckt, und - die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise frei von der ersten Passivierungsschicht (11) sind. Außerdem werden ein Laserbauteil und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiodeangegeben.

公开(公告)号：WO2017216157A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：PCT/EP2017/064404

申请日：2017-06-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG, Clemens ,  LÖFFLER, Andreas ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens (10) beschrieben, umfassend die Schritte: Herstellen einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Emittern (1, 2), Prüfen mindestens einer optischen und/oder elektrischen Eigenschaft der Emitter (1, 2), wobei Emitter (1), bei denen die optische und/oder elektrische Eigenschaft innerhalb eines vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von ersten Emittern (1) zugeordnet werden, und Emitter (2), bei denen die mindestens eine optische und/oder elektrische Eigenschaft außerhalb des vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von zweiten Emittern (2) zugeordnet werden, und elektrisches Kontaktieren der ersten Emitter (1), wobei die zweiten Emitter (2) nicht elektrisch kontaktiert werden, so dass diese beim Betrieb des Laserdiodenbarrens (10) nicht mit Strom versorgt werden. Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbarer Laserdiodenbarren (10) angegeben.

Abstract translation:

下面将描述产生激光二极管条（10），其包括以下步骤的方法：制备多个相邻布置的发射器（1，2），镨导航用途芬至少一个光学和/或电气的特性 发射器（1，2），所述发射器（1），其中，所述光学和/或电特性在于预定的标准值范围内，（1）被分配一组第一发射器，并且所述发射器（2），其中所述至少一个 光学和/或电AU大街属性;所述预定给定值范围之外时，一组的第二发射器（2）被分配，并且电接触所述第一发射器（1），其中，所述第二发射器（2）不电接触，从而使这些 在激光二极管条（10）的操作期间不供电。 此外，还规定了可以用该方法制造的激光二极管棒（10）。

公开(公告)号：WO2017174782A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：PCT/EP2017/058378

申请日：2017-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG, Clemens ,  LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven ,  LOEFFLER, Andreas

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone, wobei die aktive Zone ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei die Schichtstruktur eine Abfolge von Schichten aufweist, wobei in einer Z-Richtung zwei gegenüber liegende Endflächen vorgesehen sind, wobei wenigstens eine Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise auszukoppeln, und wobei die zweite Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise zu reflektieren, wobei Führungsmittel zum Ausbilden einer optischen Mode in einem Modenraum zwischen den Endflächen vorgesehen sind, wobei Mittel außerhalb des Modenraumes vorgesehen sind, die eine Ausbildung einer optischen Mode außerhalb des Modenraumes, insbesondere Moden mit einer Ausbreitungsrichtung, die nicht senkrecht zu den Endflächen (14, 15) verlaufen, erschweren.

Abstract translation:

本发明涉及一种具有能与活性区，其中，在形成为了有源区，以产生电磁辐射，其中，所述层结构包括层的序列，在Z方向上具有层状结构的半导体激光 提供两个叠置端面，其中至少一个端面形成为至少部分地解除电磁辐射，并且其中第二端面构造成至少部分地反射电磁辐射，其中F' 提供用于在端面之间的模式空间中形成光学模式的装置，在模式空间外部提供装置，在模式空间外部形成光学模式，特别是具有不垂直于模式空间的传播方向的模式 端部法兰（14,15）很难。

公开(公告)号：WO2016062477A3

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/EP2015/071610

申请日：2015-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUMBOLZ, Christian ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/20 ,  H01L21/762 ,  H01S5/2081

Abstract: Es werden ein Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge sowie eine Halbleiterlaser-Vorrichtung angegeben. Bei dem Verfahren erfolgt die Erzeugung zumindest eines Grabens (4) in der Schichtenfolge (10) durch zwei Plasmaätzverfahren. Die Halbleiterlaser-Vorrichtung umfasst eine Schichtenfolge (10), die mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, und zwei Gräben (4) in der Schichtenfolge (10), die einen Stegwellenleiter (30) seitlich begrenzen, wobei jeder der Gräben (4) an seiner dem Stegwellenleiter (30) abgewandten Seite von einem Bereich (A) der Schichtenfolge (10) begrenzt ist.

公开(公告)号：WO2014173823A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/057942

申请日：2014-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  MUELLER, Jens ,  BRUEDERL, Georg

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper (2) und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper (3), wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht (9) aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht (10 an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers (11,12) und/ oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers (1,14) angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht (10) mit einer Wärmesenke (1) in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht (10) und dem Grundkörper (2) und/oder dem Streifenkörper (3) größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht (9) und dem Streifenkörper (3). Die erste Kontaktschicht kann eine Metallelektrode sein und die zweite Kontaktschicht ein Goldlot und durch diese Anordnung wird die Wärmeabfuhr zur Wärmesenke verbessert.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有基体的半导体激光器（2），并且布置在所述基条体（3），其中，所述基体和所述带体是半导体材料形成，所述具有活性区（4）的半导体材料，用于产生电磁辐射，其上 条主体的上表面，第一接触层（9）被施加，其中第二接触层（10至（带材本体的至少一个侧表面11,12）和/或至少一个横向布置在基体的带体上侧（1,14）是相邻的， 其中具有一个散热装置（1）的第二接触层（10）与所述第二接触层（10）和所述基体之间的电接触电阻（2）接触和/或条带主体（3）比之间的电接触电阻大 第一接触层（9）和所述条体。（3）第一Kontaktsch 层可以是金属电极和所述第二接触层和这种布置的金焊料，散热到热沉被改善。

公开(公告)号：EP3660988A1

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：EP20153892.3

申请日：2015-11-19

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer ersten Ebene angeordnet ist, wobei in die Oberfläche der Schichtstruktur eine Ausnehmung eingebracht ist, wobei die Ausnehmung an eine Endfläche des Bauelementes angrenzt, wobei die Endfläche in einer zweiten Ebene angeordnet ist, wobei die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist, wobei die Ausnehmung eine Bodenfläche und eine Seitenfläche aufweist, wobei die Seitenfläche im Wesentlichen senkrecht zur Endfläche angeordnet ist, wobei die Seitenfläche in einem Winkel geneigt ungleich 90° zu der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist, wobei die Bodenfläche im Bereich der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist.