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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    24.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造光电子器件和光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017194623A1

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：PCT/EP2017/061218

    申请日：2017-05-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei welchem in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen zumindest eines lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) umfassend ein Saphirsubstrat (1) und eine epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (10b) erfolgt. In einem weiteren Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen des lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) mit einer dem Saphirsubstrat (1) abgewandten Seite auf einen Träger (4), und in einem Verfahrensschritt C) ein Ablösen des Saphirsubstrats (1) vom Halbleiterchip (10a). In einem weiteren Verfahrensschritt D) erfolgt ein Aufbringen eines Konverterelements (5) auf einem Bereich des Halbleiterchips (10a), in welchem das Saphirsubstrat (1) abgelöst wurde, und in einem weiteren Verfahrensschritt E) ein Anordnen des Halbleiterchips (10a) auf einen Hilfsträger (4a), so dass das Konverterelement (5) dem Hilfsträger (4a) zugewandt ist. In einem weiteren Verfahrensschritt F) erfolgt ein Ablösen des Trägers (4) vom Halbleiterchip (10a).

    Abstract translation:

    本发明提供一种方法用于制造光电子器件，其中，在方法步骤a）包括提供至少一个半导体发光芯片（10A），其包括蓝宝石衬底（1）和一个外延生长的层序列（10B）被执行 ， 在进一步的方法步骤B）设置的半导体发光与芯片（10A）（在蓝宝石基板1）面朝从Tr的AUML进行亨特（4），并且在方法步骤C）的ABL＆ouml走;在蓝宝石衬底的钱（1）从半导体芯片 （10A）。 在进一步的方法步骤d）将转换器元件（5）上的半导体芯片（10A）的一部分进行，其中在蓝宝石衬底（1）abgel＆OUML;是ST，并且在进一步的处理步骤e）中的半导体芯片（10A）设置于 辅助电枢（4a），使得转换器元件（5）面对辅助电枢（4a）。 在另一个方法步骤F）中，载体（4）从半导体芯片（10a）上脱离

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    25.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    光电子器件，光电子模块和生产光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017121725A1

    公开(公告)日：2017-07-20

    申请号：PCT/EP2017/050407

    申请日：2017-01-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HAIBERGER, Luca ,  RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/024 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/54 ,  H01L23/48

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/024 ,  H01L33/38 ,  H01L33/54 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2933/0075

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Strahlungsseite (2), über die im Betrieb elektromagnetische Strahlung ein- oder ausgekoppelt wird. Der Strahlungsseite gegenüber liegt eine Kontaktseite (3) mit zumindest zwei elektrisch leitenden Kontaktelementen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung des Bauelements. Zwischen der Strahlungsseite und der Kontaktseite ist eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) angeordnet, die im bestimmungsgemäßen Betrieb die elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Die Kontaktelemente sind an der Kontaktseite voneinander beabstandet und liegen im unmontierten Zustand des Bauelements an der Kontaktseite ganz oder teilweise frei. Der Bereich der Kontaktseite zwischen den Kontaktelementen ist teilweise oder vollständig mit einem elektrisch isolierenden Kühlelement (33) bedeckt, wobei das Kühlelement in Draufsicht auf die Kontaktseite eines oder beide Kontaktelemente (31, 32) teilweise überdeckt. Das Kühlelement (33) ist in direktem Kontakt mit der Kontaktseite und weist eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 30 W/(m.K) auf.

    Abstract translation: 光电子部件（100）包括辐射侧（2），在操作期间电磁辐射通过该辐射侧耦合进入或者退出。 辐射侧相对的是具有至少两个用于装置的外部电接触的导电接触元件（31,32）的接触侧（3）。 在辐射侧和接触侧之间布置具有有源层（10）的半导体层序列（1），该有源层在正常操作期间发射或吸收电磁辐射。 接触元件在接触侧上间隔开并且在接触侧处于未装配状态下完全或部分自由。 接触元件之间的接触侧的区域部分地或完全地覆盖有电绝缘的冷却元件（33），其中冷却元件在俯视一个或两个接触元件（31,32）的接触侧时部分地重叠。 冷却元件（33）与接触侧直接接触并具有至少30W /（m.K）的导热率，

    HALBLEITERBAUELEMENT
    26.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    半导体部件

    公开(公告)号：WO2017085207A1

    公开(公告)日：2017-05-26

    申请号：PCT/EP2016/078047

    申请日：2016-11-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PUST, Philipp ,  RACZ, David ,  KÖLPER, Christopher

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/502

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge, mit einem ersten Konversionselement, das eine Quantenstruktur aufweist, wobei die Quantenstruktur ausgebildet ist, um die Primärstrahlung wenigstens teilweise in eine Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge zu verschieben, wobei ein zweites Konversionselement vorgesehen ist, das einen Leuchtstoff aufweist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu einer Tertiärstrahlung mit einer Dominanzwellenlänge zu verschieben, wobei das erste Konversionselement ausgebildet ist, um eine Sekundärstrahlung zu erzeugen, die eine kleinere Peakwellenlänge als die Dominanzwellenlänge der Tertiärstrahlung aufweist.

    Abstract translation:

    本发明涉及具有用于产生电磁的Prim＆AUML的半导体芯片的半导体器件; rstrahlung具有第一Peakwellenl BEAR长度，与具有量子结构的第一转换元件，所述量子结构形成到主＆AUML; rstrahlung至少部分地在次级BEAR rstrahlung与第二Peakwellenl BEAR到长度，移动长度，其中，设置有第二转换元件，其包括磷光体，其中所述磷光体适于将电磁辐射以一个第三BEAR rstrahlung与Dominanzwellenl＆AUML 其中所述第一转换元件被配置为生成具有比所述第三辐射的主波长更短的峰值波长的次级辐射

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND LEUCHTMITTEL
    27.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
    光电子半导体芯片和灯具

    公开(公告)号：WO2016180810A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/EP2016/060400

    申请日：2016-05-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  RACZ, David ,  HAIBERGER, Luca

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  G02F1/1335 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterkörper (1)mit einer Strahlungsseite (16) und einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Rückseite (12) auf. Auf der Strahlungsseite (16) ist ein Konverterelement (2) angeordnet, das im Betrieb eine vom Halbleiterkörper (1) über die Strahlungsseite (16) emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert. Auf Seitenflächen (15) des Halbleiterkörpers (1) und auf Seitenflächen (25) des Konverterelements (2) ist eine Spiegelschicht (3) angeordnet, die die Seitenflächen (15, 25) bedeckt. Die Seitenflächen (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) und des Konverterelements (2) verlaufen jeweils quer zur Strahlungsseite (16). Die Rückseite (12) liegt im unmontierten Zustand des Halbleiterchips (100) frei. Die Spiegelschicht (3) weist eine Reflektivität für die von dem Halbleiterkörper (1) und/oder dem Konverterelement (2) emittierte Strahlung von zumindest 80 % auf. Die Spiegelschicht (3) weist eine Dicke von höchstens 5 µm auf.

    Abstract translation: 的光电子半导体芯片（100）包括在放射侧（16）和放射侧（16）相对的后侧（12）中的一个的光电子半导体元件（1）。 在辐射侧（16）被布置成在操作期间由所述半导体主体（1）上部分地或完全发射到一个不同的波长范围内的辐射的辐射侧（16）将辐射转换的转换器元件（2）。 在半导体主体（1）的侧表面（15）和在转换器元件（2）的侧表面（25）被布置在反射层（3）的侧表面（15，25）覆盖。 半导体本体（1）和所述转换器元件的侧表面（15，25）（2）在每个横向延伸到放射侧（16）。 背面（12）在半导体芯片（100）的未安装状态下露出。 镜层（3）具有用于所述半导体主体（1）和/或所述转换器元件（2）发出的至少80％的辐射的反射率。 镜层（3）的厚度至多5微米。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    28.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    用于生产光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2016050903A1

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：PCT/EP2015/072674

    申请日：2015-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  GÖÖTZ, Britta ,  RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen einer Vielzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips (4), b) Anordnen der Vielzahl von Halbleiterchips (4) in einer Ebene; c) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist; d) Ausbilden einer Vielzahl von Konversionselementen (12), wobei jedes Konversionselement ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst und auf einem der Halbleiterchips (4) angeordnet wird; e) Verkapseln der Vielzahl von Konversionselementen (12) zumindest an deren seitlichen Rändern (20) mit einem Verkapselungsmaterial; und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100). Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种制造多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供多个用于设置用于将半导体芯片（4）中，b）布置在所述多个半导体芯片（4）的电磁辐射的产生 水平; c）形成的复合壳体主体（8），其至少部分地（4）被布置在半导体芯片之间; d）形成多个转换元件（12），每个转换元件包括波长转换材料和半导体芯片（4）被放置; E）封装至少在它们的横向边缘（20）用密封材料中的多个转换元件（12）; 和f）切割所述复合外壳体（8）分割为多个光电子半导体器件（100）的。 此外，半导体器件（100）被指定。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BLITZLICHT
    29.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BLITZLICHT 审中-公开
    光电半导体器件和闪存

    公开(公告)号：WO2016034480A1

    公开(公告)日：2016-03-10

    申请号：PCT/EP2015/069605

    申请日：2015-08-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL, Ion ,  RACZ, David ,  SCHNEIDER, Markus

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H04M1/21 ,  H05B33/0872 ,  H05B37/0218 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens vier verschiedene Lichtquellen (11, 12, 13, 14) mit je einem optoelektronischen Halbleiterchip (10). Im Betrieb emittieren die Lichtquellen (11, 12, 13, 14) eine Strahlung mit voneinander verschiedenen Farborten (A, B, C, D) in der CIE-Normfarbtafel. Zumindest zwei der Farborte (A, B, C, D) liegen in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt auf einer gemeinsamen Isothermen (I) oder auf einer gemeinsamen Verlängerungsgeraden (E), die eine Isotherme (I) verlängert. Die Farborte (A, B, C, D) liegen dann mit einer Toleranz von höchstens einer Drei-Schritte-MacAdam-Ellipse auf der Isothermen (I) oder der Verlängerungsgeraden (E). Das Halbleiterbauteil (10) ist außerdem dazu eingerichtet, im Betrieb weißes Licht zu emittieren, wobei eine Farbtemperatur des weißen Lichts veränderbar und durchstimmbar ist.

    Abstract translation: 光电子半导体器件（1），其包括至少四个不同的光源（11，12，13，14），每一个具有的光电子半导体芯片（10）。 在操作中，光源（11，12，13，14）发射的辐射具有相互不同的色度坐标（A，B，C，D）的CIE标准比色图表英寸 中的至少两个颜色的位点（A，B，C，D）是在共同的等温线（I）或CIE标准色度优选图上延伸的等温线（I）的公共延长线（E）。 色的位置（A，B，C，D）然后，用不超过上的等温线（I）或延伸线（E）的三阶Macadam椭圆更多的公差反应。 的半导体器件（10）还适于操作期间以发射白光，其中，所述白色光的色温可以变化和可调。

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