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    DIELECTRIC FILM COATING FOR FULL CONVERSION CERAMIC PLATELETS
    1.
    发明申请
    DIELECTRIC FILM COATING FOR FULL CONVERSION CERAMIC PLATELETS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020161164A1

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：PCT/EP2020/052815

    申请日：2020-02-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZHENG, Yi ,  EISERT, Dominik ,  ROSSBACH, Georg

    IPC: H01L33/50 ,  C04B35/01

    Abstract: The present invention is directed to a wavelength converter comprising: - a phosphor layer and - a filter layer, wherein the filter layer is directly attached to the phosphor layer and wherein the wavelength converter has an overall thickness of between 20 μm to 80 μm. Furthermore, the present invention is directed to a light emitting device assembly and methods for preparing a wavelength converter and methods for preparing a light emitting device assembly.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEHRSCHICHTOPTIKELEMENTS
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEHRSCHICHTOPTIKELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019170523A1

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：PCT/EP2019/055044

    申请日：2019-02-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ROSSBACH, Georg ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: G02B5/18 ,  B29D11/00 ,  G03F7/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtoptikelements (100) angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellung eines Substrats (10), B) Aufbringen einer ersten Optikschicht (1) mit den Teilschritten: B1) Aufbringen einer ersten Schicht (11) aufweisend ein dielektrisches erstes Material (4) mit einem ersten Brechungsindex, B2) Strukturierung der ersten Schicht, B3) Auffüllen der ersten Zwischenräume mit einem dielektrischen zweiten Material (5) mit einem zweiten, vom ersten Brechungsindex verschiedenen Brechungsindex, so dass das zweite Material zumindest eine gleiche Höhe wie das erste Material aufweist, C) Aufbringen zumindest einer zweiten Optikschicht (2) mit den Teilschritten: C1) Aufbringen einer zweiten Schicht (21) aufweisend das erste Material, C2) Strukturierung der zweiten Schicht, so dass die erste Optikschicht in zweiten Zwischenräumen zwischen zweiten Bereichen mit dem ersten Material freigelegt wird, C3) Auffüllen der zweiten Zwischenräume mit dem zweiten Material, so dass das zweite Material zumindest eine gleiche Höhe wie das erste Material aufweist.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电子器件

    公开(公告)号：WO2018050543A1

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：PCT/EP2017/072491

    申请日：2017-09-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  O'BRIEN, David ,  ROSSBACH, Georg

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist, angegeben. Das Konversionselement umfasst Quantenpunkte, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb des Bauelements zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Quantenpunkte weisen einen Durchmesser von einschließlich 50 nm bis einschließlich 500 nm auf.

    Abstract translation: 它是一种光电子器件，其包括具有有源层的层序列，该层序列适于在元件的操作期间发射电磁主要辐射，以及布置在电磁主要辐射的光束路径中的转换元件 被指定。 转换元件包括量子点，该量子点被设置为在元件的操作期间至少部分地将电磁初级辐射转换成电磁次级辐射。 量子点的直径为50纳米至500纳米（包括500纳米）。

    SUBSTRAT MIT STRUKTURELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT
    8.
    发明申请
    SUBSTRAT MIT STRUKTURELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    具有结构元素和半导体元素的衬底

    公开(公告)号：WO2017129485A1

    公开(公告)日：2017-08-03

    申请号：PCT/EP2017/051168

    申请日：2017-01-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOTSCHKE, Tobias ,  ROSSBACH, Georg

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647

    Abstract: Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheideseite gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite erste Strukturelemente und zweite Strukturelemente angeordnet sind und die ersten Strukturelemente und die zweiten Strukturelemente bereichsweise übereinander angeordnet sind. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (8) mit einem solchen Substrat angegeben.

    Abstract translation:

    这是一个基片（1）与沉积侧（10）和一个针对导航用途的沉积侧的指示的下侧（11），所述第一结构元件和第二结构元件被设置在沉积侧，并且所述第一，berliegendenř导航用途 结构元件和第二结构元件被布置在一个在另一个之上的区域中。 此外，用这种衬底指定半导体元件（8）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE UND OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE UND OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    用于制造光电子器件和表面安装的光电器件

    公开(公告)号：WO2016180897A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/EP2016/060590

    申请日：2016-05-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  STOLL, Ion ,  ROSSBACH, Georg

    IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Träger (2) und eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) bereitgestellt wird, wobei jeder Halbleiterchip (1) Kontaktelemente (10, 11) zur elektrischen Kontaktierung aufweist, die auf einer Kontaktseite (12) des Halbleiterchips (1) angeordnet sind. In einem Schritt B) werden die Halbleiterchips (1) lateral nebeneinander auf dem Träger (2) aufgebracht, wobei beim Aufbringen die Kontaktseiten (12) dem Träger (2) zugewandt werden. In einem Schritt C) wird eine elektrisch leitende Schicht (4) auf zumindest Teilbereiche der nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten der Halbleiterchips (1) aufgebracht, wobei die elektrisch leitende Schicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist. In einem Schritt D) wird eine Konverterschicht (5) auf der elektrisch leitenden Schicht (4) elektrophoretisch abgeschieden. Die elektrisch leitende Schicht (4) wird in einem Schritt E) aus Bereichen zwischen der Konverterschicht (5) und den Halbleiterchips (1) entfernt.

    Abstract translation: 为用于电接触包括产生光电器件（100）包括：步骤A），其中（1）提供的载体（2）和多个光电子半导体芯片，其中每个半导体芯片（1）的接触元件（10，11）的处理 在半导体芯片（1）的接触侧（12）被布置。 在步骤b）中的半导体芯片（1）在横向上彼此相邻的所述载体（2）上被施加，其中，所述施加期间面向载体（2）的接触侧（12）。 在步骤C）的导电层（4）被施加到）覆盖所述半导体芯片的两侧的非中的至少部分区域（载体2（1）被施加，其中，所述导电层（4）形成连续的。 在步骤D）的导电层（4）上的转换器层（5）被电泳沉积。 所述导电层（4）在从区域中的转换器层（5）和半导体芯片（1）之间的步骤E）被除去。

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