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    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018162420A1

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：PCT/EP2018/055356

    申请日：2018-03-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIESMANN, Christopher

    IPC: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Strahlung. Ein Spiegel (3) für die erzeugte Strahlung befindet sich an einer Rückseite (23). Ein für die erzeugte Strahlung durchlässiger Träger (4) ist an einer Emissionsseite (20) angebracht. Ein für die Strahlung undurchlässiges Reflektorgehäuse (5) befindet sich an Seitenflächen (45) des Trägers (4) und ist zur diffusen Reflexion der erzeugten Strahlung eingerichtet und weist eine der Emissionsseite (20) gegenüberliegende Strahlungsaustrittsöffnung (50) auf. Eine Breite (W) des Reflektorgehäuses (5) nimmt in Richtung weg von der Emissionsseite (20) ab.

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
    6.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    发射辐射的半导体芯片

    公开(公告)号：WO2009155899A1

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：PCT/DE2009/000856

    申请日：2009-06-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher

    Inventor： BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher

    IPC: H01L33/00 ,  H01L51/52

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/46 ,  H01L51/5268 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).

    Abstract translation: 它是具有前侧（7），其被设置用于耦合输出辐射，所指定的发射辐射的半导体芯片。 发射辐射的半导体芯片具有在所述前侧中的一个的方向（7）相反的后侧（8）前面（7）通过在所指示的顺序的下列元件：它被设置用于发射电磁辐射的有源层（1）; 的混合层（2），散射元件（21），用于的电磁辐射包括散射; 具有折射率比有源层（1）的折射率更小的过渡层（3）; 和的第一光子晶体（4）。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    7.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2009086808A1

    公开(公告)日：2009-07-16

    申请号：PCT/DE2008/002150

    申请日：2008-12-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher ,  WINDISCH, Reiner

    Inventor： LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher ,  WINDISCH, Reiner

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01S5/1046

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (2) umfasst, einer Zwischenschicht (4), die direkt auf der Strahlungsdurchtrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und einen niedrigeren optischen Brechungsindex (n4) als das an sie grenzende Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers (1) aufweist, und einer strukturierten Metallschicht (3), die auf der dem Halbleiterkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche der Zwischenschicht (4) angeordnet ist, angegeben.

    Abstract translation: 它与一个半导体主体（1），包括辐射穿透表面（2），中间层的光电子半导体装置（4）直接在辐射穿透表面（2）的半导体主体（1）和一个下光学折射率（N4），作为 （3）形成为具有连续的给它的半导体本体（1）的半导体材料，以及图案化金属层的半导体主体（1）（4）被布置成规定的中间层的相对表面上。

    BAUTEIL MIT HOMOGENISIERTER LEUCHTFLÄCHE
    8.
    发明申请
    BAUTEIL MIT HOMOGENISIERTER LEUCHTFLÄCHE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020173684A1

    公开(公告)日：2020-09-03

    申请号：PCT/EP2020/053165

    申请日：2020-02-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： NAGEL, Peter ,  WIESMANN, Christopher ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein Bauteil (10) mit einem gemeinsamen Träger (9), einer Mehrzahl von Bauelementen (1), Konverterschichten (1K) und inneren Streuregionen (5) angegeben, wobei die Bauelemente in lateraler Richtung nebeneinander und in vertikaler Richtung zwischen dem gemeinsamen Träger und den Konverterschichten angeordnet sind. Das Bauteil weist einen Durchtrittsbereich (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche (10S) auf, die in vertikaler Richtung durch den Durchtrittsbereich von den Konverterschichten beabstandet ist. Die benachbarten Konverterschichten sind durch einen Zwischenbereich (3) voneinander lateral beabstandet, der in Draufsicht auf den Träger von dem Durchtrittsbereich vollständig bedeckt ist, wobei die inneren Streuregionen sowohl an den Durchtrittsbereich als auch an die Konverterschichten angrenzen und zumindest teilweise in dem Zwischenbereich angeordnet sind oder unmittelbar an den Zwischenbereich angrenzen.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND PHOTONISCHER KRISTALL
    10.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND PHOTONISCHER KRISTALL 审中-公开
    光电半导体器件和光子晶体

    公开(公告)号：WO2011069747A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：PCT/EP2010/066647

    申请日：2010-11-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST. ANDREWS ,  BERGENEK, Krister ,  WIESMANN, Christopher ,  KRAUSS, Thomas, F.

    Inventor： BERGENEK, Krister ,  WIESMANN, Christopher ,  KRAUSS, Thomas, F.

    IPC: H01L33/20 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42

    CPC classification number: H01L33/22 ,  G02B1/005 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0083

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses wenigstens eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3) sowie zumindest einen photonischen Kristall (4) zur Einkopplung oder zur Auskopplung einer von der mindestens einen aktiven Schicht (3) zu erzeugenden oder zu empfangenden Strahlung aus der oder in die Halbleiterschichtenfolge (2). Die Strahlung weist eine Scheitelwellenlänge (lambda 0) auf. Der photonische Kristall (4) ist von der aktiven Schicht (3) beabstandet und durch eine Überlagerung von mindestens zwei Gittern (41, 42) mit voneinander verschiedenen, auf die Scheitelwellenlänge (lambda 0) normierten, reziproken Gitterkonstanten gebildet.

    Abstract translation: 在此光电子半导体器件（1）的至少一个实施例至少包括：半导体层序列（2）具有至少一个有源层（3）以及用于耦合或脱开所述至少一个有源层（3）中的一个的至少一个光子晶体（4） 生成或从或到半导体层序列（2）接收的辐射。 辐射具有的峰值波长（拉姆达0）。 光子晶体（4）被从活性层（3）和由至少两个格栅（41，42）具有相互不同的，峰值波长（拉姆达0）归一化的倒数形成晶格常数的叠加隔开。

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