中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

135 records (took 0.037 seconds)

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    21.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2014048773A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/EP2013/069040

    申请日：2013-09-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/56 ,  G02B5/02

    CPC classification number: G02B5/0294 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0247 ,  G02B5/0263 ,  G02B5/0278 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: - eine Halbleiterschichtenfolge (103) aufweisend eine Emitterschicht (105) zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung, - einen Konverter (113) zum Konvertieren von elektromagnetischer Strahlung mit einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten Wellenlänge, die von der ersten Wellenlänge verschieden ist, - einen Streukörper (109) zum Streuen zumindest einen Teils der mittels der Emitterschicht (105) emittierten elektromagnetischen Strahlung in Richtung des Konverters (113), um zumindest einen Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, wobei der Streukörper (109) einen positiven temperaturabhängigen Streuquerschnitt aufweist, so dass bei zunehmender Temperatur eine Streuung der elektromagnetischen Strahlung in dem Streukörper (109) in Richtung des Konverters zunehmbar ist. Die Erfindung betrifft ferner einen Streukörper (109).

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（101），包括： - 半导体层序列（103），包括用于发射电磁辐射的发射器层（105）， - 一个转换器（113），用于以电磁辐射转换电磁辐射的第一波长带 用于散射至少所述发射极层的装置的一部分（105）在所述转换器（113）的方向上的电磁辐射的发射的电磁辐射的至少一个部分发射的扩散器（109） - 第二波长不同于所述第一波长不同， 进行转换，其中所述散射体（109）具有正的温度相关的散射横截面，以使得随着温度的电磁辐射的散射体（109）的散射是zunehmbar在转换器的方向。 本发明还涉及一种扩散器（109）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    23.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    用于生产发光半导体元器件与发光半导体元件

    公开(公告)号：WO2014029642A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/EP2013/066727

    申请日：2013-08-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  PLÖSSL, Andreas ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem - eine Licht emittierende Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) bereitgestellt wird, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen, - eine Wellenlängenkonversionsschicht (4) mit zumindest einem Wellenlängenkonversionsstoff auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und - auf der Wellenlängenkonversionsschicht (4) eine Keramikschicht (5) mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造发光半导体元件，其中一个方法： - 与活性层（3），其适于在所述半导体器件的操作期间发光，提供了一种发光半导体层序列（2） - 的波长转换层（4） 与至少一种波长转换材料施加在半导体层序列（2），以及 - 波长转换层（4）上是陶瓷层（5）由一个Aerosolabscheideverfahrens施加。 此外，发光半导体装置。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    26.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2013034486A1

    公开(公告)日：2013-03-14

    申请号：PCT/EP2012/066901

    申请日：2012-08-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus In y Ga 1-y N mit 0 ≤ y z Ga 1-z N mit 0 y umfasst, wobei in der Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Zwischenschicht (3) aus Al 1-x In x N mit 0 ≤ x ≤ 0,6 enthalten ist, die eine Dicke von weniger als 1,5 nm aufweist.

    Abstract translation: 提供了一种具有一具有一量子阱结构的有源层的光电子器件（11）（5），其特征在于，（2）的量子阱结构（5）的至少一个阻挡层由在In y镓1-Y n，其中0 <= Y <1个至少一个量子阱层（ 1）由INZ GA1-Z N，其中0 y表示，其中（在该量子阱结构5）=至少一个中间层（3）×N个带0

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    27.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2011085895A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：PCT/EP2010/069776

    申请日：2010-12-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20 % voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.

    Abstract translation: 在半导体层中的序列（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括具有有源层（3）。 此外，半导体芯片（1）包括光提取层（4），其被施加至少间接地在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）。 光提取层（4）的材料是半导体层序列（2）和光提取层（4）和所述半导体层序列（2）相差超过20％彼此的材料的折射率不同的材料制成。 由（4）面（40）形成在所述光提取层的凹部（44），其特征在于，所述凹部（44）不完全穿透所述光提取层（4）。 此外，小面（40）具有其是辐射穿透面（20）的表面积的至少25％的总面积。

    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP
    29.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法构建半导体表面及半导体晶片

    公开(公告)号：WO2010091936A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：PCT/EP2010/050742

    申请日：2010-01-22

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0062

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.

    Abstract translation: 提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

    HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE
    30.
    发明申请
    HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 审中-公开
    半导体发光二极管和方法用于生产半导体发光二极管

    公开(公告)号：WO2009106038A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000192

    申请日：2009-02-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

    Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).

    Abstract translation: 它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层 （2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个 第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8） 较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

Patent Agency Ranking