公开(公告)号：WO2010060417A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/DE2009/001668

申请日：2009-11-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  NEUREUTHER, Christoph ,  MARKYTAN, Ales ,  BLOCK, Steffen ,  BLEICHER, Thomas

Inventor： NEUREUTHER, Christoph ,  MARKYTAN, Ales ,  BLOCK, Steffen ,  BLEICHER, Thomas

IPC: F21S4/00 ,  F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  H05K1/02 ,  H05K7/20 ,  H01L33/64

CPC classification number: H05K1/0278 ,  F21K9/00 ,  F21S4/20 ,  F21V29/70 ,  F21Y2115/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0286 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/386 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09054 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/0909 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/175 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/00014

Abstract: Leuchtdiodenmodul (10) mit einem mit einer Leiterplatte gestalteten, einstückigen Träger (4), Segmentierfurchen (11) an einer Trägerunterseite (42) des Trägers (4), und einer Mehrzahl von Montagebereichen (6), die durch die Segmentierfurchen (11) voneinander abgegrenzt sind, wobei die Montagebereiche (6) aufweisen: Mindestens eine im Träger (4) erzeugte thermische Durchkontaktierung (13), die von der Trägerunterseite (42) zu einer dieser gegenüberliegenden Trägeroberseite (41) reicht, eine Wärmeleitschicht (2) je an der Trägerunterseite (42) und an der Trägeroberseite (41), wobei die mindestens eine thermische Durchkontaktierung (13) in direktem Kontakt zu den Wärmeleitschichten (2) steht, mindestens ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (7), das auf der WärmeIeitschicht (2) an der Trägeroberseite (41) angebracht ist, und mindestens zwei elektrische Leiterbahnen (8) an der Trägeroberseite (41), über die das mindestens eine Halbleiterbauteil (7) elektrisch kontaktiert ist, wobei mindestens eine der Leiterbahnen (8) nicht in direktem elektrischen Kontakt mit den Wärmeleitschichten (2) steht, so dass wenigstens zwei einander benachbarte Montagebereiche (6) über eine der Leiterbahnen (8) elektrisch in Serie geschaltet sind.

Abstract translation: 设计为具有与电路板的发光二极管模块（10），所述一体式支承件（4），Segmentierfurchen（11）到所述载体（4）的支撑底座（42），和多个安装的区域（6）由彼此Segmentierfurchen（11）中所定义， 被分隔，其中，所述安装部（6）包括： - 至少在所述载体产生的（4）通过从所述支撑基部（42）延伸（13）的热延伸到相对的载体顶部（41），（2），这取决于所述的导热层 支撑底座（42）和所述载体顶部（41），其中，所述至少一个热通孔（13）与所述热传导层（2）直接接触，至少一个光电半导体器件（7）安装在所述WärmeIeitschicht（2）在载体顶 （41）被安装，并在载体顶部（41）至少两个电导体轨迹（8）在其接触所述至少一个半导体部件（7），其电 是，该导体轨迹（8）中的至少一个不与所述热传导层（2）直接电接触，使得经由导体轨迹（8）中的一个的至少两个相邻的安装部（6）串联地电连接。

公开(公告)号：WO2013135470A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2013/053356

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  BLEICHER, Thomas ,  VON MALM, Norwin ,  MÖNCH, Wolfgang

IPC: F21K99/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/0015 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0025 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133607 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Ein Streukörper (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) der Halbleiterchips (3) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Der Streukörper (3) ist zu einer Streuung der Primärstrahlung (P) eingerichtet. Eine Hauptemissionsrichtung (y) des Streukörpers (3) ist schräg zur Hauptabstrahlrichtung (x) des Halbleiterchips (2) orientiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）包括一个或多个光电半导体芯片（2）用辐射主侧（20），用于产生一个初级辐射（P）。 扩散器（3）沿着所述半导体芯片的主发射方向（x）的下游设置（3）的辐射主要侧（20）的。 到初级辐射（P）中的分散体的散射体（3）被布置。 扩散器（3）的主发射方向（y）是倾斜于主辐射方向（x）定向的半导体芯片（2）。

公开(公告)号：WO2016050605A2

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/071996

申请日：2015-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  BLEICHER, Thomas ,  LAUX, Harald ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

Abstract: Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。

公开(公告)号：WO2013110540A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：PCT/EP2013/050823

申请日：2013-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÖNCH, Wolfgang ,  BLEICHER, Thomas

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  F21V21/005

CPC classification number: F21K9/61 ,  G02B6/0011 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/005 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Eine erfindungsgemäße Teilleuchte (202, 204, 206, 208, 210) weist ein Substrat (102) auf, auf dem mindestens ein Halbleiterchip (104, 104a, 104b) zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist. Ein elastischer Wellenleiter (106) zur Durchmischung der elektromagnetischen Strahlung, ist dem mindestens einen Halbleiterchip (104, 104a, 104b) in Abstrahlrichtung nachgeordnet. Der elastische Wellenleiter (106) steht an mindestens einer seiner Seitenflächen (111) um insbesondere etwa 10µm bis etwa 100µm über das Substrat (102) über. Eine erfindungsgemäße Leuchte (302, 304, 306, 308, 310) weist mindestens zwei der oben genannten Teilleuchten (202, 204, 206, 208, 210) auf. Die elastischen Wellenleiter (106) benachbarter Teilleuchten (202, 204, 206, 208, 210) sind spaltlos aneinander gefügt. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung einer Teilleuchte (202, 204, 206, 208, 210) und ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchte (302, 304, 306, 308, 310).

Abstract translation: 根据本发明的（202，204，206，208，210）的光的一部分包括：基板（102），其上的至少一个半导体芯片（104，104A，104B）被设置成发射电磁辐射。 的弹性波导（106），用于混合的电磁辐射，在辐射方向上的下游设置在所述至少一个半导体芯片（104，104A，104B）。 弹性波引导件（106）经由其侧表面（111）中的至少一个基片（102）通过连接到约10微米至约100微米，特别地。 根据本发明的（302，304，306，308，310）的照明器具有至少两个灯的上述部分（202，204，206，208，210）。 相邻的部分光（202，204，206，208，210）接合到彼此无间隙的弹性波引导件（106）。 本发明还涉及一种用于制造灯部件（202，204，206，208，210）和用于产生灯（302,304，306，308，310）的方法。