公开(公告)号：WO2014016164A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/EP2013/064974

申请日：2013-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L51/5271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer ersten Oberfläche. Dabei ist der Halbleiterchip in einen Formkörper eingebettet. Die erste Oberfläche ist gegenüber einer Oberseite des Formkörpers erhaben. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet.

Abstract translation: 一种光电子半导体器件，包括具有第一表面的光电子半导体芯片。 在这种情况下，半导体芯片被嵌入的模塑制品。 该第一表面相对于所述模制的顶面凸起。 对成型的上表面上，反射层被布置。

公开(公告)号：WO2007076845A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/DE2006/002337

申请日：2006-12-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  SCHULZ, Roland

Inventor： STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  SCHULZ, Roland

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06 ,  H01S5/183 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/14 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01S3/109 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02407 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung (1), mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Anschlussträgerverbunds (50) umfassend eine Mehrzahl von Anschlussträger (14), die mechanisch fest miteinander verbunden sind, Anordnen eines oberflächenemittierenden Halbleiterkörpers (1) auf einem Anschlussträger (14) des Anschlussträgerverbunds (50), und - Vereinzeln des Anschlussträgerverbunds (50) in einzelne Halbleitervorrichtungen. Ein kantenemittierendes Element (2) pumpt dabei die Halbleitervorrichtung (1) über Linsen (3, 5, 6) und einem Spiegel (7). Die Halbleitervorrichtung (1) kann einen externen Resonator mit einem Spiegel (31), einem nichtlinearen Medium (32) und einem kombinierten Umlenk- und Auskoppelelement (33) haben.

Abstract translation: 提供了一种用于制造光学泵送的半导体器件（1），包括以下步骤的方法：提供包括多个终端支座（14），其被机械地牢固地相互连接的连接载体组件（50），安排一个表面发射半导体主体（1）上 分离所述连接支承组件（50）成单个半导体器件 - 连接支承组件（50），和一个终端支座（14）。 甲kantenemittierendes元件（2）由泵送通过透镜的半导体器件（1）（3，5,6）和反射镜（7）。 的半导体器件（1）可以具有与反射镜（31），非线性介质（32）和组合的偏转和去耦元件（33）的外腔。

公开(公告)号：WO2007076841A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/DE2006/002332

申请日：2006-12-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  KÜHNELT, Michael

Inventor： STEEGMÜLLER, Ulrich ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  KÜHNELT, Michael

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/04 ,  H01S5/06 ,  H01S5/183 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/109 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02407 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4056 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine optisch pumpbare Halbleitervorrichtung, mit - einem oberflächenemittierenden Halbleiterkörper (1) , der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (Ia) aufweist, die einer Montageebene des Halbleiterkörpers (1) abgewandt ist, und - einem optischen Element (7) , das geeignet ist, Pumpstrahlung (17) auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (Ia) des Halbleiterkörpers (1) zulenken angegeben. Der Halbleiterkörper (1) kann einen externen Resonator mit einem Siegel (31) , einem nicht linearen Medium (32) und einem kombinierten Umlenk- und Auskoppelelement (33) haben.

Abstract translation: 它是一种光学可泵送半导体器件，包括： - （1），其具有表面发射半导体主体中的辐射穿透表面（Ia）中，从半导体主体（1）的安装平面背对，以及 - （光学元件（7），其适合于泵浦辐射 17）的半导体主体（1）的辐射穿透表面（Ia）的上zulenken指定。 半导体本体（1）可以具有与密封件（31），非线性介质（32）和组合的偏转和去耦元件（33）的外腔。

公开(公告)号：WO2006012819A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：PCT/DE2005/001122

申请日：2005-06-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KÜHNELT, Michael ,  SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  STEEGMÜLLER, Ulrich

Inventor： KÜHNELT, Michael ,  SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  STEEGMÜLLER, Ulrich

IPC: H01S5/14

CPC classification number: H01S5/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Halbleiterlaserbauelement mit einem zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterlaserchip (1) und einer optischen Vorrichtung, die einen Träger (7), ein auf dem Träger angeordnetes Strahlungsumlenkelement (8) und einen auf dem Träger angeordneten Spiegel umfasst, vorgeschlagen, wobei der Spiegel als externer Spiegel (9) eines externen optischen Resonators für den Halbleiterlaserchip (1) ausgebildet ist, das Strahlungsumlenkelement innerhalb des Resonators angeordnet ist, das Strahlungsumlenkelement zur Umlenkung zumindest eines Teils einer vom Halbleiterlaserchip (1) erzeugten und vom externen Spiegel reflektierten Strahlung (13,160) ausgebildet ist, der Träger eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist und der Halbleiterlaserchip (1) dem Träger in vertikaler Richtung zur lateralen Haupterstreckungsrichtung nachgeordnet ist.

Abstract translation: 它是与所提供的用于产生辐射半导体激光器芯片（1）和包括支撑光学器件（7），设置在载体辐射偏转元件的阀（8）和一个布置在支撑反射镜的步骤包括建议的半导体激光装置，其中，所述反射镜作为外部 被反射镜（9）的半导体激光器芯片（1）的外部光谐振器的，所述辐射偏转元件被布置在谐振器内，由外部反射镜形成所产生的辐射，偏转对于偏转至少半导体激光芯片（1）的一部分的辐射和反射的（13.160） ，载体具有延伸的横向主方向和半导体激光器芯片（1）的载体的下游侧布置在垂直方向上的横向主延伸方向。

公开(公告)号：WO2023285667A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/EP2022/069889

申请日：2022-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR, Tobias ,  SCHWARZ, Thomas ,  BOSS, Markus

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Leadframevergussanordnung zur Herstellung von QFN-Optoelektronikpackages, umfassend einen eine Oberseite und eine Unterseite aufweisenden, einteiligen Leadframe mit zur Oberseite und Unterseite hin offenen Kavitäten für die Aufnahme einer elektrisch isolierenden Füllmasse, wobei der einteilige Leadframe mehrere Bauteilabschnitte aufweist, die jeweils Kontaktelektroden für ein einzelnes QFN-Optoelektronikpackage umfassen; und ein Verpresswerkzeug zur wenigstens einseitigen Abdichtung des einteiligen Leadframes beim Vergießen oder Spritzpressen der Kavitäten mit der Füllmasse. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Leadframevergussanordnung mindestens ein an die Oberseite und/oder die Unterseite angrenzendes angelegtes Füllmasseleitteil umfasst, wobei das Füllmasseleitteil so ausgestaltet ist, dass ein direkter Zustrom von Füllmasse auf die Oberseite oder die Unterseite von einem ersten an das Füllmasseleitteil angrenzendes Leadframebereich mit einer ersten Gruppe von Bauteilabschnitten und von einem zweiten an das Füllmasseleitteil angrenzendes Leadframebereich mit einer zweiten Gruppe von Bauteilabschnitten gleichmäßig erfolgt.

公开(公告)号：WO2021037568A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2020/072652

申请日：2020-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  MEYER, Tobias ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  SCHWARZ, Thomas ,  HOIBL, Sebastian

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (2), - Aufbringen erster Kontaktschichten (5) auf den Halbleiterwafer (2), - Befestigen einer Trägeranordnung (8) an dem Halbleiterwafer (2), - Vereinzeln des Halbleiterwafers (2) zu Halbleiterkörpern (13), und - Aufbringen zweiter Kontaktschichten (14) auf die Halbleiterkörper (13). Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.

公开(公告)号：WO2020239852A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/EP2020/064731

申请日：2020-05-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  WITTMANN, Sebastian ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird eine Anordnung (1) mit einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10), einem Auskoppelelement (20), einer elektrisch isolierenden Isolierschicht (30) und einer elektrischen Anschlussstruktur (40) angegeben. Die Halbleiterbauelemente (10) sind in einer gemeinsamen Ebene angeordnet und jeweils lateral von Seitenflächen (10A) begrenzt. Die Halbleiterbauelemente (10) weisen jeweils einen Halbleiterkörper (100), mit einem zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet aktiven Bereich (2000), eine Strahlungsaustrittsseite (100A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung, eine der Strahlungsaustrittsseite (100A) gegenüberliegende Rückseite (100B), und eine auf der Rückseite (100B) angeordnete Kontaktstruktur (101) auf. Die Isolierschicht (30) ist zwischen Seitenflächen (10A) benachbarter Halbleiterbauelemente (10) angeordnet und absorbierend oder reflektierend für die in dem aktiven Bereich (2000) erzeugte Strahlung ausgeführt. Das Auskoppelelement (20) ist an der Strahlungsaustrittsseite (100A) der Halbleiterkörper (100) angeordnet, und die elektrische Anschlussstruktur (40) ist auf der der Rückseite (100B) zugewandten Seite der Halbleiterbauelemente (10) angeordnet und mit der KontaktStruktur (101) elektrisch leitend verbunden. Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2020127257A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085639

申请日：2019-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  DOBNER, Andreas ,  SINGER, Frank ,  GROETSCH, Stefan

IPC: H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung sowie ein Verfahren für deren Herstellung, wobei die optoelektronische Leuchtvorrichtung ein Pixel mit einem transparenten oder transluzenten Trägersubstrat, auf dem eine Halbleiterleuchtanordnung mit mindestens einer MikroLED angeordnet ist, umfasst, wobei sich die MikroLED über eine Teilfläche des Pixels erstreckt, und wobei die Hauptabstrahlrichtung der Halbleiterleuchtanordnung auf ein in Betrachtungsrichtung hinter dem transparenten Trägersubstrat angeordnetes, rückstreuendes Flächenelement gerichtet ist; und die Halbleiterleuchtanordnung ein Strahlumformelement umfasst.

公开(公告)号：WO2019105862A1

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：PCT/EP2018/082375

申请日：2018-11-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  PLOESSL, Andreas ,  SORG, Jörg

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von opto- elektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Be- reitstellen eines metallischen Trägers, wobei der Träger eine Vorderseite und eine der Vorderseite entgegengesetzte Rück- seite aufweist, ein vorderseitiges Entfernen von Trägermate- rial, so dass der Träger im Bereich der Vorderseite hervor- stehende Trägerabschnitte und dazwischen angeordnete Vertie- fungen aufweist, ein Ausbilden eines an Trägerabschnitte an- grenzenden Kunststoffkörpers, ein Anordnen von optoelektroni- schen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten, ein rückseitiges Entfernen von Trägermaterial im Bereich der Vertiefungen, so dass der Träger in separate Trägerabschnitte strukturiert wird, und ein Durchführen einer Vereinzelung. Hierbei wird der Kunststoffkörper zwischen separaten Trägerabschnitten durchtrennt undwerdenvereinzelte optoelektronische Bauele- mente mit wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelekt- ronisches Bauelement.

公开(公告)号：WO2019076898A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：PCT/EP2018/078251

申请日：2018-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/16 ,  H05B33/08

Abstract: Halbleiterbauteil (1) mit - zumindest einem Strahlung emittierenden optischen Halbleiterchip (11, 12, 13, 14), - einem integrierten Schaltkreis (15), - genau zwei Anschlusskontakten (21, 22), wobei das Halbleiterbauteil (1) eine veränderbare Abstrahlcharakteristik hat, die in Abhängigkeit eines an die Anschlusskontakte (21, 22) anlegbaren, zeitveränderlichen Spannungssignals (V 1-2 ) sowohl zur Datenübertragung als auch zur Versorgung des Halbleiterbauteils (1) gesteuert wird.