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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LATERAL STRUKTURIERTEN PHOSPHORSCHICHT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT EINER SOLCHEN PHOSPHORSCHICHT
    22.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LATERAL STRUKTURIERTEN PHOSPHORSCHICHT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT EINER SOLCHEN PHOSPHORSCHICHT 审中-公开
    一种用于生产结构化横向荧光层和光电半导体器件与这些荧光层

    公开(公告)号：WO2015107211A1

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：PCT/EP2015/050976

    申请日：2015-01-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  STOLL, Ion ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  SCHOLZ, Dominik ,  OTTO, Isabel

    IPC: C25D7/00 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/502 ,  C23C28/00 ,  C23C28/32 ,  C23C28/345 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/22 ,  H01L33/504 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht, insbesondere eines Leuchtstoffplättchens (1), mit den Schritten: -Bereitstellen eines Trägers (2) mit einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) an einer Trägeroberseite (20), -Aufbringen einer Isolationsschicht (23) auf die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) auf die Isolationsschicht (23), -Aufbringen und Strukturieren einer Ätzmaske (3) auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22), -Ätzen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) und der Isolationsschicht (23), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) als durchgehende Schicht erhalten bleibt, -Anlegen einer Spannung an die erste elektrisch leitfähige Schicht (21) und elektrophoretisches Beschichten der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (21) mit einem ersten Material (4), und -Anlegen einer Spannung an die zweite elektrisch leitfähige Schicht (22) und elektrophoretisches Beschichten der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (22) mit einem zweiten Material (5).

    Abstract translation: 上 - 提供载体（2），其具有在载体顶部（20）上的第一导电层（21），-Aufbringen的绝缘层（23）：一种用于制造横向结构化层，特别是磷光板（1），包括以下步骤的方法 第一导电层（21）和绝缘层（23），-Aufbringen和所述第二导电层上的蚀刻掩模（3）的图案（22）蚀刻所述第二导电层上的第二导电层（22） 与（22）和所述绝缘层（23），其中，所述第一导电层（21）被保持为连续层，-Anlegen电压到该第一导电层（21）和第一导电层（21）的电泳涂装 第一材料（4），和-Anlegen一个电压施加到第二导电层（22）和电泳 它涂覆有第二（5）材料的第二导电层（22）。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
    23.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件

    公开(公告)号：WO2015036231A1

    公开(公告)日：2015-03-19

    申请号：PCT/EP2014/068000

    申请日：2014-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  STOLL, Ion ,  SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  DIRSCHERL, Georg ,  HÖPPEL, Lutz

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/24 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), - einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und - Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei - die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und - die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - 在光透射支座（10）上的透光性的载体上的光电子半导体芯片（1），包括具有透光性的支撑体（10），半导体层序列（11）（10）和电连接点（12）背向 半导体层序列（11），下侧 - 透光覆盖材料（3），这使包围光电子半导体芯片（1），和 - 游离的半导体层序列的下侧（11） - 一个光散射和/或光反射材料，其特征在于，颗粒（41） 是透光性覆盖材料（3），以及 - 所述颗粒（41）局部地覆盖半导体层序列（11）和所述包装材料（3）的外表面的下侧。

    VERFAHREN ZUR FIXIERUNG EINER MATRIXFREIEN ELEKTROPHORETISCH ABGESCHIEDENEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERCHIP FÜR DIE HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    25.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR FIXIERUNG EINER MATRIXFREIEN ELEKTROPHORETISCH ABGESCHIEDENEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERCHIP FÜR DIE HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    程序用于固定基质释放电层上的半导体芯片用于产生辐射半导体元器件和辐射半导体部件

    公开(公告)号：WO2014041165A1

    公开(公告)日：2014-03-20

    申请号：PCT/EP2013/069151

    申请日：2013-09-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL, Ion ,  TAEGER, Sebastian ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  LINDBERG, Gudrun ,  HARTAUER, Stefan

    IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip (2) für die Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angeben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1), wobei der Halbleiterwafer (1) ein Trägersubstrat (5) und wenigstens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei der wenigstens eine Halbleiterchip (2) eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und wobei an einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) wenigstens ein Kontaktbereich (3) ausgebildet ist; elektrophoretisches Abscheiden eines Materials (7) auf der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht, wobei ein Abscheiden des Materials (7) auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (3) verhindert wird, und; Aufbringen eines anorganischen Matrixmaterials (8) auf wenigstens einen Teilbereich einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zur Fixierung des Materials (7) auf dem wenigstens einen Halbleiterchip (2). Ferner wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

    Abstract translation: 一种用于在半导体芯片上固定矩阵自由电泳沉积层的方法，（2）提供一种用于生产辐射的半导体器件的方法，包括以下步骤：提供一个半导体晶片（1），其中，所述半导体晶片（1）的支撑基板（5）和 至少一个半导体芯片（2），其中，所述至少一个半导体芯片（2）具有用于产生电磁辐射的有源区，并且其中，从载体基板（5）（4）的所述至少一个半导体芯片（2）的至少一个接触区域背向表面 （3）形成; （5）背离的材料的电泳沉积（7）（4）的所述至少一个半导体芯片（2），以形成电沉积层远离载体衬底上表面，防止所述材料（7）沉积到所述至少一个接触区（3） 是，和; 用于所述至少一个半导体芯片上的材料（7）的固定（2）（8）在载体基材的至少一部分上施加的无机基质材料中的半导体晶片（1）的表面（5）背离。 此外，发射辐射的半导体组件被指定。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHENS
    26.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHENS 审中-公开
    光电半导体器件，转换剂板及其制造方法A转换器，平板

    公开(公告)号：WO2014023617A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：PCT/EP2013/066011

    申请日：2013-07-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MARKYTAN, Ales ,  GÄRTNER, Christian ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  STOLL, Ion ,  BRUNNER, Herbert ,  SCHLERETH, Thomas

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.

    Abstract translation: 至少在一个实施例中，半导体器件（1）包括的光电子半导体芯片3。 此外，半导体器件（1）包括变换介质板（4），其被安装在半导体芯片（3）的辐射主侧（30）和适于初级辐射转换成一个次级辐射。 转换介质板（4）包括嵌入在其中的基体材料（42）和转换剂颗粒（43）。 此外，转换介质板（4）包括一个转换层（41A）。 在所述至少一个转换层（41A）是变换介质颗粒（43）。 转换剂颗粒（43），与任选存在的扩散剂颗粒（45）单独或一起构成的转换层（41A）的至少50％的体积分数。 此外，转换介质板（4）包括一接合层（41C），其中所述颗粒的转换装置（43）是与存在的不超过2.5％的体积分数。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND MODUL MIT EINER MEHRZAHL VON DERARTIGEN BAUELEMENTEN
    27.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND MODUL MIT EINER MEHRZAHL VON DERARTIGEN BAUELEMENTEN 审中-公开
    光电半导体器件和模块，这样的组件NUMBER

    公开(公告)号：WO2013041314A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：PCT/EP2012/066037

    申请日：2012-08-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STOLL, Ion ,  PETERSEN, Kirstin

    Inventor： STOLL, Ion ,  PETERSEN, Kirstin

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L31/16 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0026 ,  G02B6/0073 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133617 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das einen Halbleiterchip (1) umfasst, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a) aufweist, die geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Dem Halbleiterchip (1) ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung umfasst. Zudem ist dem Halbleiterchip (1) in Abstrahlrichtung ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung von höchstens 1,5 % umfasst. Weiter ist ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种半导体器件，包括半导体芯片（1），包括适合于产生辐射活性层（1a）中，其适于发射在蓝光波长范围内的装置。 在半导体芯片（1）的第一转换器（3A）设置在所述辐射方向的下游，其包括的Ce掺杂。 另外，第二转换器（3B）设置在发射方向上的半导体芯片（1）的下游，其包括超过1.5％的Ce掺杂。 此外，模块设置有多个这样的装置。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERWENDUNG EINES DERARTIGEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    28.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERWENDUNG EINES DERARTIGEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    光电半导体器件和这样的半导体元件的使用

    公开(公告)号：WO2012171721A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：PCT/EP2012/058392

    申请日：2012-05-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  CUI, Hailing ,  STOLL, Ion

    Inventor： CUI, Hailing ,  STOLL, Ion

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das ein Trägersubstrat (2), einen ersten Halbleiterchip (1a) und einen zweiten Halbleiterchip (1b) umfasst. Der erste Halbleiterchip (1a) ist geeignet, Strahlung im UV-Wellenlängenbereich zu emittieren. Der zweite Halbleiterchip (1b) ist geeignet, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Dem ersten Halbleiterchip (1a) ist ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der geeignet ist, die UV-Strahlung in grüne Strahlung zu konvertieren. Dem zweiten Halbleiterchip (1b) ist ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der geeignet ist, blaue Strahlung in rote Strahlung zu konvertieren. Weiter ist eine Verwendung für ein derartiges Bauelement angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种半导体器件，包括载体衬底（2），第一半导体芯片（1a）和第二半导体芯片（1b）中。 在第一半导体芯片（1a）的，适用于在UV波长范围内发射辐射。 所述第二半导体芯片（1b）的适于发射在蓝光波长范围内。 在第一半导体芯片（1a）的后面是一第一转换器（图3a），适于UV辐射转换成绿色辐射。 所述第二半导体芯片（1b）的后面是一第二转换器（3B），其适于蓝色辐射转换成红色辐射。 接着被指定为这样的装置的用途。

    MINIMIERUNG VON STOKESVERLUSTEN DURCH PHOTONMULTIPLIKATIONSPROZESSE FÜR IR-ANWENDUNGEN
    29.
    发明申请
    MINIMIERUNG VON STOKESVERLUSTEN DURCH PHOTONMULTIPLIKATIONSPROZESSE FÜR IR-ANWENDUNGEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020083929A1

    公开(公告)日：2020-04-30

    申请号：PCT/EP2019/078755

    申请日：2019-10-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL, Ion ,  BOEHM, Marcus

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Gegenstand der Erfindung ist ein lichtemittierendes Bauelement (1) umfassend: - mindestens ein Konversionselement (3) umfassend: - mindestens ein erstes Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Polyazen, Rubren und Derivaten davon; - mindestens ein zweites Material, wobei es sich bei dem zweiten Material um einen Quantenpunkt handelt, und - mindestens eine Lichtquelle (2), wobei die mindestens eine Lichtquelle (2) mindestens ein Photon im Bereich von 3,5 eV bis 2,5 eV, bevorzugt im Bereich von 3,0 eV bis 2,55 eV, emittiert. Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung die Verwendung eines erfindungsgemäßen lichtemittierenden Bauelements (1).

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