公开(公告)号：WO2009121339A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/DE2009/000417

申请日：2009-03-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEGLEITER, Walter ,  WIRTH, Ralph ,  BARCHMANN, Bernd

Inventor： WEGLEITER, Walter ,  WIRTH, Ralph ,  BARCHMANN, Bernd

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Anschlussträger (2) mit einer Anschlussseite (20) und mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der auf der Anschlussseite angebracht und mit dem Anschlussträger elektrisch verbunden ist. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil eine haftvermittelnde Zwischenfolie (5) die auf der Anschlussseite angebracht ist und diese mindestens teilweise bedeckt. Zudem weist das Halbleiterbauteil mindestens einen strahlungsdurchlässigen Vergusskörper (4) auf, der den Halbeiterchip zumindest teilweise umgibt, wobei der Vergusskörper mittels der Zwischenfolie mit dem Anschlussträger mechanisch verbunden ist. Ein derart gestaltetes optoelektronisches Halbleiterbauteil ist alterungsbeständig und weist gute optische Eigenschaften auf.

Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述（2），其具有连接侧（20）和至少一个光电子半导体芯片（3）安装在所述连接侧并电连接到连接支承一个终端支持。 此外，该半导体装置包括安装在终端侧，该至少部分地覆盖的粘合剂中间膜（5）。 此外，该半导体器件包括至少一个辐射透灌封（4），其至少包围所述半导体芯片的一部分，其中，由所述中间膜来连接载体的装置中的铸造体机械地连接。 这样设计的光电子半导体器件是耐老化，并具有良好的光学特性。

公开(公告)号：WO2009068007A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/DE2008/001959

申请日：2008-11-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: Vorliegend wird eine Beleuchtungsvorrichtung mit einem Chipgehäuse (2) mit mindestens einer Vertiefung (5) angegeben, die durch eine reflektierende Innenfläche (4) begrenzt ist. Weiterhin umfasst die Beleuchtungsvorrichtung mindestens einen Strahlung emittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Chipfläche (9), der in der Vertiefung angeordnet ist, sowie ein chipfernes Winkelfilterelement (6), das in das Chipgehäuse integriert ist und dem Halbleiterchip in einer Vorzugsrichtung (v) nachgeordnet ist, wobei die reflektierende Innenfläche mindestens zehnmal so groß ist wie die Chipfläche.

Abstract translation: 在当前情况下，与芯片外壳（2）具有至少一个凹部（5）的照明装置设置，这是由反射内表面界定（4）。 此外，所述照明装置包括至少一个发射辐射的半导体芯片（3），其被布置在凹槽中的切屑表面（9），和一个芯片遥远角度过滤器元件（6），其被集成到芯片封装，并且在优选方向上的半导体芯片（V）的下游 是，其中，所述反射内表面是至少10倍大的芯片面积。

公开(公告)号：WO2008145096A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：PCT/DE2008/000869

申请日：2008-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STREUBEL, Klaus ,  WIRTH, Ralph

Inventor： STREUBEL, Klaus ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Lumineszenzdiodenchip mit - einem Halbleiterkörper (1), der Strahlung einer ersten Wellenlänge erzeugt, - einem Lumineszenzkonversionselement (5), das aus der Strahlung erster Wellenlänge Strahlung einer zweiten Wellenlänge erzeugt, und - einem Winkelfilterelement (4), das Strahlung, die unter einem speziellen Winkel relativ zu einer Hauptabstrahlrichtung auf das Winkelfilterelement auf trifft, in Richtung des Halbleiterkörpers zurückreflektiert.

Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管芯片，包括： - 是从具有第二波长的第一波长的辐射和辐射产生的发光转换元件（5） - - 半导体基体（1），所述产生的第一波长的辐射的角度过滤器元件（4），所述辐射， 这在特定相对角过滤元件的主发射方向的角度满足，在半导体本体的方向反射回来。

公开(公告)号：WO2002089217A2

公开(公告)日：2002-11-07

申请号：PCT/DE2002/001530

申请日：2002-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: Ein Halbleiterchip, insbesondere eine Leuchtdiode, weist ein Substrat (2) auf, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (5) aufgebracht ist. Oberhalb der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet sich eine gestufte, fresnellinsenartig strukturierte Fensterschicht (6), die hinsichtlich der Strahlungsauskopplung die Funktion einer Halbkugellinse (7) hat. Dadurch ergibt sich ein Halbleiterchip mit besonders hohem Auskoppelwirkungsgrad.

Abstract translation: 一种半导体芯片，特别是一种发光二极管包括：（2）被施加在基底上，其与有源区的半导体层序列（3）（5）。 上述半导体层序列（3）是一个阶梯状结构fresnellinsenartig窗口层（6），其具有半球形透镜（7）相对于所述辐射耦合的功能。 这导致具有特别高的Auskoppelwirkungsgrad的半导体芯片。

公开(公告)号：WO2023046382A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/EP2022/073184

申请日：2022-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIRTH, Ralph ,  BECKER, Dirk ,  HETZL, Martin ,  VARGA, Horst ,  VARGHESE, Tansen ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0203 ,  H01S5/42 ,  H02M3/335

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (2) zu empfangen und eine Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) einen Kantenemitter (10) umfasst, und - der Empfänger (3) zumindest eine Fotodiode (30) umfasst.

公开(公告)号：WO2018146084A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：PCT/EP2018/052922

申请日：2018-02-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GHASEMI AFSHAR, Farhang ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: Eine LED-Einheit (100, 300) umfasst ein Substrat (105) mit einem ersten LED-Chip (110), der eine erste Lichtaustrittsfläche (115) aufweist und der so auf dem Substrat(105)angeordnet ist, dass von ihm emittiertes Licht in eine Abstrahlrichtung (Z) der LED-Einheit (100, 300) abstrahlt. Weiterhin umfasst die LED-Einheit (100, 300) einen zweiten LED-Chip (120), der eine zweite Lichtaustrittsfläche (125) aufweist und der über dem ersten LED-Chip (110) angeordnet ist, so dass der zweite LED-Chip (120) den ersten LED-Chip (110) zumindest teilweiseüberdeckt und von ihm emittiertes Licht in die Abstrahlrichtung (Z) der LED-Einheit (100, 300) abstrahlt. Darüber hinaus umfasst die LED-Einheit (100, 300) eine erste Konversionsschicht (135) und eine zweite Konversionsschicht (140), wobei die erste Konversionsschicht (135) zumindest teilweise die erste Lichtaustrittsfläche (115) bedeckt und/oder den ersten LED-Chip (110) zumindest teilweise seitlich umschließt und die zweite Konversionsschicht (140) den zweiten LED-Chip (120) zumindest teilweise umhüllt.

公开(公告)号：WO2012022813A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/EP2011/064395

申请日：2011-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM AG ,  KRÄUTER, Gertrud ,  WIRTH, Ralph ,  LANGE, Stefan ,  JERMANN, Frank

Inventor： KRÄUTER, Gertrud ,  WIRTH, Ralph ,  LANGE, Stefan ,  JERMANN, Frank

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02288 ,  H01L2924/00014

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Strahlung emittierendes Bauelement (1) umfassend: eine Halbleitermaterialien enthaltende Strahlungsquelle (10), die im Betrieb eine erste Strahlung erster Wellenlänge emittiert; einen transparenten Körper (20), der ein Matrixmaterial und einen anorganischen Füllstoff umfasst und der zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist; und ein Konvertermaterial (30), das zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist und die erste Strahlung zumindest teilweise in eine zweite Strahlung mit einer zweiten, längeren Wellenlänge konvertiert. Dabei steht das Konvertermaterial (30) zumindest teilweise in einem thermisch leitenden Kontakt mit zumindest einem Teil des Füllstoffs des transparenten Körpers (20).

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种辐射发射装置（1），包括：半导体材料含有辐射源（10）发射具有在操作中的第一波长的第一辐射; 一个透明体（20），包括基体材料和无机填料和（11）的所述第一辐射至少部分地在光束路径中; 和的转换器材料（30）（11），所述第一辐射在光路至少部分地和至少所述第一辐射部分转换成具有第二，较长波长的第二辐射。 重点是转换器材料（30）至少部分地在与透明体（20）的填充物中的至少一部分的导热接触。

公开(公告)号：WO2011038948A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/EP2010/060255

申请日：2010-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG ,  BERTRAM, Ralph Peter ,  WIRTH, Ralph ,  MARFELD, Jan

Inventor： BERTRAM, Ralph Peter ,  WIRTH, Ralph ,  MARFELD, Jan

IPC: F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  F21Y101/02 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21K9/135 ,  F21K9/232 ,  F21K9/60 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird eine Mischlichtquelle (1) angegeben, die eine erste Strahlungsquelle (2) umfasst, die Strahlung im roten Spektralbereich emittiert. Weiterhin umfasst die Mischlichtquelle eine Anregungsquelle (3), die ein III-V-Halbleitermaterial enthält und einen Konversionsstoff (4), der im Betrieb der Mischlichtquelle die Strahlung der Anregungsquelle zumindest teilweise in Strahlung umwandelt, deren Farbort im CIE-Farbdiagramm innerhalb eines Vielecks liegt, das durch die Koordinaten (0,1609; 0,497), (0,35; 0,6458), (0,558; 0,444) und (0,453; 0,415) aufgespannt ist.

Abstract translation: 本发明提供一种混合光源（1），包括第一辐射源（2），其发射辐射在红色光谱范围。 此外，该混合光源包括激发源（3），其包含III-V族半导体材料和其将混合光源的操作的转换材料（4），所述激发源的辐射至少部分地在辐射，其色坐标位于CIE色图的多边形内 由坐标（0.1609，0.497）被夹紧，（0.35，0.6458），（0.558 ;; 0.444）和（0.415 0.453）表示。

公开(公告)号：WO2010022699A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/DE2009/001104

申请日：2009-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/483 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, mit: einem Anschlussträger (2) auf dem ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (3) angeordnet ist, einem Konversionselement (4), das am Anschlussträger (2) befestigt ist, wobei: das Konversionselement (4) den Halbleiterchip (3) überspannt, derart dass der Halbleiterchip (3) vom Konversionselement (4) und dem Anschlussträger (2) umgeben ist, und das Konversionselement (4) aus einem der folgenden Materialien besteht: Keramik, Glas-Keramik.

Abstract translation: 提供了一种光电部件（1），包括：端子支撑（2）在其上发射辐射的半导体芯片（3）被布置，一个转换元件（4），其被固定到所述终端支撑件（2），其中：所述转换元件（4） 横跨半导体芯片（3），以这样的方式使半导体芯片（3）由所述转换元件（4）和连接架（2），并从以下材料中的一种转换元件（4）所包围：陶瓷，玻璃 - 陶瓷。

公开(公告)号：WO2009143802A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：PCT/DE2009/000646

申请日：2009-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  ENGL, Karl ,  STREUBEL, Klaus

Inventor： WIRTH, Ralph ,  ENGL, Karl ,  STREUBEL, Klaus

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/13

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Träger (1) umfasst, auf dem zumindest zwei Halbleiterbauelemente (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei jedes der Halbleiterbauelemente (2) - im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und - eine vom Träger (1) abgewandte Hauptoberfläche (21) aufweist, auf der ein Wellenlängenkonversionselement (3) zur zumindest teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung angeordnet ist, - das Wellenlängenkonversionselement (3) eine Strahlungseintrittsfläche (31), eine Strahlungsaustrittsfläche (32) und Seitenflächen (33), die die Strahlungseintrittsfläche (31) mit der Strahlungsaustrittsfläche (32) verbinden, umfasst und mit der Strahlungseintrittsfläche (31) auf der Hauptoberfläche (21) angeordnet ist, - wobei auf den Seitenflächen (33) ein erstes nicht-transparentes Material (4) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是提供一种发射辐射的装置，包括：载体（1），其上的至少两个半导体组件（2）彼此相邻地布置，每个所述半导体组件（2） - 发射操作过程中的电磁初级辐射，以及 - 从载体一（1）的面向远离 具有在其上的波长转换元件（3）被布置为初级辐射的至少部分转化成电磁次级辐射主表面（21）， - 所述波长转换元件（3）具有一个辐射入射面（31），辐射出射表面（32）和侧面（33） 与辐射出射表面（32）连接所述辐射入射面（31），与辐射入射面（31）的主表面上包括：（21）设置， - 其中，在所述侧表面（33）被布置在第一非透明材料（4）。