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    STRAHLUNGSDETEKTOR
    21.
    发明申请
    STRAHLUNGSDETEKTOR 审中-公开
    辐射探测器

    公开(公告)号：WO2005096394A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：PCT/DE2005/000428

    申请日：2005-03-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

    Inventor： JAEGER, Arndt ,  STAUSS, Peter ,  WINDISCH, Reiner

    IPC: H01L31/0216

    CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    Abstract: Es wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9), die ein Maximum bei einer vorgegebenen Wellenlänge λ o aufweist, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem der Detektorsignalerzeugung dienenden und zum Strahlungsempfang vorgesehenen aktiven Bereich (5) angegeben, wobei der aktive Bereich (5) gemäß einer Ausführungsform eine Mehrzahl von Funktionsschichten (4a, 4b, 4c, 4d) umfasst, die unterschiedliche Bandlücken und/oder Dicken aufweisen und derart ausgebildet sind, dass sie (4a, 4b, 4c, 4d) zumindest teilweise Strahlung in einem Wellenlängenbereich größer als λ0 absorbieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem aktiven Bereich eine Filterschichtstruktur (70) nachgeordnet, die zumindest eine Filterschicht (7, 7a, 7b, 7c) umfasst, wobei die Filterschichtstruktur die kurzwellige Seite (101) der Detektorempfindlichkeit (10) gemäß der vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) durch Absorption von Wellenlängen kleiner als λ o bestimmt. Weiterhin wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß der spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) des menschlichen Auges angegeben. Der Halbleiterkörper kann monolithisch integriert sein.

    Abstract translation: 它正在服务的放射线检测器，用于检测辐射（8）根据其具有在预定波长lambdao最大包括半导体主体（1）与所述检测器信号生成中的一个和用于接收辐射有源区域中的预定光谱灵敏度分布（9）（5） 指定的，其中，根据一个实施例的有源区（5）包括多个功能层（4A，4B，4C，4D），其具有不同带隙和/或厚度和被形成为使得它们（图4a，4b，4c，4d的 的波长范围内大于lambda0更大吸收）至少部分辐射。 根据进一步的实施例中，过滤层结构（70）被设置在有源区的下游，所述至少一个滤光层（7，图7A，7B，7C），其中，所述过滤器层结构中的给定的光谱灵敏度分布的检测器灵敏度（10）的短波长侧（101）（ 9）通过波长的吸收来测定比lambdao小。 此外，提供用于检测根据人眼的光谱灵敏度分布（9）辐射（8）的放射线检测器。 半导体本体可以单片集成。

    TRANSFERVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUELEMENTE
    22.
    发明申请
    TRANSFERVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUELEMENTE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023016899A1

    公开(公告)日：2023-02-16

    申请号：PCT/EP2022/071865

    申请日：2022-08-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUSS, Peter ,  PFEUFFER, Alexander

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L21/67

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transferieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) von einem ersten Träger (10) auf einen zweiten Träger (11) umfassend die Schritte: Bereitstellen einer Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) auf dem ersten Träger (10); Bereitstellen des zweiten Trägers, wobei der zweite Träger (11) auf dessen Oberseite (11a) eine Kontaktstruktur (3) mit einer Vielzahl periodisch angeordneter Kontaktflächen (4) aufweist; Aufnehmen der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mittels einer Transfereinheit (12) umfassend ein Aufsetzen der Transfereinheit (12) auf eine dem ersten Träger (10) gegenüberliegende Oberseite der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1); Abheben der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) von dem ersten Träger (10); und Absetzen einer ersten Teilmenge (2a) der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) auf einer ersten Teilmenge der Vielzahl periodisch angeordneter Kontaktflächen (4).

    STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    23.
    发明申请
    STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021224324A1

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：PCT/EP2021/061835

    申请日：2021-05-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUSS, Peter ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01L33/22

    Abstract: Es wird ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend - einen Halbleiterkörper (2), der eine aktive Zone (4) zur Erzeugung von Strahlung sowie eine 10 Strahlungsaustrittsfläche (2A) aufweist, - ein Kontaktelement (6), das in einem ersten lateralen Abstand (a1) zu einem ersten Randstück (2C) der Strahlungsaustrittsfläche (2A) und in einem zweiten lateralen Abstand (a2) zu einem zweiten Randstück (2D) der Strahlungsaustrittsfläche (2A) auf dieser angeordnet ist, und - eine Auskoppelstruktur (7) zur Verbesserung der Auskopplung der von der aktiven Zone (4) erzeugten Strahlung, die - an der Strahlungsaustrittsfläche (2A) angeordnet ist und Strukturelemente (7A) aufweist, wobei die Strukturelemente (7A) derart variieren, dass die Strahlungsauskopplung ausgehend von dem Kontaktelement (6) bis zum ersten und/oder zweiten Randstück (2C, 2D) zunimmt. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (1) angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    24.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016156312A9

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2016/056794

    申请日：2016-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI, Asako ,  MEYER, Tobias ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter ,  NIRSCHL, Anna ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  NIEBLING, Tobias ,  GALLER, Bastian

    IPC: H01L33/06

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

    Abstract translation:

    在光电子半导体芯片的示范性导航用途引导形状（1）包括具有多量子阱结构的有源区（3），其包括多个量子阱层（31）和阻挡层（32）（沿生长方向 G）交替地沿着彼此延伸并遍及整个多量子阱结构（3）。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子井结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 量子阱层（31）和/或在运输区域（42）的阻挡层（32）是d导航用途男士设计和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

    HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE
    25.
    发明申请
    HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE 审中-公开
    半导体层序列及其制造方法的半导体层序列

    公开(公告)号：WO2014118162A1

    公开(公告)日：2014-08-07

    申请号：PCT/EP2014/051607

    申请日：2014-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER, Werner ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

    CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird eine Halbleiterschichtenfolge angegeben mit - einer ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht, einer zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht, und einer zwischen der ersten und zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht angeordneten Zwischenschicht, - wobei beginnend mit der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht die Zwischenschicht und die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht in einer Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge nachfolgend angeordnet sind und direkt aufeinanderfolgend zueinander angrenzen, - wobei die Zwischenschicht zumindest stellenweise eine von der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht verschiedene Gitterkonstante aufweist und - wobei die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht zu der Zwischenschicht zumindest stellenweise gitterangepasst ist.

    Abstract translation: 有由表示一个半导体层序列 - 的第一氮化物化合物半导体层，第二氮化物半导体层，和设置在第一和第二氮化物半导体层的中间层之间， - 其中，与所述第一氮化物半导体层，中间层和在下面的半导体层序列的生长方向上的第二氮化物化合物半导体层开始， 被布置直接相邻依次彼此， - 其中，至少局部地在中间层具有从第一氮化物半导体层的晶格常数，以及不同 - 其中，在场所的第二氮化物半导体层至少是晶格匹配的中间层。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE
    27.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE 审中-公开
    一种用于生产发光二极管

    公开(公告)号：WO2011039181A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：PCT/EP2010/064353

    申请日：2010-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

    Inventor： STAUSS, Peter ,  DRECHSEL, Philipp

    IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), das eine Silizium-Oberfläche (1a) aufweist, - Abscheiden einer Schichtenfolge (100) auf der Silizium-Oberfläche (1a) in einer Wachstumsrichtung (R), und - Abscheiden einer Leuchtdiodenstruktur (16) auf die Schichtenfolge (100), wobei - die Schichtenfolge (100) eine GaN-Schicht (5) enthält, die mit Galliumnitrid gebildet ist, - die Schichtenfolge eine Maskierungsschicht (12) enthält, die mit Siliziumnitrid gebildet ist, und - die Maskierungsschicht (12) zumindest einem Teil der GaN-Schicht (5) in Wachstumsrichtung (R) nachfolgt.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于制造发光二极管，包括以下步骤： - 在生长方向上的硅表面上沉积的层序列（100）（1A） - 提供（1）具有硅表面（1a）的一个支撑衬底， 于该层序列（100），沉积的发光结构（16） - - 层（100）的序列包括：（5）形成有氮化镓GaN层， - 层的顺序包括掩蔽层（12）（R），并 （R）如下所述掩蔽层（12）至少在生长方向上的GaN层（5）的一部分 - 其与氮化硅形成，并且。

    MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
    28.
    发明公开
    MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
    MORE多量子阱结构，发射辐射的半导体主体中并且辐射分量

    公开(公告)号：EP2027607A1

    公开(公告)日：2009-02-25

    申请号：EP07722361.8

    申请日：2007-05-04

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： STAUSS, Peter

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Disclosed is a multiple quantum-well structure (1), which comprises at least a first quantum-well structure (2a) for generating radiation of a first wavelength (6) and at least a second quantum-well structure (2b) for generating radiation of a second wavelength (7) that is greater than the first wavelength (6), and which is intended for emission of radiation of a primary wavelength (14), wherein the second wavelength (7) differs from the first wavelength (6) in such a way that the primary wavelength (14) changes only by a specified maximum value on occurrence of a shift in the first wavelength (6) and the second wavelength (7). Additionally, a radiation-emitting semiconductor base and a radiation-emitting component are disclosed.

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