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    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES
    23.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES 未知

    公开(公告)号：FR2905519A1

    公开(公告)日：2008-03-07

    申请号：FR0653524

    申请日：2006-08-31

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L21/8236 ,  H01L27/088

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré contenant des transistors MOS complètement et partiellement déplétés, comprenant les étapes suivantes .a) former des transistors MOS similaires sur une couche mince de silicium (3) formée sur une couche de silicium-germanium (2) reposant sur un substrat de silicium ;b) coller la face supérieure de la structure à une plaquette support (21) ;c) éliminer le substrat;d) déposer un masque (23) et ouvrir ce masque aux emplacements des transistors complètement déplétés ;e) oxyder le silicium-germanium aux emplacements des transistors complètement déplétés dans des conditions telles qu'il se produit un phénomène de condensation ; etf) éliminer la partie oxydée et la partie de silicium-germanium, d'où il résulte qu'il demeure des transistors dont la couche de silicium est amincie.

    CAPTEUR D'IMAGES ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A TEMPERATURE DE SUBSTRAT UNIFORME
    24.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGES ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A TEMPERATURE DE SUBSTRAT UNIFORME 未知

    公开(公告)号：FR2904143A1

    公开(公告)日：2008-01-25

    申请号：FR0653082

    申请日：2006-07-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CAZAUX YVON ,  CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M7, M8). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

    26.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2888665B1

    公开(公告)日：2007-10-19

    申请号：FR0507598

    申请日：2005-07-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  GALLON CLAIRE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

    Abstract: The method involves delimiting an insulating region, and forming a gate region (G), source and drain regions which delimit a channel such that the gate region extends above the channel. The insulating region is formed by locally forming a zone formed of silicon-germanium alloy, selectively etching the alloy with respect to silicon and depositing a dielectric material at the etched place. The etching is performed after forming the gate region above a silicon-on-insulator semiconductor substrate deposited above a buried oxide layer. An independent claim is also included for an integrated circuit comprising a metal oxide semiconductor transistor.

    27.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2887075B1

    公开(公告)日：2007-10-12

    申请号：FR0505880

    申请日：2005-06-09

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： BUSTOS JESSY ,  THONY PHILIPPE ,  CORONEL PHILIPPE

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

    Abstract: A radiation attenuating layer (2) is formed above lower circuit element that is reflective to radiation. A layer transparent to radiation is formed above attenuating layer. A lithography resist mask deposited on circuit is exposed to primary radiation flux. The mask is developed to remove portions exposed to amount of radiation above mask development threshold. An upper circuit element that has one side defined by edge of attenuating layer and other side superimposed with a side of lower element is formed. An independent claim is included for integrated electronic circuit.

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