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公开(公告)号：FR2990296A1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：FR1254061
申请日：2012-05-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： JOBLOT SYLVAIN , BAR PIERRE
IPC: H01L23/52
Abstract: L'invention concerne une puce munie de vias traversants dans laquelle les vias sont constituée d'une ouverture à parois isolées revêtues d'un matériau conducteur (27) et remplie d'un matériau isolant facilement déformable (29), des éléments (32, 37) de liaison avec une autre puce étant disposés en regard du matériau isolant facilement déformable.
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22.发明专利
公开(公告)号：FR2976402A1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：FR1154916
申请日：2011-06-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOLBOT SYLVAIN , CARPENTIER JEAN-FRANCOIS
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: Structure d'interconnexion électrique pour circuit intégré, comprenant au moins un substrat (1) ayant des première et deuxième faces (10, 11) opposées et comprenant au moins : - une cavité (2) ouverte vers ladite première face (10) définissant au moins une première région (12) située sous la cavité (2) et une deuxième région (13) d'épaisseur (E2) supérieure à celle (E1) de la première région (12) ; - une liaison électrique d'un premier type (3) traversant l'épaisseur (E1) de la première région (12) et débouchant sur la deuxième face (11) du substrat (1) ; et - une liaison électrique d'un deuxième type (4) s'étendant le long de la surface interne de la cavité (2), et reliant la liaison électrique du premier type (3) à la deuxième région (13) au niveau d'une zone d'accueil (130) d'au moins un circuit intégré (5) située sur la première face (10) du substrat (1).
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公开(公告)号：FR2951023B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：FR0956849
申请日：2009-10-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , CARPENTIER JEAN-FRANCOIS
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公开(公告)号：FR2951024A1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：FR0956858
申请日：2009-10-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , PETIT DAVID , CARPENTIER JEAN-FRANCOIS
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche sur laquelle sont formés des résonateurs BAW (31), chaque résonateur comportant : au dessus d'un substrat (3), un résonateur piézoélectrique (5), et à côté du résonateur piézoélectrique, un plot de contact relié à une électrode du résonateur piézoélectrique ; et entre le résonateur piézoélectrique et le substrat, un miroir de Bragg (37), comportant au moins une couche conductrice (37b) s'étendant entre ledit au moins un plot et le substrat (3), et au moins une couche d'oxyde de silicium (37a) s'étendant entre le plot et le substrat, ce procédé comportant les étapes suivantes : déposer la couche d'oxyde de silicium (37a) ; et réduire les inégalités d'épaisseur de cette couche (37a) liées au procédé de dépôt, de sorte qu' elle présente une même épaisseur à mieux que 2 % près, et de préférence à mieux que 1 % près, au niveau de chaque plot.
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公开(公告)号：FR3036531A1
公开(公告)日：2016-11-25
申请号：FR1554475
申请日：2015-05-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , COUDRAIN PERCEVAL
Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle (STR), comprenant un premier et un deuxième élément (1,2) ayant chacun une partie d'interconnexion comportant des niveaux de métallisation (121, 221) enrobés dans une région isolante (122,222), les deux éléments étant mutuellement solidarisés par l'intermédiaire de leur partie d'interconnexion respective (12, 22), le premier élément (1) comportant en outre au moins un via (13) traversant en partie le substrat de ce premier élément (1) et coopérant électriquement avec un moyen de connexion externe situé sur la face arrière de celui-ci, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un système de refroidissement thermique (RT) comportant au moins une cavité (4) possédant une première partie située dans la région isolante de la partie d'interconnexion (12) du premier élément et une deuxième partie située dans la région isolante (22) de la partie d'interconnexion du deuxième élément (2) et au moins un canal traversant (7) s's'étendant depuis la face arrière du premier élément pour déboucher dans ladite au moins une cavité (4).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2983638A1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：FR1161066
申请日：2011-12-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , HOTELLIER NICOLAS
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit intégré comprenant les étapes suivantes : a) former des ouvertures dans une face avant d'une première plaquette (W1) et les remplir d'un matériau conducteur (5) ; b) former des zones dopées de composants dans des zones actives (9) de la face avant, former des niveaux d'interconnexion (11) sur ladite face et aplanir ladite face ; c) recouvrir d'une couche d'isolant (17) une face avant d'une deuxième plaquette (W2), et aplanir ladite face revêtue d'isolant ; d) appliquer la face avant de la deuxième plaquette (W2) sur la face avant de la première plaquette (W1), de façon à obtenir un collage entre les deux plaquettes ; e) former des vias (33) à partir de la face arrière de la deuxième plaquette, jusqu'à atteindre les niveaux d'interconnexion (11) ; et f) amincir la première plaquette, jusqu'à atteindre les ouvertures remplies de matériau conducteur.
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公开(公告)号：FR2951025A1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：FR0956860
申请日：2009-10-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , PETIT DAVID
Abstract: L'invention concerne un procédé d'ajustement à la fabrication de la capacité d'un condensateur (45) reposant sur un substrat (3), ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, parallèlement à la surface du substrat, une première électrode (45a) et la recouvrir d'une couche diélectrique ; b) former, sur une première portion (47b) de la couche diélectrique, une deuxième électrode (47c) ; c) mesurer la capacité entre la première électrode (45a) et la deuxième électrode (47c), et en déduire la capacité à ajouter pour obtenir la capacité visée ; d) amincir une seconde portion (49b) de la couche diélectrique, non recouverte par la deuxième électrode (47c), de façon que l'épaisseur de cette seconde portion soit adaptée à la réalisation de la capacité déduite ; et e) former une troisième électrode sur la portion amincie et la connecter à la deuxième électrode.
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公开(公告)号：FR2951023A1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：FR0956849
申请日：2009-10-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , CARPENTIER JEAN-FRANCOIS
Abstract: L'invention concerne un procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur monolithique (41) comportant des éléments de circuit (23) et un résonateur BAW (25), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) réaliser les éléments de circuit (23) et le résonateur (25) et les connecter électriquement ; b) recouvrir le résonateur (25) d'une couche d'ajustement de fréquence (9) ; c) mesurer la fréquence de sortie de l'oscillateur ; d) modifier l'épaisseur de la couche d'ajustement de fréquence (9) de façon à modifier la fréquence de sortie de l'oscillateur.
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公开(公告)号：FR2992103B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：FR1255719
申请日：2012-06-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS , BAR PIERRE , DUSSOPT LAURENT
IPC: H01Q23/00 , H01L23/522
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公开(公告)号：FR2993397A1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：FR1256838
申请日：2012-07-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN
IPC: H01L23/02
Abstract: Le dispositif semi-conducteur comprend une plaquette comprenant une plaque de substrat (11) et présentant une face avant (11a) et un trou arrière (55) ouvert vers l'arrière et aménagé au moins en partie dans la plaque de substrat (11) et présentant un fond (58), et une pluralité de condensateurs (C1, C2) en forme de colonnes (56, 57) qui s'étendent vers l'arrière en saillie dans le trou arrière (55) par rapport au fond (58) de ce trou arrière et qui sont situées à distance les unes des autres. Chaque condensateur comprend une couche ou partie intérieure (32, 33 ; 37, 38) conductrice de l'électricité formant une électrode intérieure (Eint) et présentant une surface avant (26a, 28a) de connexion électrique, une couche extérieure (30, 35) conductrice de l'électricité formant une électrode extérieure (Eext) et présentant, dans le trou arrière, une surface de connexion électrique arrière, et une couche intermédiaire diélectrique (31, 36) entre la couche intérieure et la couche extérieure, formant une couche de séparation (Cs) entre lesdites électrodes.
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