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    22.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE60307174D1

    公开(公告)日：2006-09-14

    申请号：DE60307174

    申请日：2003-05-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DELPECH PHILIPPE ,  CREMER SEBASTIEN ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

    Abstract: Capacitor is manufactured in substrate (1) by digging recess into substrate; forming first conformal layer of insulating material; forming second conductive layer; forming third layer of conductive or insulating material filling up recess; digging trenches into third layer, across entire height; depositing fourth layer of conductive material; forming fifth layer of dielectric material; and depositing sixth layer of conductive material. An Independent claim is also included for a capacitor formed in a substrate comprising: (a) a recess (2) dug into a substrate; (b) a first layer of a dielectric material covering the walls, the bottom and the edges of the recess; (c) a second layer of a conductive material covering the first layer; (d) a third layer of a conductive or insulating material filling the recess; (e) trenches crossing the third layer; (f) a fourth layer of a conductive material covering the walls, the bottoms as well as the intervals between these trenches and the edges; (g) a fifth layer of a dielectric material covering the fourth layer; and (h) a sixth layer of a conductive material covering the fifth layer.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2917231B1

    公开(公告)日：2009-10-02

    申请号：FR0755553

    申请日：2007-06-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  DELPECH PHILIPPE ,  BRUYERE SYLVIE

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/06

    Abstract: The method involves realizing components and superposed interconnections metallic level (M5) on a substrate (100), and realizing an insulating layer (104) formed above the interconnections metallic level. A horizontal metallic zone e.g. metallic band (108), of the interconnection metallic level is formed such that isolating blocks e.g. isolating pins (106), resulting from the insulating layer are incorporated in the metallic zones, where the metallic zone forms an lower reinforcement part of a metal insulation metal condenser/capacitor. An independent claim is also included for microelectronic device.

    25.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2839811A1

    公开(公告)日：2003-11-21

    申请号：FR0205965

    申请日：2002-05-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DELPECH PHILIPPE ,  CREMER SEBASTIEN ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/334 ,  H01L29/94

    Abstract: Capacitor is manufactured in substrate (1) by digging recess into substrate; forming first conformal layer of insulating material; forming second conductive layer; forming third layer of conductive or insulating material filling up recess; digging trenches into third layer, across entire height; depositing fourth layer of conductive material; forming fifth layer of dielectric material; and depositing sixth layer of conductive material. An Independent claim is also included for a capacitor formed in a substrate comprising: (a) a recess (2) dug into a substrate; (b) a first layer of a dielectric material covering the walls, the bottom and the edges of the recess; (c) a second layer of a conductive material covering the first layer; (d) a third layer of a conductive or insulating material filling the recess; (e) trenches crossing the third layer; (f) a fourth layer of a conductive material covering the walls, the bottoms as well as the intervals between these trenches and the edges; (g) a fifth layer of a dielectric material covering the fourth layer; and (h) a sixth layer of a conductive material covering the fifth layer.

    DISPOSITIF LASER ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN TEL DISPOSITIF LASER
    26.
    发明专利
    DISPOSITIF LASER ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN TEL DISPOSITIF LASER 未知

    公开(公告)号：FR3043852A1

    公开(公告)日：2017-05-19

    申请号：FR1560911

    申请日：2015-11-13

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

    IPC: H01S5/187

    Abstract: L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant - un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et - un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium, - deux réseaux de Bragg échantillonnés (RBE-A, RBE-B) formés dans le guide d'onde optique en arête (11) et disposés de part et d'autre par rapport au milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, chaque réseau de Bragg échantillonné (RBE-A, RBE-B) comprenant un premier réseau de Bragg (RB1-A, RB1B) présentant un premier pas et formé dans l'arête (17) ainsi qu'un second réseau de Bragg (RB2-A, RB2-B) présentant un second pas différent du premier pas et formé sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) opposée à l'arête (17).

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2884646B1

    公开(公告)日：2007-09-14

    申请号：FR0503894

    申请日：2005-04-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  CREMER SEBASTIEN ,  DELPECH PHILIPPE

    IPC: H01L21/02 ,  H01G4/33 ,  H01L27/06

    Abstract: A capacitor fabricated, within an integrated circuit, has at least two capacitive trenches extending within a dielectric material. A metal layer is produced which is embedded in the dielectric material. To form the capacitor, the dielectric material is etched, with etching stopped at the metal layer so as to form the trenches. A layer of conductive material forming the lower electrode of the capacitor is then deposited at least on the sidewalls of the trenches and in contact with the metal layer. A dielectric layer is then deposited within the trenches. A layer of conductive material forming the upper electrode of the capacitor is then deposited within the trenches.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UN CONDENSATEUR TRIDIMENSIONNEL
    29.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UN CONDENSATEUR TRIDIMENSIONNEL 未知

    公开(公告)号：FR2884646A1

    公开(公告)日：2006-10-20

    申请号：FR0503894

    申请日：2005-04-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  CREMER SEBASTIEN ,  DELPECH PHILIPPE

    IPC: H01L21/02 ,  H01G4/33 ,  H01L27/06

    Abstract: L'invention porte sur un procédé de fabrication au sein d'un circuit intégré (CI) d'un condensateur ayant au moins deux tranchées capacitives (3a, 3b) s'étendant au sein d'un matériau diélectrique, caractérisé par le fait qu'on réalise une couche métallique (1a) noyée dans ledit matériau diélectrique, on grave le matériau diélectrique avec arrêt sur ladite couche métallique (1a) de façon à former lesdites tranchées (3a, 3b) et on dépose une couche de matériau conducteur formant l'électrode inférieure (4a) du condensateur, au moins sur les flancs desdites tranchées et au contact de ladite couche métallique (1a), ainsi qu'un circuit intégré comprenant un tel condensateur.

    FABRICATION D'UN CONDENSATEUR PAR DEPOT METALLIQUE DANS UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE D'INTERCONNEXION DE CIRCUIT INTEGRE
    30.
    发明专利
    FABRICATION D'UN CONDENSATEUR PAR DEPOT METALLIQUE DANS UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE D'INTERCONNEXION DE CIRCUIT INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR2879815A1

    公开(公告)日：2006-06-23

    申请号：FR0413415

    申请日：2004-12-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  CREMER SEBASTIEN ,  DELPECH PHILIPPE

    IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

    Abstract: L'invention propose un procédé de fabrication d'un condensateur dans une couche d'interconnexion, comprenant les étapes suivantes :-dépôt d'une première couche métallique (21);-dépôt d'une première couche d' isolant (31) sur la première couche métallique (21);-dépôt d'une seconde couche métallique (41) sur la première couche d'isolant (31) ;-formation d'une électrode supérieure (4) dans la seconde couche métallique (41);-dépôt d'une seconde couche d'isolant (13) recouvrant l'électrode supérieure (4);-gravure de la seconde couche d'isolant pour former sur cette première couche d'isolant un espaceur (14) entourant l'électrode supérieure (4); puis-formation d'une électrode inférieure (2) et d'un diélectrique (3) par retrait des parties des premières couches métallique et d'isolant non recouvertes par l'électrode supérieure (4) ou l'espaceur (14);-formation d'une ligne d'interconnexion (5).L'invention permet de fabriquer des condensateurs avec un rendement accru, de façon simplifiée à moindre coût et avec un auto-alignement.

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