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公开(公告)号：FR3096175A1
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：FR1904942
申请日：2019-05-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , MARINET FABRICE , DELALLEAU JULIEN
Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur (SB) ayant une face avant et une face arrière, au moins une première prise de contact (PC1), au moins une deuxième prise de contact (PC2), espacées situées au niveau de la face avant, et une plaque électriquement conductrice (PL) située sur la face arrière et des premiers moyens de détection (MS1) configurés pour détecter un amincissement éventuel du substrat à partir de la face arrière, lesdits premiers moyens de détection comportant des premiers moyens de mesure (MS1) configurés pour effectuer une première mesure d’une valeur résistive du substrat entre ladite au moins une première prise de contact (PC1), ladite au moins une deuxième prise de contact (PC2) et ladite plaque électriquement conductrice (PL). Figure pour l’abrégé : Fig 2
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公开(公告)号：FR3081241B1
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：FR1854118
申请日：2018-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , ORDAS THOMAS , LINGE YANIS , FORT JIMMY
Abstract: Procédé de gestion de la tension d'alimentation d'un module d'un circuit intégré (CI), dans lequel, au démarrage du circuit intégré (CI), on sélectionne en réponse à une commande une action parmi les actions suivantes: - alimenter le module avec la tension d'alimentation (VREG) ayant une valeur fixe sélectionnée parmi une pluralité de valeurs prédéterminées ; - faire varier la valeur de la tension d'alimentation (VREG) au rythme d'un signal impulsionnel (SI).
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公开(公告)号：FR3083919A1
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：FR1856507
申请日：2018-07-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , NICOLAS BRUNO , FRONTE DANIELE
Abstract: La présente description concerne une puce électronique comprenant : un premier caisson (106, 108) à l'intérieur duquel est située une première jonction PN ; un deuxième caisson (110) enterré au-dessous et disjoint du premier caisson ; une première région (120 ; 160) formant une deuxième jonction PN avec le deuxième caisson ; et un circuit (130) pour fournir un premier signal (A) en fonction d'au moins une différence de potentiel au sein de la première région.
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公开(公告)号：FR3053503B1
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：FR1656233
申请日：2016-06-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： ORDAS THOMAS , SARAFIANOS ALEXANDRE , MARINET FABRICE , CHESNAIS STEPHANE
IPC: G06K19/073
Abstract: Circuit électronique intégré comportant un dispositif de protection (DIS) comprenant un bouclier métallique (BCL) réalisé dans sa partie d'interconnexion (INT), et des moyens de détection (3) comprenant le bouclier métallique (BCL) et configurés pour détecter une présence d'un rayonnement électromagnétique externe représentatif d'une attaque par injection de fautes.
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公开(公告)号：FR3057087B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1659451
申请日：2016-09-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： CHAMPEIX CLEMENT , BORREL NICOLAS , SARAFIANOS ALEXANDRE
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3057088A1
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：FR1659448
申请日：2016-09-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , CHAMPEIX CLEMENT
IPC: G06F21/86 , H01L23/552 , H01L31/101
Abstract: L'invention concerne un dispositif de détection de laser pour protéger un circuit intégré, le dispositif comprenant : une cellule de détection (200) comportant un canal enterré (202) d'un premier type de conductivité s'étendant dans un substrat (203) du circuit intégré, le substrat étant d'un deuxième type de conductivité, une première connexion électrique (204, 206) couplant un premier point dans le canal enterré à un rail de tension d'alimentation (VDD), et une deuxième connexion électrique (208, 210) couplée à un deuxième point dans le canal enterré ; et un circuit de détection couplé au deuxième point dans le canal enterré par l'intermédiaire de la deuxième connexion électrique et adapté à détecter une chute de la tension au niveau du deuxième point.
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公开(公告)号：FR3048296B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：FR1651552
申请日：2016-02-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： ORDAS THOMAS , SARAFIANOS ALEXANDRE , CHESNAIS STEPHANE , MARINET FABRICE
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公开(公告)号：FR2986356A1
公开(公告)日：2013-08-02
申请号：FR1250787
申请日：2012-01-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： LISART MATHIEU , SOUDE THIERRY , SARAFIANOS ALEXANDRE , LA ROSA FRANCESCO
IPC: H01L23/58 , G06K19/073
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant : un substrat semiconducteur (62) d'un premier type de conductivité en surface duquel est défini au moins un caisson d'un deuxième type de conductivité (66) délimité latéralement, sur deux parois opposées, par des régions du premier type de conductivité (68) ; au moins une région du deuxième type de conductivité (70) qui s'étend dans le substrat semiconducteur (62) sous le caisson (66) ; et un système de détection d'une variation de la résistance du substrat (62) entre chaque association de deux régions du premier type de conductivité (68) adjacentes.
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公开(公告)号：FR3077678B1
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：FR1851011
申请日：2018-02-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , NICOLAS BRUNO , FRONTE DANIELE
IPC: H01L23/552 , G06F21/00
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公开(公告)号：FR3071100B1
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：FR1758480
申请日：2017-09-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE , MARZAKI ABDERREZAK
IPC: G06K19/073 , H01L23/58
Abstract: Circuit électronique intégré, comportant un substrat semi-conducteur (S) dans lequel est réalisé un premier caisson semi-conducteur (C1) d'un premier type de conductivité, le circuit intégré comportant en outre un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement du substrat par sa face arrière comprenant une jonction PN (J), le dispositif étant configuré pour détecter un amincissement du substrat en comparant la valeur d'un courant circulant au travers de la jonction (J) à une valeur seuil.
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