公开(公告)号：DE602006002007D1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：DE602006002007

申请日：2006-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOUCHE GUILLAUME ,  CASSET FABRICE ,  ANCEY PASCAL

IPC: H01G5/16 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H05K3/00

公开(公告)号：FR2890229A1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：FR0552645

申请日：2005-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BOUCHE GUILLAUME ,  CASSET FABRICE ,  ANCEY PASCAL

IPC: H01G5/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/92

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un condensateur variable comprenant une bande conductrice recouvrant l'intérieur d'une cavité, et une membrane souple conductrice placée au-dessus de la cavité, la cavité étant réalisée selon les étapes suivantes : former un évidement dans un substrat ; placer un matériau malléable dans l'évidement ; mettre un poinçon en appui sur le substrat au niveau de l'évidement afin de conférer à la partie supérieure du matériau malléable une forme désirée ; durcir le matériau malléable ; et retirer le poinçon.

公开(公告)号：AT515830T

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：AT09164684

申请日：2009-07-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DURAND CEDRIC ,  CASSET FABRICE

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

Abstract: The resonator has a resonant element (20) comprising a body (21) and columns (24) made of an inorganic material with Young's modulus of elasticity. The sign of temperature coefficient of the material is opposite to that of the temperature coefficient of the body. The columns are extended in a direction orthogonal to acoustic waves, and distributed in the resonant element along an extension/compression direction of the element. An independent claim is also included for a method for forming a resonator in a substrate.

公开(公告)号：FR2906238A1

公开(公告)日：2008-03-28

申请号：FR0653975

申请日：2006-09-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CASSET FABRICE ,  DURAND CEDRIC ,  ANCEY PASCAL

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/007 ,  H03H9/02

Abstract: Procédé de réalisation d'un composant électromécanique (10) sur un substrat (15) plan et comportant une structure vibrante (22) dans le plan du substrat et des électrodes d'actionnement (23), et comprend les étapes successives suivantes :- formation du substrat comportant une zone en silicium (16) recouverte en partie par deux zones isolantes (18),- formation d'une couche sacrificielle en alliage de silicium et de germanium à partir de la partie non recouverte de la zone en silicium,- formation d'une couche (20) en silicium, fortement dopé, comportant une zone monocristalline (20b) disposée sur ladite couche sacrificielle et deux zones polycristallines (20a) disposées sur les zones isolantes,- formation simultanée de la structure vibrante et des électrodes, par gravure dans la zone monocristalline d'un motif prédéterminé destiné à former des espaces (24) entre les électrodes et la structure vibrante,- élimination de ladite couche sacrificielle.

公开(公告)号：FR2875339A1

公开(公告)日：2006-03-17

申请号：FR0452070

申请日：2004-09-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

IPC: H01L29/94 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS à grille déformable formé dans un substrat semiconducteur, comprenant des zones de source et de drain séparées par une zone de canal s'étendant dans une première direction de la source au drain et dans une deuxième direction perpendiculaire à la première, une poutre conductrice de grille placée au moins au-dessus de la zone de canal s'étendant dans la deuxième direction entre des points d'appui placés sur le substrat de chaque côté de la zone de canal, et tel que la surface de la zone de canal est creuse et a une forme semblable à celle de la poutre de grille lorsque celle-ci est en déflexion maximale vers la zone de canal.