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    CALODUC ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    2.
    发明专利
    CALODUC ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR3018631A1

    公开(公告)日：2015-09-18

    申请号：FR1452010

    申请日：2014-03-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  GOUSSEAU SIMON ,  KOKSHAGINA OLGA

    IPC: H01L23/427

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un caloduc (130), comportant les étapes suivantes : a) former dans un substrat (100) une ouverture cylindrique (107) munie d'une pluralité de renfoncements annulaires s'étendant radialement autour d'un axe central de l'ouverture (107) ; b) disposer dans les renfoncements des bandes annulaires (115) disjointes en un matériau catalyseur pour la croissance de nanotubes de carbone ; et c) faire croitre des nanotubes de carbone (117) dans l'ouverture (107) à partir desdites bandes annulaires (115).

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602004023457D1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：DE602004023457

    申请日：2004-06-29

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ROBERT PHILIPPE ,  ANCEY PASCAL ,  CARUYER GREGORY

    IPC: H03H3/04 ,  H03H9/17

    Abstract: The resonator has a piezoelectric layer (3) placed between two electrodes (1, 2). An electrical heating resistor (9) is placed in thermal contact with the electrode (1). The temporary heating of the electrode (1) permits to partially evaporate a material constituting the electrode (1) to make the electrode (1) thinner for adjusting resonance frequency. An independent claim is also included for a method of producing a thin film bulk acoustic resonator or a solidly mounted resonator.

    FILTRE COMMUTABLE A RESONATEURS.
    4.
    发明专利
    FILTRE COMMUTABLE A RESONATEURS. 未知

    公开(公告)号：FR2905207A1

    公开(公告)日：2008-02-29

    申请号：FR0653487

    申请日：2006-08-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： VOLATIER ALEXANDRE ,  ANCEY PASCAL ,  DUBUS BERTRAND

    IPC: H03H9/58

    Abstract: La présente invention concerne un filtre commutable (100, 200, 300, 400, 500) comportant :- au moins un premier résonateur acoustique (108, 108a) comprenant au moins une première couche résonante (110, 110a) disposée entre au moins deux premières électrodes (112, 114 ; 112a, 114a),- au moins un second résonateur acoustique (118, 118a) comprenant au moins une seconde couche résonante (120, 120a) disposée entre au moins deux secondes électrodes (122, 124 ; 122a, 124a), ledit second résonateur acoustique (118, 118a) étant couplé acoustiquement avec le premier résonateur acoustique (108, 108a).Une des premières (114, 114a) et une des secondes (122, 122a) électrodes sont disposées entre la première couche résonante (110, 110a) et la seconde couche résonante (120, 120a), la première (110, 110a) et/ou la seconde (120, 120a) couche résonnante étant à base d'un matériau électrostrictif.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005001245D1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：DE602005001245

    申请日：2005-09-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2857785A1

    公开(公告)日：2005-01-21

    申请号：FR0308715

    申请日：2003-07-17

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROBERT PHILIPPE ,  ANCEY PASCAL ,  CARUYER GREGORY

    IPC: H03H3/04 ,  H03H9/17 ,  H01L41/047

    Abstract: The resonator has a piezoelectric layer (3) placed between two electrodes (1, 2). An electrical heating resistor (9) is placed in thermal contact with the electrode (1). The temporary heating of the electrode (1) permits to partially evaporate a material constituting the electrode (1) to make the electrode (1) thinner for adjusting resonance frequency. An independent claim is also included for a method of producing a thin film bulk acoustic resonator or a solidly mounted resonator.

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