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公开(公告)号:FR2884052B1
公开(公告)日:2007-06-22
申请号:FR0550816
申请日:2005-03-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: CHARBUILLET CLEMENT , SKOTNICKI THOMAS , VILLARET ALEXANDRE
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: The transistor has a stack comprising a lower semiconductor portion (135) doped with N-type doping component, an intrinsic semiconductor portion (136) and an upper semiconductor portion (130) doped with P-type doping component so as to form a vertical PIN type diode. A conductive gate (181) is placed against the stack with interposition of an insulating layer (150) and has thickness less than the stack, where conductive spacers of the gate are connected to a gate terminal, and the lower and upper semiconductor portions are connected to source and drain terminals. An independent claim is also included for a method of formation of a vertical impact ionization metal oxide semiconductor transistor (IMOS) transistor.
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22.
公开(公告)号:FR3020220A1
公开(公告)日:2015-10-23
申请号:FR1453463
申请日:2014-04-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: PUSCASU ONORIU , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , MAITRE CHRISTOPHE
IPC: H02N1/08
Abstract: Générateur électrique composé d'un bilame (100, 200, 300, 400) permettant la conversion d'une énergie thermique en une énergie électrique, comprenant : - une lame déformable (111, 310) comportant au moins deux couches (114, 115) dont les coefficients de dilatation thermiques sont différents, ladite lame se déformant de façon réversible entre une première position (A) située à proximité d'une source chaude (1) et une seconde position (B) située à proximité d'une source froide (2) lorsque sa température dépasse une température dite de basculement ; - des moyens de conversion de la déformation de ladite lame en une énergie électrique ; - un premier moyen magnétique (150, 350) solidaire de la lame déformable (111, 310); - un deuxième moyen magnétique (151, 351) interagissant magnétiquement avec le premier moyen magnétique (150, 350), pour modifier la valeur de la température de basculement de la lame déformable.
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公开(公告)号:FR3010234A1
公开(公告)日:2015-03-06
申请号:FR1358259
申请日:2013-08-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: PUSCASU ONORIU , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
Abstract: Dispositif, comprenant un support (1) configuré pour former une source chaude dont la température est sujette à des variations, un système (2) de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, thermiquement couplé audit support et configuré pour fonctionner dans une plage de températures, et un moyen de liaison (3) thermiquement commandable par le support, coopérant mécaniquement avec le support et le système de conversion, et configuré pour ajuster l'espacement (di) entre le support et le système de conversion en fonction de la température de la source chaude de façon à maintenir la température du système de conversion dans sa plage de températures.
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公开(公告)号:FR2985851A1
公开(公告)日:2013-07-19
申请号:FR1250497
申请日:2012-01-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , CENTRE NAT RECH SCIENT
Inventor: MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUBOIS EMMANUEL
Abstract: L'invention concerne un convertisseur (11) d'énergie à effet tunnel comprenant des première (13) et deuxième (17) électrodes ayant des surfaces en regard, dans lequel la première électrode comprend des protubérances (14) s'étendant en direction de la deuxième électrode.
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公开(公告)号:FR2977983A1
公开(公告)日:2013-01-18
申请号:FR1156280
申请日:2011-07-11
Inventor: SAVELLI GUILLAUME , CORONEL PHILIPPE , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L35/02
Abstract: Ensemble de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant au moins un bilame à la température (8) disposé dans un espace (6) délimité par une source chaude (TH) et une source froide (TC) situées en face l'une de l'autre, ledit bilame (8) s'étendant le long d'un axe longitudinal (X), au moins un élément suspendu (10) solidaire en mouvement de l'élément sensible (8) et s'étendant latéralement à partir de l'élément sensible (8) et comportant une extrémité libre (10.2), et au moins un élément piézoélectrique (12) fixé sur l'élément suspendu (10) de sorte qu'il soit mis en vibration lorsque le bilame (8) change de configuration, ledit élément piézoélectrique (12) étant situé en dehors de l'espace défini entre le bilame (8) et la source chaude (TH) et en dehors de l'espace entre le bilame (8) et la source froide (TC).
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公开(公告)号:FR2972571A1
公开(公告)日:2012-09-14
申请号:FR1151929
申请日:2011-03-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L41/113
Abstract: L'invention concerne un générateur thermoélectrique comprenant une feuille (3, 4) d'un matériau déformable contenant des cavités fermées (1) dont chacune contient une goutte d'un liquide vaporisable, et des moyens pour transformer en électricité l'énergie résultant de la déformation de la feuille liée à l'évaporation/condensation du liquide.
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27.
公开(公告)号:FR2965658A1
公开(公告)日:2012-04-06
申请号:FR1058011
申请日:2010-10-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L21/762 , H01L21/8249
Abstract: L'invention concerne un dispositif intégré comprenant une couche semiconductrice (42) formée sur un substrat semi-conducteur (40) avec interposition d'un empilement isolant (44), l'empilement isolant comprenant au moins une couche de matériau piézoélectrique (46).
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公开(公告)号:FR2951319B1
公开(公告)日:2011-12-09
申请号:FR0957107
申请日:2009-10-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L37/00
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公开(公告)号:FR2884052A1
公开(公告)日:2006-10-06
申请号:FR0550816
申请日:2005-03-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: CHARBUILLET CLEMENT , SKOTNICKI THOMAS , VILLARET ALEXANDRE
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: L'invention concerne un transistor de type IMOS vertical comprenant : un empilement d'une première portion semiconductrice dopée avec des éléments dopants d'un premier type, d'une deuxième portion semiconductrice intrinsèque sensiblement non dopée, et d'une troisième portion semiconductrice dopée avec des éléments dopants d'un second type formant une diode de type PIN ; et une grille conductrice placée contre ledit empilement avec interposition d'une couche isolante.
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公开(公告)号:FR3029355B1
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:FR1461760
申请日:2014-12-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: DUBOIS EMMANUEL , ROBILLARD JEAN-FRANCOIS , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L37/00
Abstract: Générateur thermoélectrique, comprenant une membrane semiconductrice (2) à structure phononique contenant au moins une jonction P-N (3, 4) suspendue entre un premier support (5) destiné à être couplé à une source thermique froide et un deuxième support (6) destiné à être couplé à une source thermique chaude et une architecture permettant de redistribuer le flux thermique dans le plan de ladite membrane.
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