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公开(公告)号：CN107850433A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042149.3
申请日：2016-05-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/5747 , B81B3/0054 , B81B2201/0228 , G01C19/5712 , G01C19/5726 , G01C19/5762
Abstract: 本发明提出一种转速传感器，该转速传感器具有带有主延伸平面的衬底和至少一个相对于衬底可运动的第一结构和至少一个相对于衬底并且相对于第一结构可运动的第二结构，其中，转速传感器包括至少一个第一驱动结构用于使第一结构从第一结构的静止位置中以基本上平行于第一轴线的运动分量偏移，其中，转速传感器包括至少一个第二驱动结构用于使第二结构从第二结构的静止位置中以基本上平行于第一轴线的运动分量偏移，其中，第一结构和第二结构可以被激励而以基本上平行于第一轴线的运动分量基本上反相地振动，其中，第一驱动结构如此具有至少一个固定在衬底上的第一弹簧，使得该第一弹簧抵抗第一结构的基本上围绕与垂直于主延伸平面走向的第二轴线平行走向的轴线的偏转，其中，第二驱动结构如此具有至少一个固定在衬底上的第二弹簧，使得该第二弹簧抵抗第二结构的基本上围绕与第二轴线平行走向的另一轴线的偏转。
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公开(公告)号：CN107445134A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710244191.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81B2201/0228 , B81C1/00261
Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
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公开(公告)号：CN106167248A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610336430.X
申请日：2016-05-20
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0019 , B81B3/0081 , B81B7/0087 , B81B2201/0228 , B81B2201/025 , B81C1/0069 , H02N1/00 , B81C1/00476 , B81C1/00523
Abstract: 本发明涉及热隔离微机电系统（MEMS）器件的单片制造。提供了一种用于制造热隔离微机电系统（MEMS）结构的方法。所述方法包括用玻璃晶片来处理第一材料的第一晶片以形成复合衬底，该复合衬底包括玻璃和第一材料的至少一个牺牲结构；在第二材料中形成MEMS器件；在以下各项中的至少一个上形成至少一个温度感测元件：复合衬底；以及MEMS器件；以及蚀刻掉复合衬底中的第一材料的所述至少一个牺牲结构以形成至少一个热隔离玻璃弯曲部分。在热隔离台阶上通过所述至少一个热隔离玻璃弯曲部分将MEMS器件热隔离。所述至少一个温度感测元件在以下各项中的相应至少一个上：热隔离台阶；以及MEMS器件。
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公开(公告)号：CN103373695A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210390963.8
申请日：2012-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0018 , B81B3/0067 , B81B3/007 , B81B7/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B7/0029 , B81B7/0041 , B81B7/0051 , B81B7/0058 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2203/0118
Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。
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公开(公告)号：JP2016212093A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016084374
申请日：2016-04-20
Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
Inventor： グラント・ロッデン , ロバート・ディー・ホーニング
IPC: B81B3/00 , G01C19/574
CPC classification number: G01B11/272 , G01C19/5621 , G01C19/5656 , G01C25/00 , G01P15/093 , G01P15/13 , G01P21/00 , G02B6/12 , G02B6/4295 , G02B6/43 , B81B2201/0228 , B81B2201/04 , B81B2203/053 , G01P2015/0822 , G02B2006/12138
Abstract: 【課題】高度に集積された光学読み出しMEMSセンサを提供するための代替のシステム及び方法を提供する。 【解決手段】高度に集積された光学読み出しMEMSセンサのためのシステム及び方法が提供される。一実施形態では、集積導波路光ピックオフセンサのための方法は、レーザ光源によって生成されたレーザビームを、第1の基板内にモノリシックに作製された集積導波路光ピックオフに発射するステップであって、当該集積導波路光ピックオフは、光入力ポート、結合ポート及び光出力ポートを含む、ステップと、光出力ポートにおけるレーザビームの減衰を測定することによって、結合ポートから、ギャップによって結合ポートから分離されたセンサコンポーネントへのレーザビームの結合量を検出するステップとを含む。 【選択図】図1
Abstract translation: 一种用于提供高集成的光学读取MEMS传感器提供的系统和方法的替代物。 提供高度集成的用于光学读取MEMS传感器的系统和方法。 在一个实施例中，用于集成波导光拾取传感器，由所述激光光源产生的激光束，其包括启动一个集成波导光学拾取制成单片第一衬底的步骤的方法 中，集成波导光敏感元件的光学输入端口的步骤包括一个连接端口和光输出端口，以及一个步骤，通过测量激光束的衰减的光输出端口，耦合端口，通过间隙与所述连接口被分离 和，并检测所述激光束到所述传感器组件的结合量。 点域1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018527206A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2018511120
申请日：2016-07-13
Applicant: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Inventor： ブルーワー,ジョレイン・エイリーン , ケイメル,クリストファー・フレッド , エイミ,マルコ・フランセスコ , ミニック,アンドリュー・ジェームス , ラファロ,レナー・ステファン
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B3/0075 , B81B7/0003 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2201/0228 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/053 , B81B2207/015 , B81B2207/115 , B81C1/00134 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C2201/0107 , G01L9/0042 , G01L9/0044
Abstract: 基板と、基板に形成された自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造とを含む微小電気機械システム(MEMS)デバイスのシステムおよび方法。自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造は、基板に機械的に結合された金属機械要素と、機械要素に機械的に結合されて電気的に連通し、高融点金属および高融点金属合金の少なくとも1つを含むシード層とを含み、機械要素の厚さは、シード層の厚さより実質的に厚く、それにより自立吊り下げ型電気めっき金属MEMS構造の機械的および電気的特性は、機械要素の材料特性によって規定される。 【選択図】図1
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27.发明公开
公开(公告)号：EP3257808A1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：EP17176388.1
申请日：2017-06-16
Inventor： MASPERO, Federico , JOET, Loïc
IPC: B81B3/00
CPC classification number: G01C19/5762 , B81B3/0045 , B81B3/0051 , B81B3/0062 , B81B2201/0228 , B81B2201/0242 , B81B2201/033 , B81B2203/053 , B81C99/003 , G01P15/125 , G01P2015/0822 , H01G5/14
Abstract: Capteur microélectromécanique comportant une partie fixe (2) et une partie mobile (4) suspendue à la partie fixe (2) de sorte que la partie mobile (4) soit apte à se déplacer au moins dans une direction de déplacement hors-plan (Z), la partie fixe (2) comportant au moins des premières électrodes (8) s'étendant parallèlement à la direction de déplacement (Z) de la partie mobile (4), la partie mobile (4) comportant une masse sismique (18) et au moins des deuxièmes électrodes (20) s'étendant parallèlement à la direction de déplacement hors-plan (Z), les premières électrodes (8) et les deuxièmes électrodes (20) étant disposées les unes par rapport aux autres de sorte à être interdigitées, dans lequel les deuxième électrodes (20) sont directement connectée à la masse inertielle (18) et une partie seulement de la face de chaque électrode mobile (20) est en regard d'une électrode fixe (8) au repos.
Abstract translation: 包括：固定部分（2）和可移动部分微机电传感器（4）悬挂在固定部分（2），使得所述可动部件（4）被适配为在一个移动方向至少移动到平面外（Z ），所述固定部分（2）具有至少第一电极（8）平行延伸的可动部（4）的位移方向（Z），（4），其具有振动质量的可动部分（18） 和至少第二电极（20）平行于离面位移方向（Z）延伸，所述第一电极（8）和第二电极（20）相对于一个设置在其他以便可 互相交叉的，其中，所述第二电极（20）被直接连接到所述惯性质量（18），只在可动电极的面的部分（20）是相对静止的固定电极（8）。
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28.发明公开SYSTEM AND METHODS FOR HIGHLY INTEGRATED OPTICAL READOUT MEMS SENSORS 审中-公开系统研发的VERFAHRENFÜRHOCHINTEGRIERTE MEMS传感器麻省理工学院AUSLESEEINRICHTUNG
公开(公告)号：EP3088905A1
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：EP16166097.2
申请日：2016-04-19
Applicant: Honeywell International Inc.
Inventor： LODDEN, Grant , HORNING, Robert D.
IPC: G01P15/093 , G01P21/00 , G01P15/08 , G01C19/5621 , G01C19/5656 , G01C25/00 , B81B5/00
CPC classification number: G01B11/272 , B81B2201/0228 , B81B2201/04 , B81B2203/053 , G01C19/5621 , G01C19/5656 , G01C25/00 , G01P15/093 , G01P15/13 , G01P21/00 , G01P2015/0822 , G02B6/12 , G02B6/4295 , G02B6/43 , G02B2006/12138
Abstract: System and methods for highly integrated optical readout MEMS sensors are provided. In one embodiment, a method for an integrated waveguide optical-pickoff sensor comprises: launching a laser beam generated by a laser light source into an integrated waveguide optical-pickoff monolithically fabricated within a first substrate, the integrated waveguide optical-pickoff including an optical input port, a coupling port, and an optical output port; and detecting an amount of coupling of the laser beam from the coupling port to a sensor component separated from the coupling port by a gap by measuring an attenuation of the laser beam at the optical output port.
Abstract translation: 提供了高度集成的光学读出MEMS传感器的系统和方法。 在一个实施例中，一种用于集成波导光拾取传感器的方法包括：将由激光光源产生的激光束发射到在第一衬底内单片制造的集成波导光学检测器，所述集成波导光学检测器包括光输入 端口，耦合端口和光输出端口; 并且通过测量光输出端口处的激光束的衰减来检测激光束从耦合端口到与耦合端口分离的传感器部件之间的间隙的耦合量。
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公开(公告)号：EP1203748B1
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：EP00900814.5
申请日：2000-01-19
Applicant: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
Inventor： YOSHIDA, Yukihisa, Mitsubishi Denki KK , CHABLOZ, Martial, Mitsubishi Denki KK , JIAO, Jiwei, Mitsubishi Denki KK , MATSUURA, Tsukasa, Mitsubishi Denki KK , TSUTSUMI, Kazuhiko, Mitsubishi Denki KK
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125 , G02B26/08 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , B81B2201/0228 , B81B2203/0136 , B81C1/0015 , B81C1/00579 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P2015/0814 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117
Abstract: A microdevice comprises an insulator base having a recess therein and a beamlike silicon structural body provided in the front side of the base and surrounding the recess. The beamlike structural body includes a functional section that comprises a support joined to the base, a cantilevered beam integrated with the support and extending over the recess, and a conductive film formed at least over the surface of the recess immediately under the cantilevered beam and electrically connected to the support. The conductive film serves to prevent the recess from being charged positively during dry etching. Therefore the etching gas having positive charge is repelled by the electrical repulsive force exerted by the recess and do not corrode the structural body. Thus such a microdevice has a beamlike structural body of high shape and dimensional precisions, providing high reliability and high degree of freedom of design.
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公开(公告)号：EP3344574A1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：EP16829011.2
申请日：2016-07-13
Applicant: General Electric Company
Inventor： BREWER, Joleyn Eileen , KEIMEL, Christopher Fred , AIMI, Marco Francesco , MINNICK, Andrew James , RUFFALO, Renner Stephen
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B3/0075 , B81B7/0003 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2201/0228 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/053 , B81B2207/015 , B81B2207/115 , B81C1/00134 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C2201/0107 , G01L9/0042 , G01L9/0044
Abstract: A system and method for a micro-electrical-mechanical system (MEMS) device including a substrate and a free-standing and suspended electroplated metal MEMS structure formed on the substrate. The free-standing and suspended electroplated metal MEMS structure includes a metal mechanical element mechanically coupled to the substrate and a seed layer mechanically coupled to and in electrical communication with the mechanical element, the seed layer comprising at least one of a refractory metal and a refractory metal alloy, wherein a thickness of the mechanical element is substantially greater than a thickness of the seed layer such that the mechanical and electrical properties of the free-standing and suspended electroplated metal MEMS structure are defined by the material properties of the mechanical element.
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