公开(公告)号：CN107032294A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611067967.7

申请日：2016-11-25

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 让·路易·波因 ,  格扎维埃·白琳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0154 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325

Abstract: 一种用于包封微电子器件(100)的方法，该方法包括以下步骤：生成覆盖所述器件的牺牲部分；生成覆盖所述牺牲部分的封盖(106)，所述封盖(106)包括具有各自的材料并且具有不同残余应力和/或不同热膨胀系数的两个重叠层(108、110)；穿过所述封盖刻蚀沟槽(112)，该沟槽的图案包括曲线和/或两条不平行的直线段；穿过所述沟槽刻蚀牺牲部分；在所述沟槽上沉积密封材料。其中，在刻蚀所述牺牲部分期间，所述封盖由所述沟槽限定的部分(116)在所述封盖的各个层的残余应力和/或热膨胀所产生的机械应力的作用下变形并且增大所述沟槽的尺寸，该机械应力在密封所述沟槽之前被消除。

公开(公告)号：CN103922269B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN102906871B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

公开(公告)号：CN102295265B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN102295264B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110174027.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迪恩.当 ,  泰.多恩 ,  杰弗里.C.马林 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。

公开(公告)号：CN102906008A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025545.2

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。

公开(公告)号：CN106687407B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480079923.9

申请日：2014-06-16

Applicant: 埃普科斯股份有限公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： G.亨 ,  M.吉森 ,  A.邓德克 ,  J-L.波宁 ,  D.圣-帕特赖斯 ,  B.赖格

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。

公开(公告)号：CN106082103B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201510735507.6

申请日：2015-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00801 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0792

Abstract: 提供了用于制造具有牺牲支撑件以防止粘滞的微机电系统(MEMS)结构的方法。实施至载体衬底的上表面内的第一蚀刻以在腔体中形成牺牲支撑件。实施热氧化工艺以氧化牺牲支撑件，并且以形成作为上表面的衬垫并且包括氧化的牺牲支撑件的氧化物层。通过氧化物层将位于载体衬底上方的MEMS衬底接合至载体衬底。实施至MEMS衬底内的第二蚀刻以形成位于腔体上面并且由氧化的牺牲支撑件支撑的可移动块。实施至氧化物层内的第三蚀刻以横向地蚀刻氧化的牺牲支撑件和以去除氧化的牺牲支撑件。也提供了具有抗粘滞凸块的MEMS结构。本发明实施例涉及防止湿清洗工艺之后的粘滞的微机电系统(MEMS)结构。

公开(公告)号：CN107867672A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710867433.0

申请日：2017-09-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  D·迈尔 ,  D·波尔沃尔 ,  A·西格尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0127 ,  B81C1/0065 ,  B81C2201/05

Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

公开(公告)号：CN107407694A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580076922.3

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

Abstract: 半导体装置具有基板(1A)、梁(12)、可动构造体(13)、第1止动部件(S1)、第2止动部件(S2)以及第3止动部件(S3)。第1止动部件(S1)在面内方向上，与可动构造体(13)之间隔着第1间隙(T1)而配置。第2止动部件(S2)在面外方向上，与可动构造体(13)之间隔着第2间隙(T2)而配置。第3止动部件(S3)在面外方向上，相对于可动构造体(13)而配置于第2止动部件(S2)的相反侧，且与可动构造体(13)之间隔着第3间隙(T3)而配置。由此，能够得到一种通过抑制可动构造体的过度的位移，从而能够抑制支撑可动构造体的梁的损伤及破损的半导体装置及其制造方法。