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公开(公告)号：CN104795294B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN106564932A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610932926.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所
CPC classification number: C01G17/006 , C01P2004/03 , C01P2004/80 , H01J1/308
Abstract: 本发明涉及一种PETE器件用阴极材料。本发明属于光电热电发电技术领域。一种PETE器件用阴极材料，为硅与锗形成二元固溶体化合物，半导体化合物分子式为SixGe1‑x，x＝5‑30％；化合物有元素硼(B)掺杂，掺杂比例为0.02‑0.08mol％；纳米结构生成有两种方式：一种是在合金粉末中添加氮化硼(BN)或是碳60(C60)纳米颗粒，添加重量比例为0.2‑0.5wt％；另一种方式是在合金粉未中添加铝纳米颗粒作为造孔剂，添加比例为1‑5vol％，然后将烧结后的材料切成2‑5mm厚的薄片，放在80℃‑120℃的质量浓度为40％‑80％的硝酸中腐蚀。本发明能有效增加材料的散射中心，显著提高阴极材料的电子发射率，有利于阴极对太阳光的吸收，效果明显，适用范围广等。
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公开(公告)号：CN104795297B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN104795298A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , H01J17/06 , H01J17/49 , H01J2217/06 , H01J2217/49
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1322528C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN02144399.8
申请日：2002-10-14
Applicant: 惠普公司
Inventor： V·V·奥斯波夫 , A·M·布拉特科夫斯基 , H·比雷基
CPC classification number: H01J1/308
Abstract: 冷电子发射极(200、200-1、200-2、200-3、20012、200-13)可以包括n+重掺杂的宽带隙区(WBG)(220)、p掺杂WBG区(230)、及低功函数金属层(240)(n+-p-M结构)。此结构的改进包括p区(230)与M金属层(240)之间的p+重掺杂区(235)(n+-p-p+-M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于p掺杂区(230)或p+重掺杂WBG区(235)在与低功函数金属接触时起负电子亲和性材料的作用，故有可能得到大电流密度。由于发射极利用了比较低的抽取电场，故具有n+-p-M和n+-p-p+-M结构的注入发射极是稳定的，且不受来自被加速离子的沾污和/或吸收的影响。这些结构可以用目前的现有技术工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1813329A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018499.3
申请日：2004-09-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2237/06325 , H01J2237/3175
Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件，其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件，可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量，并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地，将光发射器件与阴极形成一个单元，同样优选地，光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外，优选地，阴极的电子发射面是n－或p－型金刚石半导体。
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公开(公告)号：CN1412806A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02147577.6
申请日：2002-10-14
Applicant: 惠普公司
Inventor： V·V·奥斯波夫 , A·M·布拉特科夫斯基 , H·比雷基
Abstract: 冷电子发射极(200、200－1、200－2)包括p型重掺杂的半导体(230)、介质层(245)及金属层(240)(p－D－M结构)。此结构的改进包括p区(230)下方的n+型重掺杂区(220)(n+－p－D－M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于在跨越介质层(245)的一定电压降下对于积累在介质层(245)附近p区(230)内耗尽层中的准平衡“冷”电子，实现了有效的负电子亲和性，能够得到大电流密度。由于p－D－M结构中的雪崩或n+－p－D－M结构中的注入过程而产生这些电子。这些发射极由于利用真空区中较低的抽取电场而很稳定，且不受来自被加速离子的沾污和吸收的影响。这些结构可用现有技术工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1412805A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144399.8
申请日：2002-10-14
Applicant: 惠普公司
Inventor： V·V·奥斯波夫 , A·M·布拉特科夫斯基 , H·比雷基
CPC classification number: H01J1/308
Abstract: 冷电子发射极(200、200－1、200－2、200－3、200－12、200－13)可以包括n+重掺杂的宽带隙区(WBG)(220)、p掺杂WBG区(230)、及低功函数金属层(240)(n+－p－M结构)。此结构的改进包括p区(230)与M金属层(240)之间的p+重掺杂区(235)(n+－p－p+－M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于p掺杂区(230)或p+重掺杂WBG区(235)在与低功函数金属接触时起负电子亲和性材料的作用，故有可能得到大电流密度。由于发射极利用了比较低的抽取电场，故具有n+－p－M和n+－p－p+－M结构的注入发射极是稳定的，且不受来自被加速离子的沾污和/或吸收的影响。这些结构可以用目前的现有技术工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1025902C
公开(公告)日：1994-09-07
申请号：CN90103618.8
申请日：1990-04-25
Applicant: 菲利浦光灯制造公司
Inventor： 阿瑟·玛丽·尤金·霍伯列斯 , 尼古拉斯·兰伯特 , 杰拉达斯·格戈里厄斯·皮特勒斯·范戈康姆
CPC classification number: H01J1/308 , H01J3/027 , H01J29/485
Abstract: 一种产生电子束的装置。在采用围绕门控电极(14)提供一个附加电极(16)的方式在半导体阴极表面上制得一个平面型的电子光学透镜。这个装置的功能，举例说如一个正透镜，它取决于施加的电压，它提供了不分散的平行电子束，适用于薄的、平面型的显示装置。由于在半导体装置中电子束直径的固有放大而获得了比较大的位置允许公差，还使另一个栅极可以省去。
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