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    Surface emission type electron source and a drawing device
    21.
    发明专利
    Surface emission type electron source and a drawing device 有权

    公开(公告)号：JP4122043B1

    公开(公告)日：2008-07-23

    申请号：JP2007207887

    申请日：2007-08-09

    Applicant: 株式会社クレステック

    Inventor： 英之 大井 ,  明 小島

    IPC: H01L21/027 ,  H01J1/312 ,  H01J37/305

    CPC classification number: H01J37/073 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/312 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/312 ,  H01J2237/0635

    Abstract: 【課題】描画領域が大きい場合でも、電子線を用いたパターン描画を等倍で一括に行うことができる面放出型電子源および描画装置を提供する。
    【解決手段】本発明の面放出型電子源は、平面状の第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた平面状の第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に設けられた電子通過層と、第２の電極および第１の電極に電圧を印加する電源部とを有する。 電子通過層は、第１の電極から第２の電極に向かう第１の方向に伸びる量子細線が所定の間隔をあけて複数設けられているものであり、第２の電極の表面から電子が放出される。
    【選択図】図１

    面放出型電子源および描画装置
    22.
    发明申请
    面放出型電子源および描画装置 审中-公开
    表面发射型电子源和绘图装置

    公开(公告)号：WO2008133275A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/JP2008/057852

    申请日：2008-04-23

    Applicant: 株式会社クレステック ,  小島 明 ,  大井 英之

    Inventor： 小島 明 ,  大井 英之

    IPC: H01J1/312 ,  H01J3/14 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027 ,  H01J37/073

    CPC classification number: H01J37/073 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/312 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/312 ,  H01J2237/0635

    Abstract: 　本発明の面放出型電子源は、平面状の第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた平面状の第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に設けられた電子通過層と、第２の電極および第１の電極に電圧を印加する電源部とを有する。電子通過層は、第１の電極から第２の電極に向かう第１の方向に伸びる量子細線が所定の間隔をあけて複数設けられているものであり、第２の電極の表面から電子が放出される。量子細線は、シリコンにより構成されているとともに、第１の方向に太さが細い部分が所定の間隔で複数形成されている。

    Abstract translation: 表面发射型电子源包括平面第一电极，与第一电极相对设置的平面第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层，以及用于向第二电极施加电压的功率部分， 第一个电极。 在电子通过层中，从第一电极朝第二电极的第一方向延伸的多个量子线在它们之间设置有预定的间隙。 电子从第二电极的表面发射。 量子线由硅组成。 在量子线中，厚度薄的多个部分在第一方向上以规定的间隔形成。

    ELECTRON EMISSION ELEMENT, DISPLAY EMPLOYING ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND METHOD FOR FABRICATING ELECTRON EMISSION ELEMENT
    25.
    发明公开
    ELECTRON EMISSION ELEMENT, DISPLAY EMPLOYING ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND METHOD FOR FABRICATING ELECTRON EMISSION ELEMENT 有权
    EERKIGENEMISSIONSELEMENT，ANZEIGE MIT ELEKTRONENEMISSIONSELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONENEMISSIONSELEMENTS

    公开(公告)号：EP2006875A2

    公开(公告)日：2008-12-24

    申请号：EP07739652.1

    申请日：2007-03-26

    Applicant: Pioneer Corporation

    Inventor： TANAKA, Ryota ,  NEGISHI, Nobuyasu ,  SAKEMURA, Kazuto ,  OKUDA, Yoshiyuki ,  NAKADA, Tomonari ,  WATANABE, Atsushi ,  YOSHIKAWA, Takamasa ,  OGASAWARA, Kiyohide

    IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

    CPC classification number: H01J9/022 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/312 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0481 ,  H01J2329/0484

    Abstract: [PROBLEMS] To provide an electron emitting layer with improved efficiency of electron emission and prevented damage of the device.
    [SOLVING MEANS] An electron emitting device including an amorphous electron supply layer 4, an insulating layer 5 formed on the electron supply layer 4, and an electrode 6 formed on the insulating layer 5, the electron emitting device emitting electrons when an electric field is applied between the electron supply layer 4 and the electrode 6, wherein the electron emitting device includes a concave portion 7 provided by notching the electrode 6 and the insulating layer 5 to expose the electron supply layer 4, and a carbon layer 8 covering the electrode 6 and the concave portion 7 except for an inner portion 4b of an exposed surface 4a of the electron supply layer 4 and being in contact with an edge portion 4c of the exposed surface 4a of the electron supply layer 4.

    Abstract translation: [问题]提供具有改善的电子发射效率的电子发射层，并防止器件的损坏。 [解决方案]一种电子发射器件，包括非晶电子供应层4，形成在电子供应层4上的绝缘层5和形成在绝缘层5上的电极6，当电场为 施加在电子供给层4和电极6之间，其中电子发射器件包括通过切割电极6和绝缘层5而露出电子供应层4而设置的凹部7和覆盖电极6的碳层8 以及凹部7，除了电子供给层4的露出面4a的内部4b，与电子供给层4的露出面4a的边缘部4c接触。

    Electron emitter
    26.
    发明公开
    Electron emitter 有权
    电子发射器

    公开(公告)号：EP1826798A2

    公开(公告)日：2007-08-29

    申请号：EP07250608.2

    申请日：2007-02-14

    Applicant: NGK INSULATORS, LTD.

    Inventor： Sato, Kei, Legal Affairs and I.P. Dept. ,  Hattori, Tetsuya, Legal Affairs and I.P. Dept. ,  Yamaguchi, Hirofumi, Legal Affairs and I.P. Dept. ,  Ozawa, Shuichi, Legal Affairs and I.P. Dept.

    IPC: H01J1/312 ,  H01J1/30

    CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/30 ,  H01J2201/306 ,  H01J2201/312

    Abstract: Provided is a piezoelectric-film-type electron emitter of high durability exhibiting suppressed reduction in electron emission quantity, which reduction would otherwise occur with repeated use of the electron emitter. The electron emitter includes a substrate, a lower electrode, an emitter layer, and an upper electrode. The upper electrode has a plurality of openings, and an emitter section located on the top surface of the emitter layer is exposed through the openings to a reduced-pressure atmosphere. The electron emitter is configured so that when a pulse drive voltage Va is applied between the lower electrode and the upper electrode, electrons are accumulated on the emitter section, and then the electrons are emitted toward the reduced-pressure atmosphere. The emitter layer contains a primary component (i.e., a ferroelectric composition) and an additional component. The additional component contains a transition metal oxide of high oxidation number which can serve as an oxidizing agent by being converted into an oxide of the transition metal of lower oxidation number.

    Abstract translation: 本发明提供一种高耐久性的压电薄膜型电子发射体，其显示抑制了电子发射量的减少，否则在重复使用电子发射体时会发生该减小。 电子发射器包括基板，下电极，发射极层和上电极。 上电极具有多个开口，并且位于发射极层的顶表面上的发射极部分通过开口暴露于减压气氛。 电子发射器被配置为使得当在下电极和上电极之间施加脉冲驱动电压Va时，电子在发射极部分上积聚，然后电子朝着减压气氛发射。 发射极层含有主要成分（即铁电组合物）和附加成分。 附加组分含有高氧化数的过渡金属氧化物，它可以通过转化成较低氧化数的过渡金属的氧化物而用作氧化剂。

    Electronic device and method for manufacturing same
    27.
    发明授权
    Electronic device and method for manufacturing same 失效
    电子装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08653519B2

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：US13582611

    申请日：2011-03-31

    Applicant: Tsutomu Ichihara ,  Kenji Tsubaki ,  Masao Kubo ,  Nobuyoshi Koshida

    Inventor： Tsutomu Ichihara ,  Kenji Tsubaki ,  Masao Kubo ,  Nobuyoshi Koshida

    IPC: H01L29/04

    CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

    Abstract: The electronic device includes a substrate, a first electrode formed over a surface of the substrate, a second electrode located on an opposite side of the first electrode from the substrate so as to face the first electrode, and a functional layer interposed between the first electrode and second electrode and formed by means of anodizing a first polycrystalline semiconductor layer in an electrolysis solution so as to contain a plurality of semiconductor nanocrystals. The electronic device further includes a second polycrystalline semiconductor layer interposed between the first electrode and the functional layer so as to be in close contact with the functional layer. The second polycrystalline semiconductor layer has an anodic oxidization rate in the electrolysis solution lower than that of the first polycrystalline semiconductor layer so as to function as a stop layer for exclusively anodizing the first polycrystalline semiconductor layer.

    Abstract translation: 电子器件包括衬底，形成在衬底的表面上的第一电极，与第一电极相对的第一电极的与衬底相对的第二电极，以便面对第一电极;以及功能层，介于第一电极 和第二电极，并且通过在电解溶液中阳极氧化第一多晶半导体层而形成以包含多个半导体纳米晶体。 电子设备还包括插入在第一电极和功能层之间以与功能层紧密接触的第二多晶半导体层。 第二多晶半导体层在电解液中的阳极氧化速度低于第一多晶半导体层的阳极氧化速率，以作为仅对阳极氧化第一多晶半导体层的停止层。

    ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    30.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 失效
    电子设备及其制造方法

    公开(公告)号：US20130032801A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：US13582611

    申请日：2011-03-31

    Applicant: Tsutomu Ichihara ,  Kenji Tsubaki ,  Masao Kubo ,  Nobuyoshi Koshida

    Inventor： Tsutomu Ichihara ,  Kenji Tsubaki ,  Masao Kubo ,  Nobuyoshi Koshida

    IPC: H01L33/02 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

    Abstract: The electronic device includes a substrate, a first electrode formed over a surface of the substrate, a second electrode located on an opposite side of the first electrode from the substrate so as to face the first electrode, and a functional layer interposed between the first electrode and second electrode and formed by means of anodizing a first polycrystalline semiconductor layer in an electrolysis solution so as to contain a plurality of semiconductor nanocrystals. The electronic device further includes a second polycrystalline semiconductor layer interposed between the first electrode and the functional layer so as to be in close contact with the functional layer. The second polycrystalline semiconductor layer has an anodic oxidization rate in the electrolysis solution lower than that of the first polycrystalline semiconductor layer so as to function as a stop layer for exclusively anodizing the first polycrystalline semiconductor layer.

    Abstract translation: 电子器件包括衬底，形成在衬底的表面上的第一电极，与第一电极相对的第一电极的与衬底相对的第二电极，以便面对第一电极;以及功能层，介于第一电极 和第二电极，并且通过在电解溶液中阳极氧化第一多晶半导体层而形成以包含多个半导体纳米晶体。 电子设备还包括插入在第一电极和功能层之间以与功能层紧密接触的第二多晶半导体层。 第二多晶半导体层在电解液中的阳极氧化速度低于第一多晶半导体层的阳极氧化速率，以作为仅对阳极氧化第一多晶半导体层的停止层。

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