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公开(公告)号:CN100524597C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200610057628.0
申请日:2006-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 安商爀
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置,包括在基板上形成的用于发射电子的电子发射区,用于控制电子发射的驱动电极,和与驱动电极电绝缘的聚焦电极。驱动电极具有用于引起电子从电子发射区发射的有效部分,和与有效部分电连接的第一电压施加部分。聚焦电极具有用于将从电子发射区发射的电子聚焦的聚焦部分,和与聚焦部分电连接的第二电压施加部分。有限部分和聚焦部分彼此设置在不同的平面中,第一电压施加部分和第二电压施加部分不重叠。
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公开(公告)号:CN100521056C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200610054966.9
申请日:2006-02-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 黄成渊
CPC classification number: H01J1/66 , H01J3/021 , H01J29/24 , H01J29/481 , H01J63/04
Abstract: 一种电子发射装置,包括:其间具有预定距离的相互面对的第一和第二基板;和形成在所述第一基板上的电子发射区。第一和第二电极放置在第一基板上并相互绝缘以控制所述电子发射区的电子发射。绝缘层设置在所述第一与第二电极之间。阳极电极形成在所述第二基板上。磷光体层形成在所述阳极电极的表面上。所述绝缘层具有包括电物理性质彼此不相同的至少两层的多层结构。
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公开(公告)号:CN100521055C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200610009599.0
申请日:2006-02-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 李昌洙
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明的实施例包括具有多层聚焦电极的电子发射装置、包括所述电子发射装置的显示装置、以及制造所述电子发射装置的方法。在一实施例中,所述电子发射装置包括电子发射区域、形成在绝缘层上的聚焦电极、以及穿过所述聚焦电极和所述绝缘层的开口,所述开口对应于所述电子发射区域,其中所述聚焦电极包括多个聚焦电极层。
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公开(公告)号:CN101416378A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200680054196.6
申请日:2006-04-11
Applicant: 赤松则男
Inventor: 赤松则男
IPC: H02N11/00
Abstract: 本发明提供一种场致发射发电装置,可以根据与以往的发电方法不同的新概念,实现投入能量少、发电效率良好、清洁、且无需担心枯竭的稳定的发电。具备:保持有自由电子的电子供给体(20);相对电子供给体(20)被设置成电气导通状态的电子发射端口(30);与电子发射端口(30)隔着电气绝缘场(F)相向配置,并施加电场而吸引发射电子的电子吸引发射电极(40);接收由于电子吸引发射电极(40)而被发射的电子的电子接受体(50);以及防止来自电子发射端口(30)的发射电子被吸收到电子吸引发射电极(40)的电子吸收防止单元,通过向电子吸引发射电极(40)施加正电压而从电子发射端口(30)场致发射电子,使用电子接受体(50)接收该发射电子而进行收集。
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公开(公告)号:CN101361152A
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200680044897.1
申请日:2006-11-08
Applicant: 摩托罗拉公司
IPC: H01J1/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481
Abstract: 提供一种防止电子从场致发射器件(10)的栅电极(20)的侧壁(34)和栅电极叠层的边缘(28)发射的方法,该栅电极(20)具有远离阳极(40)设置的表面(24)和靠近发射电极(38)的侧面(26)。该方法包括在该栅电极(20)的表面(24)和侧面(26)上面生长电介质材料(22),及垂直于该表面(24)进行各向异性蚀刻(32)以从该表面(24)除去该电介质材料(22),且在该栅电极(20)的侧面(26)和栅电极叠层的边缘(28)上留下至少一部分电介质材料(22)。
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公开(公告)号:CN1959909A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610142764.X
申请日:2006-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/481
Abstract: 本发明提供了一种电子发射装置。该电子发射装置包括:第一基底和第二基底,彼此面对;阴极电极,形成在第一基底上;电子发射区,形成在阴极电极上;绝缘层,形成在阴极电极上并被设置有与电子发射区对应的开口;栅电极,形成在绝缘层上并被设置有与电子发射区对应的开口。绝缘层的开口的宽度H1等于或大于绝缘层的厚度T1的两倍。
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公开(公告)号:CN1913091A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610125781.2
申请日:2006-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J3/08 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J63/02
Abstract: 一种具有改善了电子发射效率的电子发射器和具有使用该电子发射器的新结构的电子发射型背光单元,其中有效地阻止了阳极和阴极之间的电场,并且通过低栅极电压连续和稳定地发射电子,由此改善了发光均匀性和发光效率。还提供了一种应用具有电子发射器的电子发射型背光单元的平板显示装置。电子发射器包括底部基板;设置在底部基板上并且具有高度大于宽度的横截面的阴极;形成在底部基板上并且和阴极交替隔开的栅极,该栅极具有高度大于宽度的横截面;以及朝着栅极设置在阴极的表面上的电子发射层。
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公开(公告)号:CN1913089A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610110814.6
申请日:2006-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , H01J3/021 , H01J3/08 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J63/06
Abstract: 一种具有提高了电子发射效率的电子发射器和使用电子发射器具有新结构的电子发射型背光单元,其中有效地阻止了阳极和阴极之间的电场,并且通过低栅极电压连续和稳定地发射电子,由此改善了发光的均匀性和发光效率。还提供了一种应用具有电子发射器的电子发射型背光单元的平板显示装置。电子发射器包括底部基板;形成在底部基板上的阴极;形成在底部基板上并且当存在多于一个的阴极时和阴极交替隔开的栅极;设置在阴极的表面上的电子发射层;和形成在阴极或者栅极上并高于相应的电极的辅助电极。
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公开(公告)号:CN1196157C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN99802404.X
申请日:1999-01-29
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
Inventor: 泽维·扬尼弗 , 罗纳德·查理斯·罗宾德
CPC classification number: H01J29/467 , H01J3/021 , H01J3/022 , H01J29/04 , H01J2329/00
Abstract: 多个场发射阴极(601)产生电子发射,其中,随后使用多种电极(602、603、604)控制和聚焦电子的发射形成电子束。与阴极射线管中所使用的技术相似的水平和垂直偏转技术(分别为605、606),用来扫描单个电子束到荧光显示屏(401)的区域上以产生图像。使用多个场发射阴极可提供比普通阴极射线管更扁平的屏深度。
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公开(公告)号:CN103531422B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201310187294.9
申请日:2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括:基板,具有至少一个开口;粘附层,设置在基板上;以及网状电极,设置在基板上,粘附层在网状电极和基板之间,其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域,粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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