公开(公告)号：CN101180417A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680018096.8

申请日：2006-10-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/086 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/347

Abstract: 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。

公开(公告)号：CN1119552A

公开(公告)日：1996-04-03

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: B01D69/00

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN106795625B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201680002499.7

申请日：2016-03-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井佳词 ,  中村真也

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/40 ,  C23C14/50 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32697 ,  C23C14/081 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/52 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3476

Abstract: 本发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM)，其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。台架具有位于该处理基板的保持面的凹部(42)，在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面(41)抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间(43)内，设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体(44)。

公开(公告)号：CN105339521B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480034388.5

申请日：2014-06-30

Applicant: 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔

Inventor： 徳尼斯·库拉珀夫 ,  西格弗里德·克拉斯尼策尔

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/0042 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3476 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/3323

Abstract: 本发明涉及用于执行反应溅射工艺的方法，其中，与靶老化无关地保持靶溅射特性以及沉积速率恒定，或者至少在工业生产环境可接受的范围内。

公开(公告)号：CN106609352A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510711965.6

申请日：2015-10-27

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 杨玉杰

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/347 ,  H01L21/2855

Abstract: 本申请涉及溅射装置及其操作方法。本发明实施例提供一种溅射设备，其包括：磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；和位于距离所述中心轴约0.7至0.75标靶半径的第二峰值。

公开(公告)号：CN106165058A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077982.2

申请日：2014-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·希尔 ,  M·本德 ,  F·皮耶拉利西 ,  D·泽韦林 ,  R·林德伯格 ,  H·嘉特纳

IPC: H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01J37/347 ,  C23C14/352 ,  C23C14/542 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32385 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3464

Abstract: 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。

公开(公告)号：CN103887130B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210562303.3

申请日：2012-12-21

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 李杨超 ,  王厚工 ,  耿波 ,  吕峰

IPC: H01J25/50 ,  H01J23/02 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3408 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/347

Abstract: 本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备，包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，在垂直于所述磁控管的径向截面上，所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形，且该螺旋线遵循下述极坐标方程：r＝a×θn+b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d，其中，r和θ为极坐标，n，m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数，且?2＜n＜2，?2＜m＜2，?2＜k＜2；而且，所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起，以在二者之间形成闭合且不对称的通道；并且，该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管，不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件，而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性，从而可以提高成膜质量。

公开(公告)号：CN105408514A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042023.7

申请日：2014-08-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 ,  迈克尔·S·考克斯 ,  吴正勋

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3491 ,  H01J37/3497

Abstract: 本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形槽，这些圆形槽彼此间隔开；及至少一个弓状通道，该弓状通道切割穿过这些圆形槽，且从该溅射板的径向内部区域延伸至该径向外部区域。环形背板界定暴露该溅射板的背部表面的开口环。

公开(公告)号：CN103109344B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180034051.0

申请日：2011-07-08

Applicant: 欧瑞康先进科技股份公司

Inventor： H.罗尔曼 ,  M.杜布斯

IPC: H01J37/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/347

Abstract: 一种磁控管溅射设备，包括基板支承件(2)，其在真空室(1)内保持基板(3)，基板(3)具有将被涂覆的面朝上的平面基板表面(4)。基板(3)可以是例如200mm直径的圆盘。在与中心平面(5)一定距离处，两个长方形的标靶(7a,7b)被对称地布置，其朝向中心平面(5)倾斜，以便与由基板表面(4)所限定的平面围成8°与35°之间的锐角(β；-β)。具有等距的矩形准直器板的准直器(13)被布置在基板表面(4)的上方。利用此配置，涂层的高均匀性是可实现的，尤其是，在如果准直器(13)与基板表面(4)的距离被选择为准直器(13)垂直于所述表面的延伸的倍数n，优选n等于1或2的情况下，以用于抑制波纹。

公开(公告)号：CN105121693A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380074273.4

申请日：2013-08-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  汪荣军 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  Y02E10/544

Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。