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公开(公告)号：CN104412720A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380023208.9
申请日：2013-04-30
Applicant: 陶瓷技术有限责任公司
Inventor： D·耶尼希
CPC classification number: H05K3/241 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K3/027 , H05K3/043 , H05K3/108 , H05K3/425 , H05K2201/09563 , H05K2203/0723 , H05K2203/0733
Abstract: 本发明涉及由陶瓷基底制造陶瓷电路板的方法，所述陶瓷基底具有金属填充的过孔。为了能够用单一填充过程来填充过孔，本发明提出，在所述具有过孔的陶瓷基底上，用丝网印刷在单面施加平面的铜金属化，或者以DCB/DBC-方法在单面结合100至300μm的铜箔，和通过电镀工序在铜浴中通过沉积铜从陶瓷侧起填充过孔。
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公开(公告)号：CN103906371A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210577546.4
申请日：2012-12-27
Applicant: 富葵精密组件(深圳)有限公司 , 臻鼎科技股份有限公司
Inventor： 许诗滨
CPC classification number: H05K1/186 , H05K3/4602 , H05K3/4697 , H05K2201/09072 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y10T29/49139
Abstract: 本发明涉及一种电路板，包括双面线路板、电子元件、多个导电膏及分别邻近于该第一和第二导电线路层的两组绝缘层和导电线路层。该双面线路板包括基底层及第一和第二导电线路层，该第一和第二导电线路层分别设置于基底层的相对两侧。该第二导电线路层包括多个电性连接垫，该基底层内形成有多个导电孔，每个电性连接垫与一个导电孔电连接，该多个导电孔的相对的另一端显露于该第一表面。该多个导电膏对应连接于该多个导电孔，该电子元件粘接并电连接于该多个电性连接垫。两个绝缘层分别覆盖电子元件和第二导电线路层。本发明还涉及一种电路板的制作方法。
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公开(公告)号：CN103898570A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310757231.2
申请日：2013-12-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: C25D3/32 , C23C18/1605 , C23C18/1653 , C25D3/60 , C25D5/022 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76879 , H05K3/187 , H05K3/4007 , H05K3/423 , H05K2201/0305 , H05K2201/0367 , H05K2201/09563
Abstract: 本发明公开一种锡或锡合金电镀液，所述锡或锡合金电镀液可以在开口中形成充分的电镀沉积，而不导致镀膜表面上的灼伤或引起异常沉积，并且其具有良好的通孔填充效应。当在锡或锡合金电镀液中加入特定的α，β-不饱和羰基化合物时，可以得到具有良好通孔填充性能的电镀液，并且减少了实质上不含空洞的沉积以及镀层表面上的灼伤或异常沉积。
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公开(公告)号：CN102171788B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980139243.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H05K1/0296 , C25D5/02 , C25D5/34 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H05K1/0265 , H05K1/09 , H05K1/181 , H05K3/0026 , H05K3/0032 , H05K3/02 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K2201/0394 , H05K2201/09036 , H05K2201/09563 , H05K2201/09727 , H05K2203/0542 , Y10T29/49156 , H01L2924/00
Abstract: 在某些实施例中，提出了利用混合激光投影构图(LPP)和半加成构图(SAP)的同层微电子电路构图。在这点上，介绍了包括利用LPP对叠层基板表面的第一密度区域进行构图、利用SAP对叠层基板表面的第二密度区域进行构图、以及对叠层基板表面的第一和第二密度区域进行镀覆的一种方法，其中跨过第一和第二密度区域的部件直接耦合。还公开了并要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN103797566A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280045165.X
申请日：2012-09-05
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 卢克·G·英格兰德
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K3/426 , H05K2201/09563 , H05K2203/1194 , H01L2924/00 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明提供一种形成贯穿衬底的导通体的方法，所述方法包括单独电沉积铜和至少一种除铜以外的元素以填充衬底内所形成的贯穿衬底的导通体开口的剩余体积。使所述电沉积的铜和所述至少一种另一元素退火以形成所述铜与所述至少一种另一元素的合金，所述合金用于形成包括所述合金的导电性贯穿衬底的导通体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103379731A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310150318.3
申请日：2013-04-26
Applicant: 株式会社小糸制作所
CPC classification number: H05K1/0298 , F21S41/17 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05K1/0209 , H05K1/0265 , H05K1/167 , H05K3/0061 , H05K3/28 , H05K3/4061 , H05K3/46 , H05K2201/017 , H05K2201/0175 , H05K2201/09563 , H05K2201/10113 , H05K2203/1563 , H05K2203/1572 , H05K2203/159 , Y10T29/49165 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种电路基板以及电路基板的制造方法，其确保导电层之间的良好的导通性，并且实现相对于金属壳体的绝缘性的提高。其设置有：形成通孔的绝缘性的基板，该通孔将搭载电子部件的第1面和相反侧的第2面连通；第1面侧导电层，其从第1面延伸至通孔，将电子部件导通；第2面侧导电层，其从第2面延伸至通孔，在通孔中与第1面侧导电层导通；电阻层，其形成在第2面上，与第2面侧导电层导通；第2面侧层叠导电层，其从第2面延伸至通孔，覆盖第2面侧导电层，闭塞通孔的至少一部分；第2面侧保护玻璃层，其覆盖第2面侧导电层、第2面侧层叠导电层及电阻层；以及粘接层，其形成在第2面侧保护玻璃层和金属壳体的内表面之间。
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公开(公告)号：CN103378816A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310139770.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中川尚广
CPC classification number: H05K1/115 , H01L2224/16225 , H03H9/0514 , H03H9/1021 , H05K1/0306 , H05K1/113 , H05K3/0029 , H05K3/4038 , H05K3/426 , H05K2201/017 , H05K2201/09563 , H05K2201/10083 , H05K2203/085 , H05K2203/107 , H05K2203/1147 , Y10T29/49165
Abstract: 基底基板、电子器件以及基底基板的制造方法。本发明的课题是提供具有优异的气密性和电气特性的基底基板、使用该基底基板的可靠性较高的电子器件以及具有优异的气密性和电气特性的基底基板的制造方法。作为解决手段，基底基板（210）具有：绝缘体基板（211），其具有贯通处于表里关系的两个主面间的贯通孔（213、215）；贯通电极（251、271），其配置在贯通孔（213、215）内；以及中间层，其夹在贯通孔（213、215）的内表面与贯通电极（251、271）之间，在贯通电极（251、271）侧具有与内表面相比凹凸小的面。
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公开(公告)号：CN102171804B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980139228.6
申请日：2009-11-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/107 , H05K3/0038 , H05K3/027 , H05K3/108 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/0394 , H05K2201/09563 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 一种在衬底上(201)实现选择性区域电镀的方法，所述方法包括在所述衬底上形成第一导电层(301)，利用抗化学镀层(401)覆盖所述第一导电层，对所述衬底进行构图以在其中形成延伸穿过所述抗化学镀层和所述第一导电层的特征(510，520)，形成邻接且电连接至所述第一导电层的第二导电层(610)，在所述第二导电层上形成第三导电层(710)，以及去除所述抗化学镀层和所述第一导电层。
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公开(公告)号：CN103080034A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041106.0
申请日：2011-08-19
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H05K1/115 , C03C15/00 , C03C21/002 , H01L23/15 , H01L23/49827 , H05K1/0306 , H05K3/4038 , H05K2201/0769 , H05K2201/09563 , H05K2201/10378
Abstract: 本文描述了玻璃内插嵌板及其形成方法。内插嵌板包括由可离子交换玻璃形成的玻璃基板芯。第一压缩应力层可以从玻璃基板的第一表面延伸到玻璃基板芯的厚度T中，到达第一层深度D1。第二压缩应力层可以与第一压缩应力层间隔开，从玻璃基板芯的第二表面延伸到玻璃基板芯的厚度T中，到达第二层深度D2。可以有多个通孔延伸通过玻璃基板芯的厚度T。各通孔被中间压缩应力区包围，所述中间压缩应力区从第一压缩应力层延伸到与各通孔侧壁相邻的第二压缩应力层。
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公开(公告)号：CN102960076A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201080059152.9
申请日：2010-12-29
Applicant: E·I·内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H05K3/0094 , H01B1/22 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K1/115 , H05K3/4061 , H05K2201/032 , H05K2201/09481 , H05K2201/09563 , H05K2203/1126
Abstract: 本发明公开了形成过渡通路和过渡线路导体的组合物以最小化相异金属组合物之间电连接的界面效应。所述组合物具有(a)选自(i)20-45重量%的金和55-80重量%的银，以及(ii)100重量%的金银固溶体合金的无机组分，和(b)有机介质。所述组合物还可包含(c)基于组合物的重量计1-5重量%的选自铜、钴、镁、铝和/或主要包含高熔点氧化物的高粘性玻璃的氧化物或混合金属氧化物。所述组合物可用作通路填充物中的一种多层组合物。也可以使用所述用于形成过渡通路和过渡线路导体的组合物来形成诸如LTTC电路和装置的多层电路。
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