公开(公告)号：CN102328900A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110231784.5

申请日：2011-08-12

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 张挺 ,  郑晨焱 ,  夏佳杰 ,  谢志峰 ,  邵凯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289

Abstract: 本发明提供一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，在硅基底上形成基底保护层；刻蚀基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以基底保护层为掩模，刻蚀硅基底，在硅基底中形成多个凹槽；在多个凹槽的侧壁形成侧壁保护层；以基底保护层和侧壁保护层为掩模，继续刻蚀凹槽，在硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体。本发明的制造方法属于正面加工工艺，不采用价格昂贵的背面工艺，其与传统的CMOS制造工艺完全兼容。本发明采用的工艺温度低于400度，并且形成腔体后基底的总厚度也大大减薄了。另外，本发明对工艺要求比较灵活，整个加工工艺稳定可靠，精度很高，并且成本较低。

公开(公告)号：CN102180435A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110061564.2

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明实施例提供集成MEMS器件及其形成方法，其中集成MEMS器件包括：包括第一区域和第三区域的第一衬底；形成于所述第一衬底的第一表面的至少一层或多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；与所述第一衬底上的导电层的表面结合的第二衬底，与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合的第三衬底，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层。本发明形成的集成压力传感器、惯性传感器和麦克风的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。

公开(公告)号：CN102089638A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201080001885.7

申请日：2010-09-01

Applicant: 康达尔芯片设计有限公司

Inventor： 李秉纬

IPC: G01L9/06 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  H04R17/00 ,  H04R23/006 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明提供了一种用于微机电系统(MEMS)传感器的应力集中装置和方法。该装置包括具有内区域和外区域的板，该内区域与该外区域通过限定在该板中的狭缝分开。应力集中器桥将该内区域与该外区域相连接，并且机械地放大施加到该板的内区域上的应力。至少一个应力传感器操作性地联接到该应力集中器桥，由此所述至少一个应力传感器将被机械地放大的施加到所述内区域上的应力转换为电信号。

公开(公告)号：CN101473205A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780021831.5

申请日：2007-06-14

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： C·E·斯图尔特 ,  R·A·达维斯

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00333

Abstract: 压力传感器包括在生长于P型衬底(120)的N型外延层(110)上制造的传感元件、位于传感元件小片(100)的边缘周围并与P型衬底(120)接触的P型隔离区(130)、和导电弹性密封件，所述导电弹性密封件接合P型隔离区(130)以防止导电弹性密封件与传感元件小片的N型外延层(110)短路。制造压力传感器的方法包括：在p型衬底晶片(120)上生长n型外延层(110)，从而得到压力传感器小片(100)和具有边缘的衬底，使用P型材料获得适于在边缘周围制造隔离扩散层(130)的掩模，以及使用掩模在边缘周围产生使用P型掺杂材料的隔离层扩散。然后，导电弹性密封件就能够被置于传感器小片(100)上方，以与封装电接触。

公开(公告)号：CN101300913A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200580038714.0

申请日：2005-11-10

Applicant: 阿纳洛格装置公司

Inventor： 奥里沃·吉尔斯 ,  约翰·奥多德 ,  约翰·温 ,  威廉·亨特 ,  伊蒙·海茵斯 ,  比德·米翰

IPC: H05K7/02 ,  H05K7/06 ,  H05K7/08 ,  H05K7/10 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/81 ,  B81B3/0059 ,  B81B2201/0264 ,  H01L23/13 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及带间隔、带凸块部件结构。提供一种带间隔、带凸块部件结构，该带间隔、带凸块部件结构包括：第一板；与第一板隔开第一间隙的第二板；使各个板互连并限定第一间隙的多个焊料凸块；这些板中的至少一个具有包含用于限定尺寸与第一间隙不同的第二间隙的升高平台和凹槽中的一个的不规则部分。

公开(公告)号：CN101049045A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036791.2

申请日：2005-10-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 彼得·G·斯蒂尼肯 ,  约瑟夫·托马斯·马蒂纳斯·范贝克 ,  特奥·里克斯

IPC: H04R19/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0059 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  H01G5/16 ,  H01H2001/0084

Abstract: 一种微机电器件，含有基板(10)、可移动装置，可移动装置能够在电极静电力的作用下向基板移动，可移动装置和基板的相对表面的形状使得当其在闭合位置时，通过相对的表面限定一个或多个排气通道(VC)，配置使得相对表面之间的流体可以流过相对的表面，从而进入或离开位于相对表面之间的区域。该通道可以使可移动装置的移动流体阻尼受控。增加进入或离开相对表面之间区域的流量，可以减少该阻尼，并且因此增加了器件打开和闭合的速度。该通道可以与电极的孔相连。

公开(公告)号：CN1697108A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510071242.0

申请日：2005-05-13

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 旭辉·史蒂文·陈 ,  稔欢·艾伯特·邱 ,  卡尔·A·罗斯

IPC: H01H35/14 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B60C23/0408 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  H01H35/14

Abstract: 一种加速度开关及其方法，包括提供传导基板(10)和绝缘顶盖(16)。在绝缘顶盖(16)中形成了凹陷区域。绝缘层(12)安置在基板(10)上。传导层(14)安置在绝缘层(12)上。对传导层(14)进行刻蚀以形成悬梁(34)和电气隔离岛(40)。在悬梁(34)周围对绝缘层(12)进行刻蚀以释放悬梁(34)使之移动。触点安置在悬梁(34)上和凹陷区域中，由此在向开关施加加速度时，触点能够相互电气接触。顶盖(16)接合到传导层(14)，用以密封悬梁(34)。

公开(公告)号：CN109696268A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811228072.6

申请日：2018-10-22

Applicant: 泰连公司

Inventor： B.W.圭拉迪

IPC: G01L9/04 ,  G01L9/06

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/035 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/04 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06

Abstract: 一种压力传感器组件(100)包括传感器管芯(102)和陶瓷基板(104)。所述传感器管芯包括具有隔膜(106)的硅芯片(202)，所述隔膜配置为暴露于工作流体。所述传感器管芯包括一个或多个电感测元件(109)，其安装在所述隔膜上且配置为测量所述工作流体的压力。所述传感器管芯经由焊料层(201)安装至所述陶瓷基板，所述焊料层接合所述陶瓷基板和所述传感器管芯的第二侧(204)。

公开(公告)号：CN107098309B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201710032445.1

申请日：2013-09-12

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： 戴维·L·马克斯 ,  B·伯坎肖 ,  J·布雷泽克

IPC: B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L49/02 ,  B81B1/00 ,  G01P15/18 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H01L23/522 ,  G01P15/125 ,  H01L21/768 ,  H01L21/786

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/481 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

公开(公告)号：CN109368588A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811501577.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 王德信 ,  邱文瑞 ,  杨军伟 ,  潘新超 ,  端木鲁玉

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明公开一种芯片内置电路板、应用该芯片内置电路板的组合传感器及应用该组合传感器的电子设备。其中，芯片内置电路板包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔。本发明的技术方案旨在减弱芯片内置电路板中相邻两芯片之间的电磁干扰。