公开(公告)号：EP1795506B2

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：EP06256239.2

申请日：2006-12-07

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Maida, Shigeru, c/o Specialty Chemicals Research Center, ,  Yamada, Motoyuki, c/o Advanced Functional Materials Research Center,

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1407 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1446 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

公开(公告)号：EP1795506B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：EP06256239.2

申请日：2006-12-07

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Maida, Shigeru, c/o Specialty Chemicals Research Center, ,  Yamada, Motoyuki, c/o Advanced Functional Materials Research Center,

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1407 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1446 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

公开(公告)号：EP2014624A3

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：EP08251958.8

申请日：2008-06-05

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Maida, Shigeru, c/o Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ,  Otsuka, Hisatoshi, c/o Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

IPC: C03C3/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1423 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/23 ,  G03F7/0002

Abstract: In the nanoimprint lithography, titania-doped quartz glass having an internal transmittance distribution of up to 10% at wavelength 365 nm is suited for use as nanoimprint molds.

公开(公告)号：EP1868951A1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：EP06743228.6

申请日：2006-03-30

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： KUEHN, Bodo ,  POGGE, Tobias ,  TROMMER, Martin ,  WEBER, Jürgen ,  KIRST, Ulrich ,  WERDECKER, Waltraud

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  H01L21/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/06 ,  C03B19/09 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/32 ,  C03C15/00 ,  C03C19/00 ,  C03C23/0025 ,  C03C23/006 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/54 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  C30B35/00 ,  Y02P40/57

Abstract: An ideal quartz glass for a wafer holder for application in an etching environment is characterised both by high purity and also a high dry etching resistance. According to the invention, such a quartz glass may be achieved, whereby the quartz glass is doped with nitrogen, at least in a region near the surface, has an average content of metastable hydroxy groups of less than 30 wt. ppm, the fictive temperature is less than 1250 °C and the viscosity at a temperature of 1200 °C is at least 1013 dPas. A commercial method for production of such a quartz glass comprises the following method steps: fusion of a SiO2 raw material to give a quartz glass blank, whereby the SiO2 raw material or the quartz glass blank is subjected to a dehydration process, heating of the SiO2 raw material or the quartz glass blank to a nitriding temperature in the range between 1050 °C and 1850 °C under an atmosphere containing ammonia, a temperature treatment, by means of which the quartz glass of the quartz glass blank is brought to a fictive temperature of 1250 °C or less and a surface treatment of the quartz glass blank to give the quartz glass holder.

公开(公告)号：EP1712528A3

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：EP06112628.0

申请日：2006-04-13

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： Kuehn, Bodo ,  Ochs, Stefan ,  Kaiser, Steffen ,  Kassube, Denis

IPC: C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  C03B19/14 ,  G02B1/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  Y02P40/57

Abstract: Um ein optisches Bauteil aus Quarzglas zur Verwendung in einem Projektionsobjektiv für die Immersions-Lithographie mit einer Arbeitswellenlänge unterhalb von 250 nm bereit zu stellen, das für den Einsatz mit linear polarisierter UV-Laserstrahlung und insbesondere hinsichtlich Kompaktierung und durch anisotrope Dichteänderung induzierte Doppelbrechung optimiert ist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Quarzglas die Kombination mehrerer Eigenschaften aufweist: insbesondere eine Glasstruktur im wesentlichen ohne Sauerstoffdefektstellen, einen mittleren Gehalt an Hydroxylgruppen von weniger als 60 Gew.-ppm, einen mittleren Gehalt an Fluor von weniger als 10 Gew.-ppm, einen mittleren Gehalt an Chlor von weniger als 1 Gew.-ppm. Ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optischen Bauteils umfasst folgende Verfahrensschritte: Herstellen und Trocknen eines SiO 2- Sootkörpers unter reduzierenden Bedingungen und Behandeln des getrockneten Sootkörpers vor oder während des Verglasens mit einem Reagenz, das mit Sauerstoff-Fehlstellen der Quarzglasstruktur reagiert.

公开(公告)号：EP1795506A1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：EP06256239.2

申请日：2006-12-07

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Maida, Shigeru, c/o Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. ,  Yamada, Motoyuki, Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.

IPC: C03C3/06 ,  C03B19/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1407 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1446 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

Abstract: A titania-doped quartz glass containing 3-12 wt% of titania at a titania concentration gradient less than or equal to 0.01 wt%/µm and having an apparent transmittance to 440 nm wavelength light of at least 30% at a thickness of 6.35 mm is of such homogeneity that it provides a high surface accuracy as required for EUV lithographic members, typically EUV lithographic photomask substrates.
A method for preparing the titania-doped quartz glass by flame hydrolysis is also defined.

Abstract translation: 掺杂二氧化钛的石英玻璃在二氧化钛浓度梯度小于或等于12:01重量％/微米含二氧化钛的3-12重量％，在厚度为具有明显的透射率的至少30％的440纳米波长的光的6.35毫米 正在寻求均匀性的确它提供了一个高的表面精度的要求用于EUV光刻部件，典型地是EUV光刻光掩模衬底。 因此定义一种制备由火焰水解的掺杂二氧化钛的石英玻璃的制造方法。

公开(公告)号：EP1340723A3

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：EP03004655.1

申请日：2003-03-03

Applicant: Schott Glas ,  CARL-ZEISS-STIFTUNG trading as SCHOTT GLAS

Inventor： Natura, Ute, Dr. ,  Menzel, Andreas ,  Alkemoer, Jochen, Dr. ,  Martin, Rolf ,  von der Gönna, Gordon, Dr. ,  Schmidt, Matthias ,  Coriand, Frank ,  Schmiady, Thomas ,  Sohr, Oliver, Dr. ,  Voitsch, Andreas

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06

CPC classification number: C03B19/1423 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/36 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorform aus synthetischem Quarzglas, geeignet zur Beaufschlagung mit DUV-Strahlung im Wellenlängenbereich unter 250 nm, mit einem Kernbereich, der im wesentlichen frei von Schichtungen ist, dessen OH-Gehalt größer als 900 ppm, dessen CI-Gehalt kleiner als 50 ppm, und dessen H 2 -Verbrauch größer als 0,5 x 10 18 Moleküle/cm 3 ist, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die DUV-Widerstandfähigkeit durch einen relativen H 2 -Verbrauch gegeben ist, der mit zunehmender Energiedosis in eine Sättigung geht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorform aus Quarzglas vorgeschlagen, bei dem auf eine rotierende Fläche eine Brennerflamme gerichtet ist, und der Rohstoff SiCl 4 unter Anwesenheit von H 2 und O 2 bei Temperaturen oberhalb 2000° Celsius umgesetzt, zu SiO 2 auf der rotierenden Fläche abgeschieden und sofort glasig aufgeschmolzen wird, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Flamme durch die zentrale Mitteldüse 0,92 bis 1,12 kg/h SiCl 4 bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 15 m/s bis 21 m/s zugeführt wird.

Abstract translation: 用于波长低于250nm的深紫外（DUV）的合成石英玻璃预制件，其核心区域不含高于900ppm的OH含量，Cl含量低于50ppm，H 2含量高于0.5×10 18分子/ cm 3 具有通过增加能量剂量达到饱和的相对H 2消耗确定其DUV电阻。 还包括通过火焰水解方法制造预成型件的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1154294A1

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：EP99959842.8

申请日：1999-12-16

Applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd.

Inventor： SASAOKA, Eisuke, Sumitomo Electric Industries Ltd.

IPC: G02B6/16 ,  G02B6/00 ,  C03B37/018

CPC classification number: C03C13/046 ,  C03B37/01446 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2203/22 ,  C03C3/06 ,  C03C13/045 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  G02B6/02019 ,  G02B6/02257 ,  G02B6/02266 ,  G02B6/03627

Abstract: This invention relates to an optical fiber having a structure that effectively reduces transmission loss and bending loss. An optical fiber according to this invention is an optical fiber mainly comprised of silica and including a core region and a cladding region covering the core region. The core region is doped with chlorine so as to have a refractive index higher than that of pure silica. The cladding region is doped with fluorine so as to have a refractive index lower than that of pure silica. The optical fiber, in particular, is characterized in that a peak value of a relative refractive index difference of the core region with respect to a refractive index of pure silica is 0.05% or more.

Abstract translation: 本发明涉及具有有效地降低传输损耗和弯曲损耗的结构的光纤。 根据本发明的光纤是主要由二氧化硅组成并且包括芯区域和覆盖芯区域的包层区域的光纤。 核心区域用氯掺杂以具有高于纯二氧化硅的折射率的折射率。 掺杂氟的包层区域的折射率低于纯二氧化硅的折射率。 特别地，光纤的特征在于，核心区域相对于纯二氧化硅的折射率的相对折射率差的峰值为0.05％以上。

公开(公告)号：EP1035078A3

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：EP00104522.8

申请日：2000-03-10

Applicant: Nikon Corporation

Inventor： Komine, Norio, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Fujiwara, Seishi, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Yoshida, Akiko, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Jinbo, Hiroki, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Yamaguchi, Norihisa, Nikon Corporation, Fuji Bldg.

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1415 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/22 ,  C03B2207/24 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/40

Abstract: An optical member made of silica glass is manufactured by the direct method using a deposition burner where a material gas comprising an organosilicon compound is allowed to react in an oxidizing flame,    said optical member having a 2 × 10 14 molecules/cm 3 or less concentration of formyl radical generated by X-ray irradiation whose dose is 0.01Mrad or more and 1Mrad or less. A process for manufacturing the optical member and a reduction projection exposure apparatus comprising the optical member are also disclosed and claimed.

公开(公告)号：EP1035078A2

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：EP00104522.8

申请日：2000-03-10

Applicant: Nikon Corporation

Inventor： Komine, Norio, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Fujiwara, Seishi, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Yoshida, Akiko, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Jinbo, Hiroki, Nikon Corporation, Fuji Bldg. ,  Yamaguchi, Norihisa, Nikon Corporation, Fuji Bldg.

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B19/1415 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/22 ,  C03B2207/24 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/40

Abstract: An optical member made of silica glass manufactured by the direct method where a material gas comprising an organosilicon compound is allowed to react in an oxidizing flame,
   said optical member having a 2 × 10 14 molecules/cm 3 or less concentration of formyl radical generated by X-ray irradiation whose dose is 0.01 Mrad or more and 1 Mrad or less.

Abstract translation: 由直接法制造的石英玻璃制成的光学构件，其中包含有机硅化合物的原料气体在氧化火焰中反应，所述光学构件具有2×10 14分子/ cm 3或更低浓度的 通过X射线照射产生的甲酰自由基，其剂量为0.01Mrad以上且1Mrad以下。