公开(公告)号：KR100155179B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940027855

申请日：1994-10-28

Applicant: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤

Inventor： 구리야마도시히떼 ,  마끼시마히데오

IPC: H01J17/40

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 본 발명의 목적은 방출 영역의 전기 방출 밀도의 불균일을 제거하고, 능동 소자로 방출 전류를 제어하고, 장치의 신뢰성을 향상시키는 다수의 전자-에미터들을 포함하는 전계 방출 음극 장치를 제공하는 것이다. p형 실리콘(5)와 n형 실리콘(4)는 n
+ 형 실리콘(6)상에 형성된다. n형 실리콘(4)상에는 Mo로 제조된 전자-에미터(1)이 형성되고, 전자-에미터(1)은 그리드 전극(2)와 절연체층(3)으로 둘러싸인다. n형 실리콘(4)는 접합 게이트 전계 효과 트랜지스터의 채널 영역으로서 작용하고, 그것을 통하여 흐르는 전류는 p형 실리콘(5)에 인가된 전압에 의해서 제어된다. 따라서, 전자-에미터(1)에서 방출된 전자 전류는 또한 이 트랜지스터에 의해서 제어되고, 포화 전류 영역에서 이 트랜지스터의 기능 영역을 설정함으로써, 전자-에미터들로부터의 전자 방출의 불균일은 개선될 수 있다. 심지어 음극 부분이 손상될 때도, 손상들이 장치의 전체 부분으로 확대되지 않고, 전계 방출 음극의 수명은 지속될 수 있다.

公开(公告)号：KR100129676B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019930004822

申请日：1993-03-26

Applicant: 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤

Inventor： 기시노다까오 ,  니시우찌고오이찌 ,  이또오시게오

IPC: H01J3/15

CPC classification number: H01J1/3042 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: 표시밀도가 높고 FEC와 함께 만든 화로의 특성이 양호하고, 스태틱 구동을 할 수 있는 전계방출형 캐소드를 제공한다. Si단결정기판(1) 사에는 각 복수개이 제어선(3)과 데이타선(5)이 매트릭스를 구성하고 있고, 복수의 요소영역(6)이 형성되어 있다. 각 요소영역(6) 내에 있어서 Si단결정기판 (1) 상에는 회로요소(7)가 형성되고 그위에는 전계방출부(8)가 적층하여 형성되어 있다. 회로요수(7)는 데이타선(5)에 드레인이 접속되고 제어선(3)에 게이트가 접속된 스위칭소자인 트랜지스터(Tr
1 )와, 입력신호의 기억회로인 캐패시터(Cs)와, 전계방출부(8)에 입력신호를 증폭하여 부여하는 트랜지스터(Tr
2 )를 갖고 있다.
Si단결정기판(1) 위에 만들어지는 회로요소(7)의 특성은 양호하고 전계방출부(8)는 그 위에 적층하므로 밀도가 높아진다. 또 회로요소(7)는 캐피시터 Cs를 갖고 있으므로 스태틱 구동이 가능하다.

公开(公告)号：KR100442904B1

公开(公告)日：2004-08-02

申请号：KR1019997001835

申请日：1997-09-04

Applicant: 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드

Inventor： 캐세이데이비드에이. ,  후시글렌이. ,  마매니케이.에프. ,  던햄크래이그앰. ,  짐리치데이비드에이.

IPC: H01J3/02

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/92

Abstract: A field emission display includes electrostatic discharge protection circuits coupled to an emitter substrate and an extraction grid. In the preferred embodiment, the electrostatic discharge circuit includes diodes reverse biased between grid sections and a first reference potential or between row lines and a second reference potential. The diodes provide a current path to discharge static voltage and thereby prevent a high voltage differential from being maintained between the emitter sets and the extraction grids. The diodes thereby prevent the emitter sets from emitting electrons at a high rate that may damage or destroy the emitter sets. In one embodiment, the diodes are coupled directly between the grid sections and the row lines. In one embodiment, the diodes are formed in an insulative layer carrying the grid sections. In another embodiment, the diodes are integrated into the emitter substrate.

Abstract translation: 场发射显示器包括耦合到发射极基板和引出栅极的静电放电保护电路。 在优选实施例中，静电放电电路包括在栅极部分和第一参考电位之间或在行线和第二参考电位之间反向偏置的二极管。 二极管提供电流路径以释放静态电压，并由此防止在发射器组与抽取栅极之间维持高电压差。 由此二极管防止发射器组以高速率发射电子，这可能损坏或破坏发射器组。 在一个实施例中，二极管直接耦合在栅格部分和行线之间。 在一个实施例中，二极管形成在承载栅格部分的绝缘层中。 在另一个实施例中，二极管被集成到发射极衬底中。

公开(公告)号：KR100412169B1

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：KR1019960010531

申请日：1996-04-02

Applicant: 모토로라 솔루션즈, 인크.

Inventor： 로버트티.스미스

IPC: H01J1/30

CPC classification number: G09G3/22 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: A field emission device (100) having an electron emitter (101), for emitting electrons, an extraction electrode (102) proximally disposed with respect to the electron emitter (101), an anode (103) for collecting some of any emitted electrons is formed. Anode (103) is distally disposed with respect to the electron emitter (101). A transient current source (110) is operably coupled between the electron emitter (101) and a reference potential (107). Transient current source (110) provides a transient current to the electron emitter (101) to enhance response time for emission of electrons from the electron emitter (101) of the field emission device (100). A controlling input line (111) is provided for current controlling signals to the transient current source (110) with the controlling input line (111) being operably coupled to the transient current source (110).

Abstract translation: 一种场致发射装置（100），具有用于发射电子的电子发射体（101），相对于电子发射体（101）向近侧设置的引出电极（102），用于收集一些任何发射电子的阳极（103） 形成。 阳极（103）相对于电子发射器（101）向远侧布置。 瞬态电流源（110）可操作地耦合在电子发射器（101）和参考电势（107）之间。 瞬态电流源（110）向电子发射器（101）提供瞬态电流以增强从场致发射器件（100）的电子发射器（101）发射电子的响应时间。 提供控制输入线（111）用于在控制输入线（111）可操作地耦合到瞬态电流源（110）的情况下对瞬态电流源（110）进行电流控制信号。

公开(公告)号：KR100401298B1

公开(公告)日：2003-10-11

申请号：KR1019997012390

申请日：1998-06-19

Applicant: 컨데슨트 인터렉추얼 프로퍼티 서비시스 인코포레이티드

Inventor： 크날요한엔. ,  하벤두안에이. ,  라마니스와얌부

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: An electron-emitting device employs a multi-layer resistor (46). A lower layer (48) of the resistor overlies an emitter electrode (42). A set of electron-emissive elements (54) overlie an upper layer (50) of the resistor. Each resistive layer extends continuously from a location below each electron-emissive element to a location below each other electron-emissive element. The two resistive layers are of different chemical composition. The upper resistive layer is typically formed with cermet. The lower resistive layer is typically formed with a silicon-carbon compound.

Abstract translation: 电子发射器件采用多层电阻器（46）。 电阻器的下层（48）覆盖发射电极（42）。 一组电子发射元件（54）覆盖电阻器的上层（50）。 每个电阻层从每个电子发射元件下方的位置连续延伸到每个其他电子发射元件下方的位置。 这两个电阻层具有不同的化学组成。 上电阻层通常由金属陶瓷形成。 下电阻层通常由硅 - 碳化合物形成。

公开(公告)号：KR1020000075519A

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019997007578

申请日：1998-03-23

Applicant: 캔디센트 테크날러지스 코퍼레이션 ,  어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드

Inventor： 수수에핑 ,  브랜드스조지알. ,  스핀트크리스토퍼제이. ,  스탠너스콜린디. ,  메콜리존엠.

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: 본발명은탄소와같은물질로코팅된전자에미터의제조및 구성에관한것으로서, 평면패널디스플레이에적당한음극구조(200, 203, 204)는코팅된에미터(229, 239, 230)에제공되고, 에미터는전형적으로니켈과같은물질로형성되고, 높은에스펙트비로성장할수 있다. 이러한에미터는그 다음에화학적인견고성을개량하고일함수를감소시키기위해탄소함유물질(240,241)로코팅되고, 하나의코팅프로세스는아세틸렌이음극구조를코팅하기위한 DC 플라즈마를만들기위해 DC 플라즈마반응기(301, 305, 313 및 315)를통해펌프되는 DC 플라즈마침전프로세스이고, 택일적인코팅프로세스는에미터의표면상에천연탄소로이루어진물질을전기적으로침전하고, 후속적으로탄소함유물질에대해천연탄소로이루어진물질을감소시키기위한것이고, 코팅된에미터의일함수는전형적으로약0.8에서 1.0eV까지감소되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020000068289A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1019997001433

申请日：1997-08-20

Applicant: 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드

Inventor： 캐세이,데이비드,에이.,쥬니어. ,  자덴,케빈,더블유. ,  모라디,베남 ,  리,존,케이. ,  앨완,제임스,제이.

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: 전계방출디스플레이에사용되는반도체장치는반도체물질, 유리, 소다석회또는플래스틱으로형성된기판(30)을포함한다. 도전물질(28)의제 1 층은상기기판상에형성된다. 미결정(microcrystalline) 실리콘(32)의제 2 저항층은상기제 1 층상에형성된다. 이러한층은전계방출디스플레이의동작동안에다양한조건에대해변동하지않으며특히환경으로부터또는방출된전자들로부터의가변광 세기에대해변동하지않는특성을가진다. 하나또는그 이상의냉음극에미터(34)는상기제 2 층상에형성된다.

公开(公告)号：KR100270135B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019960042440

申请日：1996-09-25

Applicant: 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤

Inventor： 다나카미츠루 ,  야노가즈유키

IPC: G09G1/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/319

Abstract: 전계방출형표시장치에 있어서 구조적인 수단에 의하여 휘도 얼룩을 저감시킨다.
음극기판(101)상의 음극영역(109)에는 스트라이프상의 음극배선(102)의 복수개 형성되어 있다. 각 음극배선(102)에는 슬롯부(108)가 형성되어 있고, 각 슬롯부 (108)속에는 도상 전극(107)이 형성되어 있다. 이 음극배선(102), 슬롯부 (108) 및 도상 전극(107)상에는 저항층(103)이 형성되어 있고 이 저항층(103)상에 복수개의 이미터 콘(106)이 형성되어 전계방출어레이로 이루어져 있다. 음극영역 (109)에서의 위치에 따라 도상 전극(107)과 음극배선(102)사이의 거리가 변경되어 있어, 위치에 따른 이미션 특성의 분산이 보정된다. 풀컬러 FED의 경우는, 각 도트의 발광색에 따라 상기 거리를 변경함으로써 화이트 밸런스 보정을 행할 수가 있다.

公开(公告)号：KR100243990B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960064973

申请日：1996-12-13

Applicant: 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤

Inventor： 이토시게오 ,  와타나베데루오 ,  오오츠가즈오시 ,  다니구치마사테루

IPC: H01L21/334

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/319

Abstract: [과제]
에미터와 저항층과의 부착강도를 향상시킨 전계방출 캐소드와, 그 전계방출캐소드의 용이한 제조방법을 제공한다.
[해결수단]
적어도 기판상에 캐소드전극층(101), 저항층(102), 절연층(103), 게이트전극층(104)을 순차성막한 적층기판에 대하여, 홀(114)이 설정되어, 이 홀(114)내에 노출하는 저항층(102)상에, 도전성재료로 이루어지는 버퍼층(1)을 형성함과 동시에, 이 버퍼층(1)상에 에미터콘(2)을 형성하여, 버퍼층(1)을 통해 저항층(102)과 에미터콘(2)과의 부착강도를 향상시킨다.

公开(公告)号：KR100233254B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960069791

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01J1/30

CPC classification number: G09G3/22 ,  G09G3/2014 ,  G09G2300/08 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/319

Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 하나의 절연성 기판 위에 화소 어레이와 스캔 및 데이터 구동회로가 집적화되어 있는 전계 에미터 패널을 제공하여, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저 가격으로 제공하고자 한다. 본 발명에서는 상기 화소 어레이의 전계방출소자를 절연성 기판 위에 형성된 실리콘 전계방출소자로 구성함으로써, 상기 스캔 구동 회로 및 데이터 구동회로의 기본회로로 사용되는 상보형 다결정실리콘 박막트랜지스터를 상기 화소 어레이가 형성되어 있는 기판에 쉽게 집적화시킬 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 각 화소에 하나의 고전압 박막트랜지스터를 부착시키고, 디스플레이의 신호를 상기 고전압 박막트랜지스터를 통해 인가함으로써 상기 스캔 및 데이터 구동회로의 저전압화가 가능하고, 아울러 고전압이 아닌 통상의 구동전압에서 고속으로 동작하는 상보형 다결정 박막트랜지스터로 상기 스캔 및 데이터 구동회로를 보다 쉽게 구현할 수 있다.