公开(公告)号：CN110797187B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201910674570.1

申请日：2019-07-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古泽秀树

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  H01B1/22 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体。具体地，提供一种积层体，其是通过铜粉糊的烧结所制造的烧结体与陶瓷基材的积层体，且烧成体与陶瓷基材的密接性优异。本发明的积层体在陶瓷层积层有铜粉糊烧结体，且在铜粉糊烧结体中，根据EBSD图像所求出的利用面积分数法(Area Fraction Method)获得的铜的结晶粒径为10μm以下，且分析区域的平均可靠性指数(CI值)为0.5以上。

公开(公告)号：CN108754437B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810731798.5

申请日：2015-02-03

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅

IPC: C23C14/34

Abstract: 通过使铟制的靶主体与由不锈钢、钛或铝构成的衬管或衬板充分坚固地接合，防止进行溅射时的异常的发生。本发明的溅射靶由不锈钢、钛或铝的任一种材质构成的衬管或衬板与铟构成的靶主体的双层结构构成，使通过超声波探伤测定的所述衬管或衬板与靶主体之间的粘接率为95％以上。

公开(公告)号：CN112895629A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011380324.4

申请日：2020-11-30

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山本悠贵友

IPC: B32B15/20 ,  B32B15/09 ,  B32B27/36 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B37/10 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种金属树脂复合材料的成形方法、以及金属树脂复合零件及其制造方法，该金属树脂复合材料具有金属层与树脂层交替地积层的积层构造，积层构造为非对称。该成形方法中，在金属树脂复合材料的整体层厚度一半的位置分割为a部及b部，将存在于a部的树脂层的合计层厚度设为Tra，将存在于a部的金属层的合计层厚度设为Tma，将存在于b部的树脂层的合计层厚度设为Trb，及将存在于b部的金属层的合计层厚度设为Tmb，在Tma/Tra＞Tmb/Trb的情况下，在赋予按压力的面配置a部侧进行成形，在Tma/Tra＜Tmb/Trb的情况下，在赋予按压力的面配置b部侧进行成形，在Tma/Tra＝Tmb/Trb的情况下，在赋予按压力的面，配置a部或b部中金属层位于表层的侧或金属层接近表层的侧而进行成形。

公开(公告)号：CN108156769B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201711275695.4

申请日：2017-12-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 大理友希 ,  新井英太 ,  三木敦史 ,  福地亮

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/09 ,  C25D1/04

Abstract: 本发明公开了表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。其提供一种表面处理铜箔，其良好地抑制了设置在铜箔表面的粗化粒子层中的粗化粒子的脱落。一种表面处理铜箔，在铜箔的一表面和/或两表面设置有粗化处理层，粗化处理层的粗化粒子的高度距离铜箔表面为5～1000nm，表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为65以下，表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。

公开(公告)号：CN109104860B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201880001220.2

申请日：2018-01-12

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  铃木了 ,  佐藤贤次

IPC: B22F10/28 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/16 ,  B22F9/08 ,  B22F9/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  C22C9/00

Abstract: 提供一种铜粉末及其制造方法，该铜粉末由于照射激光时的吸收率高，可有效率地进行热输入，故而可通过低能量的激光熔融结合，并且处理的便利性亦高。一种铜粉末，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率为18.9％～65.0％，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率/氧浓度所表示的指数为3.0以上。

公开(公告)号：CN112601828A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201980054988.0

申请日：2019-05-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 柿谷明宏

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种钛铜板，其是在压制加工后进行热处理的钛铜板的非磨碾硬化材料，且热处理后的弹簧特性以及尺寸稳定性良好。该钛铜板，含有2.0～4.5质量％的Ti，余量由铜以及不可避免的杂质组成，轧制平行方向上的抗拉强度为750MPa以上，电导率为4.0～8.0％IACS，以400℃进行2小时热处理后轧制平行方向上的弹簧极限值为800MPa以上，并且以400℃进行2小时热处理后轧制平行方向上的热伸缩率为100ppm以下。

公开(公告)号：CN112566481A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010079927.4

申请日：2016-04-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冠和树 ,  田中幸一郎

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种电磁波屏蔽特性、轻量特性以及成形性优良的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料为当N设为2以上的整数时，由厚度5～100μm的N张金属箔和厚度5μm以上的N+1张树脂层交替层叠的层叠体，或者由厚度5～100μm的N+1张金属箔和厚度5μm以上的N张树脂层交替层叠的层叠体所构成的电磁波屏蔽材料，所述层叠体的厚度为100～500μm，对于以层叠体的厚度中心为基准位于上下两侧的树脂层和金属箔的顺序相对应的边界面，从基准到这些边界面的距离的误差均在±10％以内。

公开(公告)号：CN109689946B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201880002582.3

申请日：2018-04-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 吉田拓 ,  栗田英树

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明的课题在于提供一种自边缘塌边(ERO)较小且即便在晶圆端部的附近平坦性也充分高的观点而言最佳化的InP晶圆、以及对此种InP晶圆的制造有效的方法。使用包括二阶段研磨步骤的方法制成晶圆的塌边值(ROA)为‑1.0μm～1.0μm的InP晶圆，所述二阶段研磨步骤是对InP单晶基板的至少单面供给包含溴的研磨液，同时以加工压力10～200g/cm2、加工时间0.1～5分钟进行第一阶段的研磨，及以加工压力200～500g/cm2且较上述第一阶段的研磨高50g/cm2以上的加工压力、加工时间0.5～10分钟进行第二阶段的研磨。

公开(公告)号：CN112135922A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980005486.9

申请日：2019-09-05

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 永津光太郎 ,  山田裕贵

IPC: C23C14/34 ,  B23K20/00 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及一种靶材与背板的接合体，其具有含有Ta的靶材和接合于所述靶材的背板，所述靶材与背板的拉伸强度为20kg/mm2以上，所述靶材的平均氢含量为7体积ppm以下。

公开(公告)号：CN107779821B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201710734442.2

申请日：2017-08-24

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 挂野崇 ,  梶山纯

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种烧结体、溅射靶及其制造方法，所述烧结体能够在IZO靶中有效抑制烧结体表面和内部的体积电阻率的偏差。本发明的烧结体是包含In、Zn、O的氧化物的所述烧结体，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs‑Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。